纳米xBaO·(0.35-x)Nd_2O_3·0.65TiO_2复合金属氧化物陶瓷的制备与介电性能

用柠檬酸盐法合成出组成为xBaO·( 0 35 x)Nd2 O3 ·0 6 5TiO2 复合氧化物 ,采用DTA TG ,IR ,XRD ,TEM进行物性表征。实验结果表明 :该复合氧化物的形成温度为 80 0℃ ,平均粒径为 30nm。在富TiO2 区 ,BaO/Nd2 O3 ≤0 4时 ,成瓷温度较宽 ( 1 2 80～ 1 36 0℃ ) 。

复合氧化物掺杂法制备抗还原BCTZ系陶瓷的研究

提出了一种制备抗还原BCTZ系陶瓷材料的新工艺.采用溶胶-凝胶法在500-800℃下合成复合氧化物掺杂剂,此掺杂剂与水热法合成的超细(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3粉体混合球磨可得抗还原介质瓷料,该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电极的,具有高介电常数和低介质损耗的多层陶瓷电容器陶瓷材料.本文讨论了复合氧化物掺杂剂的合成温度、陶瓷烧结温度和退火时间等工艺参数对陶瓷介电性能和微结构的影响.研究表明,在低温下合成的纳米颗粒的复合氧化物掺杂剂(纳米掺杂剂)很适合超细瓷料的掺杂改性.在500-800℃内,复合氧化物掺杂剂的合成温度升高将导致BCTZ系陶瓷的居里点、介质损耗和介电常数最大值的降低.对陶瓷烧结工艺的研究表明,采用此新工艺可获得符合Y5V标准的BCTZ系抗还原介质陶瓷,其室温相对介电常数不小于18000,介质损耗低于0.7％,绝缘电阻率达到1012Ω·cm,居里点在5-20℃之间可调,平均晶粒尺寸GAV小于4μm.该新工艺可望用于大容量Y5V镍内电极多层陶瓷电容器的生产.

Ag_(0.9)Na_(0.1)(Nb_(0.6)Ta_(0.4))O_3纳米陶瓷粉体的制备与介电性能研究

采用湿化学法合成出组成为(Ag_(0.9)Na_(0.1))(Nb_(0.6)Ta_(0.4))O_3的复合氧化物,应用TG-DTA,XRD,SEM等分析手段对该陶瓷粉体的制备条件进行了研究。实验结果表明:该瓷粉的合成温度为800℃,灼烧时间3h,晶体为六方晶系,平均粒径为34nm。用传统成瓷工艺在1040-1060℃下制得瓷件的介电常数ε>500,损耗角正切tgδ为4.5×10^(-4)。