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Temperature dependence of the P-hit single event transient pulse width in a three-transistor inverter chain 被引量:3
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作者 陈书明 陈建军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第1期340-345,共6页
A comparison of the temperature dependence of the P-hit single event transient (SET) in a two-transistor (2T) inverter with that in a three-transistor (3T) inverter is carried out based on a three-dimensional nu... A comparison of the temperature dependence of the P-hit single event transient (SET) in a two-transistor (2T) inverter with that in a three-transistor (3T) inverter is carried out based on a three-dimensional numerical simulation. Due to the significantly distinct mechanisms of the single event change collection in the 2T and the 3T inverters, the temperature plays different roles in the SET production and propagation. The SET pulse will be significantly broadened in the 2T inverter chain while will be compressed in the 3T inverter chain as temperature increases. The investigation provides a new insight into the SET mitigation under the extreme environment, where both the high temperature and the single event effects should be considered. The 3T inverter layout structure (or similar layout structures) will be a better solution for spaceborne integrated circuit design for extreme environments. 展开更多
关键词 temperature dependence single event transient parasitic bipolar amplification effect charge sharing collection
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双阱CMOS器件单粒子瞬态效应机理研究 被引量:2
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作者 张准 贺威 +4 位作者 骆盛 贺凌翔 曹建民 刘毅 王坤 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期135-140,共6页
介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,并提出一种高拟合度的临界电荷计算方案。双阱器件共享... 介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,并提出一种高拟合度的临界电荷计算方案。双阱器件共享电荷诱发的寄生双极放大效应对相邻PMOS管的稳定性有着显著的影响,高线性能量传输提高了器件单粒子翻转的敏感性。电学特性表明,全三维器件数值仿真的方法能够有效评估因内建电势突变产生的瞬态脉冲电流。该方法满足器件仿真对精确度的要求。 展开更多
关键词 单粒子瞬态 电荷收集 寄生双极放大效应 三维器件仿真
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p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响
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作者 陈建军 陈书明 +4 位作者 梁斌 刘必慰 池雅庆 秦军瑞 何益百 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期509-517,共9页
由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维器件数值模拟方法,基于130nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相... 由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维器件数值模拟方法,基于130nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相邻pMOSFET之间单粒子电荷共享收集的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,相邻pMOSFET漏端的单粒子电荷共享收集量均减少.还研究了界面态的积累对相邻反相器中单粒子电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,pMOSFET之间电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲压缩,而n型金属氧化物半导体场效应晶体管之间电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲展宽. 展开更多
关键词 负偏置温度不稳定性 电荷共享收集 双极放大效应 单粒子多瞬态
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