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Investigation on resist development rate model for synchrotron radiation X-ray lithography
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作者 谢常青 陈梦真 +3 位作者 王玉玲 孙宝银 周生辉 朱樟震 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1995年第10期861-864,共4页
Since the synchrotron radiation X-ray lithography (SRXRL) was put forward, it hascaught many people’s attention day after day. It has much benefit, such as high-structuralresolution, large process window, high throug... Since the synchrotron radiation X-ray lithography (SRXRL) was put forward, it hascaught many people’s attention day after day. It has much benefit, such as high-structuralresolution, large process window, high throughput. It is generally thought a very goodlithography technique when dimensions shrink to 0.25μm and below. Because of the im- 展开更多
关键词 synchrotron radiation x-ray lithography RESIST DEVELOPMENT rate model Marquardt method.
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同步辐射X射线光刻应用新领域──LIGA技术 被引量:5
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作者 田扬超 胡一贯 +1 位作者 刘泽文 阚娅 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期303-307,共5页
介绍了一种超微细加工新方法-LIGA技术,并就LIGA技术对掩模材料、光刻胶和光源的要求予以讨论,同时还介绍了国外在这方面的最新研究成果。LIGA技术是深度X射线刻蚀、电铸成型和塑料铸模等技术相结合的综合技术,是制造... 介绍了一种超微细加工新方法-LIGA技术,并就LIGA技术对掩模材料、光刻胶和光源的要求予以讨论,同时还介绍了国外在这方面的最新研究成果。LIGA技术是深度X射线刻蚀、电铸成型和塑料铸模等技术相结合的综合技术,是制造微型机械最有前途的方法。与传统半导体超微细加工方法相比,LIGA技术有以下优点:(1)用材广泛,可以是金属、陶瓷、聚合物及玻璃;(2)可加工任意复杂的图形结构;(3)可制造有较大高宽比的超微细元件;(4)加工精度高,可达亚微米;(5)可重复复制,工业上能批量生产,成本低。 展开更多
关键词 LIGA技术 x射线光刻 同步辐射 光刻
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同步辐射X射线光刻技术 被引量:3
3
作者 张东平 乐德芬 胡一贯 《应用光学》 CAS CSCD 2001年第4期40-44,48,共6页
同步辐射 X射线光刻 (SRXL)是本世纪超大规模集成电路 (VLSI)发展中最有希望的深亚微米图形加工技术 ,本文综述了 SRXL技术研究的现状及存在的问题 。
关键词 同步辐射 x射线 光刻技术 集成电路
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50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计 被引量:1
4
作者 谢常青 陈大鹏 +5 位作者 李兵 叶甜春 伊福廷 彭良强 韩勇 张菊芳 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期321-324,共4页
X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光... X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光刻分辨率达到 50nm 以下时,采用的同步辐射 X 射线波长范围应该为 0.2—0.4 nm。探讨了在北京同步辐射 3B1A 光刻束线上进行 50nm X 射线光刻的可能性。 展开更多
关键词 x射线光刻 同步辐射 束衍生法 光刻分辨率
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同步辐射X射线深度光刻实验 被引量:4
5
作者 伊福廷 习复 +3 位作者 唐鄂生 郑宏卫 晋明 冼鼎昌 《微细加工技术》 1997年第2期31-33,共3页
深度同步辐射光刻是LIGA技术的关键工艺环节。利用同步辐射X射线的高平行性、硬射线的高强度,可以光刻出非常深的胶结构,并且这一结构有着很好的尺寸精度和垂直精度,对加工出微型机械结构,具有重要作用。
关键词 LIGA技术 同步辐射 x射线 光刻
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X射线干涉光刻光束线偏转镜系统的设计与测试 被引量:1
6
作者 龚学鹏 卢启鹏 彭忠琦 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2142-2150,共9页
介绍了上海光源X射线干涉光刻(XIL)光束线的基本情况。为实现光束线的光束偏转和光路切换,完成了其偏转镜系统的研制。分析了偏转镜系统的功能,设计了偏转镜的调节机构、切换机构和冷却结构。论述了调节机构的关键运动,即镜箱外直线运... 介绍了上海光源X射线干涉光刻(XIL)光束线的基本情况。为实现光束线的光束偏转和光路切换,完成了其偏转镜系统的研制。分析了偏转镜系统的功能,设计了偏转镜的调节机构、切换机构和冷却结构。论述了调节机构的关键运动,即镜箱外直线运动转化为超高真空内旋转运动的实现过程;讨论了切换机构重复精度与承载能力之间的关系,并完成了精密丝杆的校核。采用镜子支撑方式和冷却方式集成的方案设计了冷却结构,并通过数值模拟分析了冷却结构和冷却效果。模拟结果表明镜子子午面形误差和弧矢面形误差分别约为6.5rad和7rad。应用激光干涉仪和光电自准直仪对调节机构和切换机构进行了测试,结果表明:调节机构的线性分辨力可达0.2μm,切换机构的重复精度满足设计要求。 展开更多
关键词 上海同步辐射光源 x射线干涉光刻 偏转镜 结构设计 精度测试
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X射线干涉光刻光束线关键光学元件热-结构耦合分析 被引量:1
7
作者 龚学鹏 卢启鹏 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2347-2354,共8页
为了保证上海光源X射线干涉光刻光束线的稳定性,减小热变形对实验结果的影响,对X射线干涉光刻光束线的3个关键光学元件——偏转镜、聚焦镜和精密四刀狭缝进行热-结构耦合分析。首先,计算偏转镜、聚焦镜和精密四刀狭缝所承载的功率密度;... 为了保证上海光源X射线干涉光刻光束线的稳定性,减小热变形对实验结果的影响,对X射线干涉光刻光束线的3个关键光学元件——偏转镜、聚焦镜和精密四刀狭缝进行热-结构耦合分析。首先,计算偏转镜、聚焦镜和精密四刀狭缝所承载的功率密度;然后,建立其有限元模型;最后,获得光学元件的温度场和热变形的结果。结果表明,偏转镜和聚焦镜采用间接水冷方式可有效抑制热变形,冷却后的最大面形误差分别为7.2μrad和9.2μrad。精密四刀狭缝未冷却时,刀片组件温度介于271.56~273.27℃,刀口热变形为0.19 mm,直线导轨热变形为0.08 mm;经过铜辫子冷却后,刀片组件温度降至22.24~23.94℃,刀口热变形降至0.2μm,直线导轨热变形降至0.1μm;采用影像法和接触探头法测试后,刀口直线度、平行度和重复精度均满足技术要求。偏转镜、聚焦镜和精密四刀狭缝的热变形通过间接水冷和铜辫子的冷却方式可以得到很大程度的抑制,进而保证光斑质量。 展开更多
关键词 x射线干涉光刻 热分析 数值模拟 同步辐射
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同步辐射X射线光刻实验研究 被引量:4
8
作者 谢常青 叶甜春 陈梦真 《微细加工技术》 1997年第3期10-13,共4页
同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果,并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。
关键词 x射线光刻 x射线掩模 同步辐射 光刻 掩模
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同步辐射X射线光刻计算机模拟研究 被引量:1
9
作者 谢常青 叶甜春 陈梦真 《微细加工技术》 EI 1997年第3期14-19,共6页
利用BeamPropagationMethod(BPM)方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应,并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分... 利用BeamPropagationMethod(BPM)方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应,并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分辨率的空间像光强分布。研究结果还表明北京同步辐射装置3BlA光刻束线的光刻分辨率可以达到0.1μm,而且这时金吸收体厚度为0.45μm就可以了,而不是通常认为的1.0μm。 展开更多
关键词 x射线光刻 分辨率 同步辐射 计算机模拟 光刻
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0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术 被引量:2
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作者 谢常青 叶甜春 +1 位作者 孙宝银 伊福廷 《微细加工技术》 1999年第3期32-34,5,共4页
报道了用 X 射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置( B S R F)3 B I A 光刻束线获得的 05μm 光刻分辨率的实验结果。
关键词 x射线光刻 分辨率 同步辐射 氮化硅薄膜
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深亚微米同步辐射x射线光刻技术 被引量:1
11
作者 谢常青 叶甜春 +2 位作者 陈大鹏 赵玲莉 胥兴才 《半导体情报》 2000年第6期35-37,42,共4页
报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米
关键词 x射线光刻 同步辐射 深亚微米
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同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
12
作者 谢常青 陈大鹏 +1 位作者 李兵 叶甜春 《微纳电子技术》 CAS 2002年第6期39-41,共3页
x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介... x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。 展开更多
关键词 光刻制作 深亚微米 T形栅 x射线掩模 x射线光刻 同步辐射
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X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
13
作者 孙宝银 陈梦真 +1 位作者 朱樟震 伊福廷 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期176-178,共3页
阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上,采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30~40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。
关键词 镂空硅掩模 x射线 深层光刻 同步辐射
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深亚微米X射线光刻模拟软件XLSS1.0
14
作者 谢常青 王德强 +4 位作者 陈大鹏 叶甜春 伊福廷 韩勇 张菊芳 《微细加工技术》 2004年第4期27-30,35,共5页
介绍了一套自行研制的深亚微米同步辐射X射线光刻模拟软件———XLSS1 0。该软件基于面向对象技术,采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面空间光强分布及光刻胶剖面进行了精确模... 介绍了一套自行研制的深亚微米同步辐射X射线光刻模拟软件———XLSS1 0。该软件基于面向对象技术,采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面空间光强分布及光刻胶剖面进行了精确模拟计算,发现模拟结果与实验结果吻合很好,且模拟结果的特征尺寸宽度与实验结果的特征尺寸宽度误差小于±10%。 展开更多
关键词 x射线光刻 同步辐射 束衍生法 面向对象编程
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同步辐射软X射线曝光工艺研究
15
作者 孙宝银 陈梦真 《微细加工技术》 1993年第4期23-28,共6页
本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微... 本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微米图形和抗蚀剂厚度为36μm深光刻图形。 展开更多
关键词 光刻 同步辐射 曝光 集成电路 制造
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深亚微米同步辐射x射线光刻模拟
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作者 谢常青 叶甜春 +2 位作者 陈大鹏 李兵 胥兴才 《半导体情报》 2001年第6期36-38,44,共4页
用束衍生法研究了深亚微米同步辐射 x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应 ,并对 x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术 ,研制了一个取名为 XLLS1 .0的模拟软件。
关键词 x射线光刻 模拟 同步辐射 深亚微米 半导体工艺
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X射线衍射光学部件的制备及其光学性能表征 被引量:9
17
作者 陈宜方 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2779-2795,共17页
综述了国内外在纳米加工X射线衍射光学透镜方面的研究现状和最新进展。介绍了作者团队过去三年在这方面做的工作。针对衍射透镜关键技术,研发了具有大高宽比形貌的电子束光刻基础工艺;结合金电镀,提出了纳米尺度波带片的制造技术,并将... 综述了国内外在纳米加工X射线衍射光学透镜方面的研究现状和最新进展。介绍了作者团队过去三年在这方面做的工作。针对衍射透镜关键技术,研发了具有大高宽比形貌的电子束光刻基础工艺;结合金电镀,提出了纳米尺度波带片的制造技术,并将该工艺成功扩展于分辨率板(Siemens star)和集成光栅型会聚透镜的研制。运用蒙特卡罗模拟和显影动力学,探索了电子束光刻技术所能够实现的最大高宽比以及造成这种限制的物理根源;成功研制了50~100nm的波带片透镜(其中,100nm波带片高宽比为16∶1)、50~300nm的分辨率测试板(其中,300nm测试板高宽比为10∶1)和200nm的会聚透镜(高宽比为10∶1)。对所研制的光学部件在同步辐射光源进行了实验表征。结果表明,100nm波带片聚焦斑尺寸为234nm,测试板和会聚透镜的光学特性与国外同样光学部件到达同等水平;会聚透镜辐照的均匀性为99%。最后,总结了近几年我国X射线衍射透镜的发展进度,指出了衍射光学部件光学性能发展的最大瓶颈是分辨率与衍射效率相互制约,提出了提高光学部件衍射效率的具体途径,给出了我国X射线衍射透镜技术的未来发展路线图。 展开更多
关键词 x射线衍射光学部件 波带片 电子束光刻 纳米加工 会聚透镜 分辨率板 同步辐射光源
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LIGA技术的掩模制造 被引量:4
18
作者 伊福廷 吴坚武 +3 位作者 晋明 洗鼎昌 刘金声 王乃强 《微细加工技术》 1995年第2期33-37,共5页
LIGA技术是近几年才发展起来的一门新的技术,包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度X光曝光,所用的同步辐射X光较硬,这一曝光条件相应就需要X光掩模吸收体有较大厚度和较高的加工精度,这样才能够阻挡住X光,同时保证较高的... LIGA技术是近几年才发展起来的一门新的技术,包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度X光曝光,所用的同步辐射X光较硬,这一曝光条件相应就需要X光掩模吸收体有较大厚度和较高的加工精度,这样才能够阻挡住X光,同时保证较高的光刻精度。这种掩模的加工一般需要分二步完成,首先要加工出一块不太厚吸收体图形的X光掩模,然后利用同步辐射X光将这一掩模翻制成较大厚度的LIGA技术用掩模。本文是利用紫外光曝光与氩离子刻蚀相结合,制造出吸收体图形厚度2微米的X光掩模,然后用同步光将这一掩模翻制成LIGA技术用的掩模。 展开更多
关键词 掩模 制造 LIGA技术 x光曝光
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Interface roughness, surface roughness and soft X-ray reflectivity of Mo/Si multilayers with different layer number 被引量:1
19
作者 秦俊岭 邵建达 +1 位作者 易葵 范正修 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第5期301-303,共3页
A series of Mo/Si multilayers with the same periodic length and different periodic number were prepared by magnetron sputtering, whose top layers were respectively Mo layer and Si layer. Periodic length and interface ... A series of Mo/Si multilayers with the same periodic length and different periodic number were prepared by magnetron sputtering, whose top layers were respectively Mo layer and Si layer. Periodic length and interface roughness of Mo/Si multilayers were determined by small angle X-ray diffraction (SAXRD). Surface roughness change curve of Mo/Si multilayer with increasing layer number was studied by atomic force microscope (AFM). Soft X-ray reflectivity of Mo/Si multilayers was measured in National Synchrotron Radiation Laboratory (NSRL). Theoretical and experimental results show that the soft X-ray reflectivity of Mo/Si multilayer is mainly determined by periodic number and interface roughness, surface roughness has little effect on reflectivity. 展开更多
关键词 Atomic force microscopy Magnetron sputtering REFLECTION Surface roughness synchrotron radiation x ray diffraction analysis
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上海第三代同步辐射装置及其在光刻和LIGA中的应用
20
作者 谢常青 叶甜春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期11-13,共3页
对即将动工的上海第三代同步辐射装置(SSRF)及其主要参数作了介绍。叙述了目前同步辐射x射线光刻和LIGA的一些技术进展情况。
关键词 同步辐射光源 x射线光刻 LIGA
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