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半导体超辐射发光管自发发射因子的估算 被引量:2
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作者 赵永生 宋俊峰 +3 位作者 韩伟华 李雪梅 杜国同 高鼎三 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期452-456,共5页
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数,在以往对超辐射发光管的特性分析,特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时,多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子,由于两者的光输出特性不同,这种沿用不仅会造成β因... 自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数,在以往对超辐射发光管的特性分析,特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时,多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子,由于两者的光输出特性不同,这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱,而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论,提出了平均自发发射因子的概念,并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。 展开更多
关键词 自发发射因子 超辐射发光管 增益 折射率 半导体
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