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题名一种加速DRAM灵敏放大器的设计方法
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作者
段会福
付妮
拜福君
蒋强
李进
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机构
西安紫光国芯半导体有限公司
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出处
《无线互联科技》
2017年第11期57-58,117,共3页
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文摘
文章设计了一种DRAM中的灵敏放大器,通过增加一个过充电压开关,一个过充电压工作时间脉冲控制电路,一个发生器电路,使得灵敏放大器的放大速度有效提升,从而改善了DRAM的性能指标参数t RCD,提高了DRAM的性能。这种方法通过很小的代价,实现了灵敏放大器放大速度的改进。电路易于控制,版图面积增加很小,功耗无需增加,是一种提高灵敏放大器性能的有效方法。
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关键词
DRAM灵敏放大器
trcd过充电压
脉冲控制电路
信号建立时间
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Keywords
DRAM sense amplifier
trcd over drive voltage
pulse control circuit
signal development time
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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