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宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
1
作者
王书荣
刘志宏
+6 位作者
王圩
朱洪亮
张瑞英
丁颖
赵玲娟
周帆
王鲁峰
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期898-902,共5页
研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0~ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5~ 1 5 6 5 nm )和L带 ...
研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0~ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5~ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70~ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70~ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 。
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关键词
半导体放大器光开关
宽带
偏振不灵敏
张应变准体
ingaas
光纤到光钎无损工作电流
消光比
下载PDF
职称材料
宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器
被引量:
1
2
作者
王书荣
王圩
+6 位作者
刘志宏
朱洪亮
张瑞英
丁颖
赵玲娟
周帆
田慧良
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期567-570,共4页
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100-250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏...
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100-250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.
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关键词
压应变
ingaas
量子阱
张应变
ingaas
准体材料
半导体光放大器
偏振灵敏度
增益
饱和输出功率
下载PDF
职称材料
题名
宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
1
作者
王书荣
刘志宏
王圩
朱洪亮
张瑞英
丁颖
赵玲娟
周帆
王鲁峰
机构
中国科学院半导体研究所光电子研发中心
云南师范大学太阳能研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期898-902,共5页
基金
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 -1)
国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 2 3 )资助项目~~
文摘
研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0~ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5~ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70~ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70~ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 。
关键词
半导体放大器光开关
宽带
偏振不灵敏
张应变准体
ingaas
光纤到光钎无损工作电流
消光比
Keywords
semiconductor optical amplifier gate
wide bandwidth
polarization insensitive
tensile
strained
quasi
bulk
ingaas
fiber to fiber lossless operation current
extinction ratio
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器
被引量:
1
2
作者
王书荣
王圩
刘志宏
朱洪亮
张瑞英
丁颖
赵玲娟
周帆
田慧良
机构
中国科学院半导体研究所光电子研发中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期567-570,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划(编号:G20000683 1)
国家自然科学基金(批准号:90101023)资助项目~~
文摘
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100-250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.
关键词
压应变
ingaas
量子阱
张应变
ingaas
准体材料
半导体光放大器
偏振灵敏度
增益
饱和输出功率
Keywords
compressively
strained
ingaas
quantum wells
tensile strained ingaas quasi bulk layers
semiconductor optical amplifier
polarization sensitivity
gain
saturation output power
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
王书荣
刘志宏
王圩
朱洪亮
张瑞英
丁颖
赵玲娟
周帆
王鲁峰
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
2
宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器
王书荣
王圩
刘志宏
朱洪亮
张瑞英
丁颖
赵玲娟
周帆
田慧良
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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