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Boron nitride microribbons strengthened and toughened alumina composite ceramics with excellent mechanical,dielectric,and thermal conductivity properties
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作者 Jilin Wang Dongping Lu +8 位作者 Weiping Xuan Yuchun Ji Ruiqi Chen Shaofei Li Wenbiao Li Wenzhuo Chen Shilin Tang Guoyuan Zheng Fei Long 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期496-506,共11页
Aluminum oxide(Al_(2)O_(3))ceramics have been widely utilized as circuit substrates owing to their exceptional performance.In this study,boron nitride microribbon(BNMR)/Al_(2)O_(3)composite ceramics are prepared using... Aluminum oxide(Al_(2)O_(3))ceramics have been widely utilized as circuit substrates owing to their exceptional performance.In this study,boron nitride microribbon(BNMR)/Al_(2)O_(3)composite ceramics are prepared using spark plasma sintering(SPS).This study examines the effect of varying the amount of toughened phase BNMR on the density,mechanical properties,dielectric constant,and thermal conductivity of BNMR/Al_(2)O_(3)composite ceramics while also exploring the mechanisms behind the toughening and increased thermal conductivity of the fabricated ceramics.The results showed that for a BNMR content of 5 wt%,BNMR/Al_(2)O_(3)composite ceramics displayed more enhanced characteristics than pure Al_(2)O_(3)ceramics.In particular,the relative density,hardness,fracture toughness,and bending strength were 99.95%±0.025%,34.11±1.5 GPa,5.42±0.21 MPa·m1/2,and 375±2.5 MPa,respectively.These values represent increases of 0.76%,70%,35%,and 25%,respectively,compared with the corresponding values for pure Al_(2)O_(3)ceramics.Furthermore,during the SPS process,BNMRs are subjected to high temperatures and pressures,resulting in the bending and deformation of the Al_(2)O_(3)matrix;this leads to the formation of special thermal pathways within it.The dielectric constant of the composite ceramics decreased by 25.6%,whereas the thermal conductivity increased by 45.6%compared with that of the pure Al_(2)O_(3)ceramics.The results of this study provide valuable insights into ways of enhancing the performance of Al_(2)O_(3)-based ceramic substrates by incorporating novel BNMRs as a second phase.These improvements are significant for potential applications in circuit substrates and related fields that require high-performance materials with improved mechanical properties and thermal conductivities. 展开更多
关键词 boron nitride microribbons/aluminum oxide(BNMRs/Al_(2)O_(3))composite ceramics boron nitride microribbon(BNMR) spark plasma sintering(SPS) strengthening and toughening thermal conductivity
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MgO和烧结温度对Al_2O_3陶瓷致密化过程的影响 被引量:7
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作者 程诚 纪箴 +3 位作者 贾成厂 王召利 黄小泓 王聪瑜 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期275-280,284,共7页
以高纯α-Al_2O_3粉体为原料,MgO为烧结助剂,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备氧化铝陶瓷。研究了MgO添加量和烧结温度对氧化铝陶瓷致密化过程及显微结构的影响,并分析了烧结过程中气孔的扩散与演变。结果表明:添加适量MgO可以降低氧化... 以高纯α-Al_2O_3粉体为原料,MgO为烧结助剂,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备氧化铝陶瓷。研究了MgO添加量和烧结温度对氧化铝陶瓷致密化过程及显微结构的影响,并分析了烧结过程中气孔的扩散与演变。结果表明:添加适量MgO可以降低氧化铝陶瓷的烧结温度,抑制晶粒长大,提高致密度,0.25%(质量分数)是MgO的最佳添加量;随着烧结温度的升高,晶粒逐渐长大,气孔率降低,1 550℃为最佳烧结温度;在此条件下获得的微米晶氧化铝陶瓷,其相对密度达到99.96%,平均晶粒尺寸约为3μm,且晶粒大小均匀,几乎无异常长大现象。 展开更多
关键词 Al_2O_3陶瓷 MGO 放电等离子烧结 致密化 气孔
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放电等离子超快速烧结SiC-Al_2O_3纳米复相陶瓷 被引量:22
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作者 高濂 王宏志 +2 位作者 洪金生 宫本大树 DIAZ DE LA TORRE SEBASTIAN 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期55-60,共6页
本文介绍用非均相沉淀法制备的纳米SiC-Al2O3复合粉体经放电等离子超快速烧结得到晶内型的纳米复相陶瓷,超快速烧结的升温速率为600℃/min,在烧结温度不保温,迅即在3min内冷却至600℃以下.与热压烧结相比,可降低烧结温度200℃以... 本文介绍用非均相沉淀法制备的纳米SiC-Al2O3复合粉体经放电等离子超快速烧结得到晶内型的纳米复相陶瓷,超快速烧结的升温速率为600℃/min,在烧结温度不保温,迅即在3min内冷却至600℃以下.与热压烧结相比,可降低烧结温度200℃以上.力学性能研究结果表明,在1450℃超快速烧结得到的纳米复相陶瓷的抗弯强度高达1000MPa,维氏硬度为19GPa,断裂韧性也比Al2O3有所提高.TEM像显示纳米SiC颗粒大多分布在Al2O3母体晶粒内,而断裂表面的SEM像表明,穿晶断裂是其主要的断裂模式,这是所制备的纳米复相陶瓷力学性能大幅提高的主要原因. 展开更多
关键词 碳化硅 施电等离子烧结 纳米粉体 复合陶瓷
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放电等离子烧结工艺制备致密碳化硅陶瓷 被引量:5
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作者 张勇 何新波 +2 位作者 曲选辉 孔祥磊 段柏华 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期45-47,51,共4页
以SiC微粉为原料,并添加质量分数为10%的Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了SiC陶瓷,对烧结致密化过程、SPS烧结温度、烧结压力及烧结时间对致密化的影响进行了研究,并通过XRD和SEM等检测手段对SPS烧结得到... 以SiC微粉为原料,并添加质量分数为10%的Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了SiC陶瓷,对烧结致密化过程、SPS烧结温度、烧结压力及烧结时间对致密化的影响进行了研究,并通过XRD和SEM等检测手段对SPS烧结得到烧结体的显微组织和物相组成进行了分析。结果表明:SiC的SPS烧结过程可分为放气膨胀区、气体溢出收缩区、烧结收缩区、烧结完成区四阶段,最佳的烧结参数为1600℃,50 MPa,5 min,所得的烧结体致密度达99.09%。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 放电等离子烧结 致密度
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TiB-TiB_2陶瓷复合材料的放电等离子烧结致密化 被引量:3
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作者 张朝晖 罗杰 +2 位作者 黄橙骋 王富耻 李树奎 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期492-495,共4页
通过放电等离子烧结技术制备了新型的TiB-TiB2陶瓷复合材料,测试了复合材料的微观组织和力学性能,研究了复合材料微观组织的演化规律,揭示了复合材料的放电等离子烧结致密化机理.烧结前期,通过放电效应使Ti发生高温溅射,在TiB2颗粒间形... 通过放电等离子烧结技术制备了新型的TiB-TiB2陶瓷复合材料,测试了复合材料的微观组织和力学性能,研究了复合材料微观组织的演化规律,揭示了复合材料的放电等离子烧结致密化机理.烧结前期,通过放电效应使Ti发生高温溅射,在TiB2颗粒间形成流线型丝状连接;随着温度的升高,TiB2颗粒与熔融的钛金属之间发生化学反应,生成的TiB呈棒状生长;烧结后期,随着烧结温度的提高,在焦耳热效应和烧结压力的共同作用下,塑性变形和固相扩散成为主要烧结机制,使复合材料迅速达到致密. 展开更多
关键词 TiB-TiB2陶瓷复合材料 放电等离子烧结 致密化机理
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放电等离子超快速烧结氧化铝力学性能和显微结构研究 被引量:30
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作者 高濂 洪金生 +1 位作者 宫本大树 DIAZDELATORRESebastian 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期904-908,共5页
本文介绍用放电等离子超快速烧结方法制备的氧化铝陶瓷的力学性能和显微结构特征.超快速烧结的升温速率为600℃/min,在烧结温度不保温,迅即在3min内冷却至600℃以下.与保温时间为2h的无压烧结相比,可降低烧结温度和提高样品密度... 本文介绍用放电等离子超快速烧结方法制备的氧化铝陶瓷的力学性能和显微结构特征.超快速烧结的升温速率为600℃/min,在烧结温度不保温,迅即在3min内冷却至600℃以下.与保温时间为2h的无压烧结相比,可降低烧结温度和提高样品密度.力学性能研究结果表明,用放电等离子超快速烧结方法制备的纯氧化铝陶瓷的抗弯强度高达800MPa以上,比通常氧化铝陶瓷的抗弯强度高出一倍.用SEM研究了在不同温度下超快速烧结的纯氧化铝陶瓷的显微结构特征. 展开更多
关键词 放电等离子烧结 烧结 氧化铝陶瓷 结构 陶瓷
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放电等离子超快速烧结氧化物陶瓷 被引量:24
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作者 高濂 洪金生 +1 位作者 宫本大树 DIAZDELATORRESebastian 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期18-22,共5页
本文介绍一种氧化物陶瓷超快速烧结的新方法.用放电等离子烧结的方法对Al2O3、Y-TZP、YAG、Al2O3-ZrO2和莫来石等各种氧化物粉体进行了超快速烧结,采用2~3min升温到1200℃以上,不保温或保温2min,然后迅即在3min之内冷却至600℃以... 本文介绍一种氧化物陶瓷超快速烧结的新方法.用放电等离子烧结的方法对Al2O3、Y-TZP、YAG、Al2O3-ZrO2和莫来石等各种氧化物粉体进行了超快速烧结,采用2~3min升温到1200℃以上,不保温或保温2min,然后迅即在3min之内冷却至600℃以下的烧结温度,得到了直径为20mm的晶粒细、致密度高、力学性能好的烧结样品.对用化学共沉淀法自制的20mol%Al2O3-ZrO2(3Y)纳米粉体分别在1170~1500℃之间的7个不同温度下进行放电等离子烧结,升温速率为200℃/min,保温2min后;迅即在3min之内强制冷却至600℃以下.1350℃以上烧结得到的样品密度已接近理论密度,1250℃以上烧结得到的样品的断裂韧性K1c都大于6MPam1/2放电等离子超快速反应烧结所得到的ZrO2-莫来石复相陶瓷致密度高、力学性能好,ZrO2晶粒在莫来石基体中分布均匀,XRD结果表明,在1530℃烧结的样品中,已找不到ZrsiO4痕迹,说明在如此快速的烧结条件下;反应烧结已经可以完成. 展开更多
关键词 氧化物陶瓷 放电 等离子 烧结
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(Ti_(0.25)Zr_(0.25)Nb_(0.25)Ta_(0.25))C高熵陶瓷的制备、力学性能及氧化行为研究 被引量:1
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作者 陈晶晶 黄章益 +4 位作者 齐建起 邓貌 石阳 胡春峰 王皓民 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2022年第6期2117-2125,共9页
本文通过对碳化物粉末进行放电等离子烧结(SPS),成功制备了(Ti_(0.25)Zr_(0.25)Nb_(0.25)Ta_(0.25))C高熵陶瓷(HECs),系统研究了HECs的微观结构演变、力学性能和氧化行为。结果表明,单相HECs的形成温度为1800℃,低于已报道的HECs烧结温... 本文通过对碳化物粉末进行放电等离子烧结(SPS),成功制备了(Ti_(0.25)Zr_(0.25)Nb_(0.25)Ta_(0.25))C高熵陶瓷(HECs),系统研究了HECs的微观结构演变、力学性能和氧化行为。结果表明,单相HECs的形成温度为1800℃,低于已报道的HECs烧结温度。1900℃烧结的陶瓷晶粒细小,平均晶粒尺寸约7.5μm,元素分布均匀,相对密度高达99.2%。1800℃和1900℃烧结的HECs的室温显微硬度值分别为30.9 GPa和33.2 GPa,断裂韧性值分别为(4.6±0.24)MPa·m^(1/2)和(4.5±0.31)MPa·m^(1/2),高于大多数已报道的HECs。原位高温纳米压痕试验结果表明,HECs的硬度随温度的升高而降低,当温度达到500℃时,1800℃和1900℃烧结的陶瓷硬度分别下降到21.9 GPa和22.2 GPa,具有突出的高温稳定性。此外,HECs在温度低于500℃时无明显氧化,当温度超过650℃时会发生明显氧化,氧化速率随温度升高而增加。 展开更多
关键词 高熵陶瓷 (Ti_(0.25)Zr_(0.25)Nb_(0.25)Ta_(0.25))C 高温力学性能 放电等离子烧结 纳米压痕 氧化行为
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SPS工艺参数对ZrB2-MoSi2-SiC复合陶瓷组织与高温抗氧化性能的影响 被引量:1
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作者 张玉栋 李继文 +2 位作者 王南南 潘昆明 张亮亮 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2020年第6期505-512,537,共9页
采用放电等离子烧结法,在烧结温度为1700~2000℃,升温速率为75~150℃/min,保温3~10 min条件下制备ZrB2-MoSi2-SiC复合陶瓷(ZMS15陶瓷),研究烧结温度、升温速率和保温时间等工艺参数对材料致密度以及1200℃高温抗氧化性能的影响。结果表... 采用放电等离子烧结法,在烧结温度为1700~2000℃,升温速率为75~150℃/min,保温3~10 min条件下制备ZrB2-MoSi2-SiC复合陶瓷(ZMS15陶瓷),研究烧结温度、升温速率和保温时间等工艺参数对材料致密度以及1200℃高温抗氧化性能的影响。结果表明:ZrB2-MoSi2-SiC复合陶瓷的致密度随烧结温度升高和升温速率增大而增大,保温时间为7 min时致密度最大。ZMS15陶瓷高温氧化时形成双层结构的氧化层,外层为玻璃态SiO2层,内层为颗粒状富ZrO2层。随烧结温度升高,材料的抗氧化性能增强。ZrB2-MoSi2-SiC复合陶瓷的最佳SPS工艺为烧结温度2000℃、升温速率125℃/min、保温时间7 min,所得陶瓷的相对密度大于98.5%,在1200℃氧化72 h后的质量增加率小于8 mg/cm^2。 展开更多
关键词 放电等离子烧结 ZrB2-MoSi2-SiC陶瓷 工艺参数 相对密度 抗氧化性能
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放电等离子烧结与传统烧结法制备(Ba,Sr)TiO_3陶瓷的性能比较
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作者 朱侃 陈万平 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期265-267,271,共4页
研究分别采用了放电等离子烧结方法(Spark Plasma Sintering,SPS)和普通烧结方法,对(Ba,Sr)TiO3陶瓷进行不同温度下的烧结(1200~1300℃),进而研究了放电等离子烧结对(Ba,Sr)TiO3陶瓷性质的改良能力。实验表明,同温度下SP... 研究分别采用了放电等离子烧结方法(Spark Plasma Sintering,SPS)和普通烧结方法,对(Ba,Sr)TiO3陶瓷进行不同温度下的烧结(1200~1300℃),进而研究了放电等离子烧结对(Ba,Sr)TiO3陶瓷性质的改良能力。实验表明,同温度下SPS法烧结的(Ba,Sr)TiO3陶瓷具有更大的相对介电常数,更低的电流损耗。同时,从SEM照片中观测到SPS烧结法可以较好的改进陶瓷的表面致密度。另外,1240℃下用SPS方法烧结的(Ba,Sr)TiO3陶瓷有着最优良的性质。 展开更多
关键词 放电等离子烧结(SPS) (Ba Sr)TiO.陶瓷 致密度
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放电等离子烧结制备ZrB_(2)-SiC超高温陶瓷的力学性能及氧化行为 被引量:3
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作者 何慧娟 闫晓杰 +3 位作者 树学峰 肖革胜 郝鑫 李志刚 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期62-69,共8页
在服役环境中,超高声速飞行器表面与空气剧烈摩擦导致温度极高。超高温陶瓷相较于一般陶瓷而言具有高熔点和良好的抗氧化烧蚀性能,是目前极具前景的热防护材料之一。采用放电等离子两步烧结工艺将ZrB2纳米粉末和SiC粉末在1700℃下制备... 在服役环境中,超高声速飞行器表面与空气剧烈摩擦导致温度极高。超高温陶瓷相较于一般陶瓷而言具有高熔点和良好的抗氧化烧蚀性能,是目前极具前景的热防护材料之一。采用放电等离子两步烧结工艺将ZrB2纳米粉末和SiC粉末在1700℃下制备超高温陶瓷材料ZrB2-20%SiC,通过纳米压痕微观实验、三点弯实验研究其力学性能及其在高温环境下的氧化行为,着重分析1000、1200、1400和1600℃4种不同氧化温度下ZrB2-20%SiC超高温陶瓷的氧化表面、氧化截面和氧化层厚度。结果表明:ZrB2-20%SiC超高温陶瓷的硬度为18 GPa,弹性模量为541 GPa,断裂韧性为5.7 MPa·m1/2;当氧化温度为1600℃时,超高温陶瓷内部的SiC由被动氧化转变为主动氧化,并且随着氧化温度升高,超高温陶瓷氧化层厚度与氧化温度呈正相关。 展开更多
关键词 ZrB_(2)-SiC 超高温陶瓷 放电等离子烧结 力学性能 氧化行为
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放电等离子体烧结陶瓷材料微观组织演变模拟
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作者 周景纬 《粘接》 CAS 2022年第3期47-50,共4页
研究Matlab仿真环境下加载Moore控件,构建放电等离子体烧结陶瓷刀具无边界四方二维仿真环境,对用于高精密切削的陶瓷刀具微观组织进行基于元胞自动机的仿真模拟。结果发现:增加烧结温度、保温时间,均有助于促进陶瓷微观晶粒生长,提升其... 研究Matlab仿真环境下加载Moore控件,构建放电等离子体烧结陶瓷刀具无边界四方二维仿真环境,对用于高精密切削的陶瓷刀具微观组织进行基于元胞自动机的仿真模拟。结果发现:增加烧结温度、保温时间,均有助于促进陶瓷微观晶粒生长,提升其致密度;但随着烧结温度、保温时间的增加,其致密度增幅持续下降收敛。说明在当前工艺条件下,选择1700℃烧结环境和20 min保温时间,可以达到最佳工艺效果。 展开更多
关键词 放电等离子体烧结 陶瓷刀具 高精密切削 元胞自动机 仿真分析 致密度
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碳化硅陶瓷的放电等离子烧结 被引量:7
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作者 张勇 何新波 +1 位作者 曲选辉 王玉会 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1414-1417,共4页
采用添加了Al2O3和Y2O3助烧剂的碳化硅微粉为原料,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了碳化硅陶瓷.分析了材料致密化过程,并重点研究了烧结工艺参数对材料致密度和力学性能的影响规律.结果表明,当SPS工艺参数的烧结温度和压力分别为1... 采用添加了Al2O3和Y2O3助烧剂的碳化硅微粉为原料,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了碳化硅陶瓷.分析了材料致密化过程,并重点研究了烧结工艺参数对材料致密度和力学性能的影响规律.结果表明,当SPS工艺参数的烧结温度和压力分别为1600℃和50MPa时,经过5min的烧结,碳化硅陶瓷的致密度可达到99.1%,硬度为HV2550,断裂韧性达8.34MPa.m1/2,弯曲强度达684MPa. 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 放电等离子烧结 致密度 力学性能
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放电等离子烧结ZrB_2-YAG-Al_2O_3复相陶瓷的氧化性能 被引量:5
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作者 宋杰光 王秀琴 +4 位作者 李养良 陈清宇 于福义 白小波 张联盟 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期10-13,23,共5页
通过共沉淀法获得包覆式Al2O3-Y2O3/ZrB2复合粉体并对其进行放电等离子烧结来提高ZrB2陶瓷的烧结致密度和高温抗氧化能力。研究表明:通过引入YAG-Al2O3制备的陶瓷和纯ZrB2陶瓷相比,在相同氧化条件下得到的氧化层厚度有所变薄,说明通过引... 通过共沉淀法获得包覆式Al2O3-Y2O3/ZrB2复合粉体并对其进行放电等离子烧结来提高ZrB2陶瓷的烧结致密度和高温抗氧化能力。研究表明:通过引入YAG-Al2O3制备的陶瓷和纯ZrB2陶瓷相比,在相同氧化条件下得到的氧化层厚度有所变薄,说明通过引入YAG-Al2O3可以改善ZrB2陶瓷的抗氧化性能。在相同氧化条件下,引入Al2O3越多的陶瓷氧化层厚度越小。 展开更多
关键词 ZrB2陶瓷 YAG 复相陶瓷 氧化性能 放电等离子烧结
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ZrB2-YAG陶瓷的烧结致密化 被引量:3
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作者 宋杰光 纪岗昌 +4 位作者 李世斌 李养良 杜大明 张联盟 李俊国 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期586-590,共5页
通过共沉淀法获得包覆式A12O3-Y2O3/ZrB2复合粉体,对其进行放电等离子烧结以提高ZrB2陶瓷的烧结致密度。用扫描电镜观察试样的显微结构,用X射线衍射仪对试样进行物相分析。结果表明:包覆型粉体在700~1000℃时出现1次大的收缩,然后出现... 通过共沉淀法获得包覆式A12O3-Y2O3/ZrB2复合粉体,对其进行放电等离子烧结以提高ZrB2陶瓷的烧结致密度。用扫描电镜观察试样的显微结构,用X射线衍射仪对试样进行物相分析。结果表明:包覆型粉体在700~1000℃时出现1次大的收缩,然后出现1个不收缩的平台,当温度达到1100℃之后出现第2次收缩。适宜制备高致密的ZrB2-钇铝石榴石(yttrium aluminium garnet,YAG)陶瓷的工艺条件为:烧结温度为1700℃,烧结压力为20MPa,保温时间为4min,YAG的添加量为30%(质量分数),所制备的ZrB2-YAG陶瓷相对密度大于95%。 展开更多
关键词 二硼化锆陶瓷 钇铝石榴石 致密化 放电等离子烧结
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Oxidation behavior of non-stoichiometric(Zr,Hf,Ti)C_(x) carbide solid solution powders in air 被引量:3
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作者 Huilin LUN Yi ZENG +5 位作者 Xiang XIONG Ziming YE Zhongwei ZHANG Xingchao LI Haikun CHEN Yufeng LIU 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CAS CSCD 2021年第4期741-757,共17页
Multi-component solid solutions with non-stoichiometric compositions are characteristics of ultra-high temperature carbides as promising materials for hypersonic vehicles.However,for group IV transition-metal carbides... Multi-component solid solutions with non-stoichiometric compositions are characteristics of ultra-high temperature carbides as promising materials for hypersonic vehicles.However,for group IV transition-metal carbides,the oxidation behavior of multi-component non-stoichiometric(Zr,Hf,Ti)C_(x)carbide solid solution has not been clarified yet.The present work fabricated four kinds of(Zr,Hf,Ti)C_(x)carbide solid solution powders by free-pressureless spark plasma sintering to investigate the oxidation behavior of(Zr,Hf,Ti)C_(x)in air.The effects of metallic atom composition on oxidation resistance were examined.The results indicate that the oxidation kinetics of(Zr,Hf,Ti)C_(x)are composition dependent.A high Hf content in(Zr,Hf,Ti)C_(x)was beneficial to form an amorphous Zr-Hf-Ti-C-0 oxycarbide layer as an oxygen barrier to enhance the initial oxidation resistance.Meanwhile,an equiatomic ratio of metallic atoms reduced the growth rate of(Zr,Hf,Ti)O_(2)oxide,increasing its phase stability at high temperatures,which improved the oxidation activation energy of(Zr,Hf,Ti)C_(x). 展开更多
关键词 ultra-high temperature ceramics(UHTCs) (Zr Hf Ti)C_(x)carbides oxidation behavior oxidation resistance free-pressureless spark plasma sintering
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高致密高导电氧化锡锑陶瓷的制备 被引量:1
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作者 李雪萍 陈斐 +1 位作者 沈强 张联盟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期183-185,共3页
以氧化锡锑(Sb掺杂含量为20at%)和SnO2纳米复合粉体为原料,采用放电等离子体烧结法(SPS)和退火工艺处理后制备了高致密高导电的氧化锡锑(ATO)陶瓷。研究了SPS烧结工艺和后期退火工艺对ATO陶瓷靶材结构与性能的影响。结果表明:采用SPS烧... 以氧化锡锑(Sb掺杂含量为20at%)和SnO2纳米复合粉体为原料,采用放电等离子体烧结法(SPS)和退火工艺处理后制备了高致密高导电的氧化锡锑(ATO)陶瓷。研究了SPS烧结工艺和后期退火工艺对ATO陶瓷靶材结构与性能的影响。结果表明:采用SPS烧结技术,当升温速率为100℃/min、压力为40MPa时,在900~1000℃烧结并保温3min时可获得致密度大于94%的ATO陶瓷,但由于烧结环境处于缺氧条件导致其电阻率较高。而在空气气氛下经过800℃的后期退火处理后电阻率可低至6.28×10-3Ω·cm。 展开更多
关键词 高致密 高导电 氧化锡锑陶瓷 放电等离子烧结 退火
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