温度导向法制备氟化镧掺杂单晶及其电导率的测定

采用温度下降法在实验室条件下制备了氟化镧{纯LaF_3及掺杂(Sm,Eu,Ga)F_3、CaF_2的LaF_3}单晶。用交流电桥法测定了20～100℃范围內这些单晶的离子导电率,得出其离子导电率在10^(-6)Scm^(-1)数量级。用交流阻抗谱的方法在100～400℃范围内、氩气保护下测定了氟化镧{LaF_3掺杂1％(Sm,Eu,Ga)F_3、2.05％CaF_2}单晶及市售氟化镧{LaF_3掺杂(0.2％EuF_2、5％CaF_2)}单晶的阻抗谱,求得单晶离子电导率皆在10^(-4)Scm^(-1)数量级。