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高效析氢用花状MoS_(x)Se_(2-x)纳米复合材料的简便合成
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作者 史海燕 汪异 王德志 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第9期2761-2771,共11页
为了解决MoSe_(2)导电性差和活性位点有限的问题,通过简便水热工艺合成具有缺陷的三元MoS_(x)Se_(2−x)纳米片。结果表明,硫元素的引入,不仅提高了其电子转移能力,而且提供了更多的电催化活性位点。因此,优化后S/Se摩尔比为1:1的MoS_(x)S... 为了解决MoSe_(2)导电性差和活性位点有限的问题,通过简便水热工艺合成具有缺陷的三元MoS_(x)Se_(2−x)纳米片。结果表明,硫元素的引入,不仅提高了其电子转移能力,而且提供了更多的电催化活性位点。因此,优化后S/Se摩尔比为1:1的MoS_(x)Se_(2-x)(MoSSe)具有优异的电催化析氢(HER)性能,其Tafel斜率仅为47 mV/dec,在−10 mA/cm^(2)下具有较低的过电位(−165 mV),并且具有良好的耐久性。这项工作为更好地理解多因素调控在设计和合成MoSe_(2)基催化剂以提高其电化学活性方面提供了一条额外的途径。 展开更多
关键词 三元mos_(x)se_(2−x)合金 缺陷 协同效应 电催化剂 析氢
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单层WS_(2x)Se_(2(1-x))合金的制备及其光学性能探究
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作者 高雨轩 丁梦凡 辛星 《物理实验》 2023年第4期9-14,共6页
为了全面理解过渡金属硫族化合物合金成分变化对其带隙及光学性能的影响,通过调控非金属生长源S粉和Se粉的比例,采用化学气相沉积法,制备了一系列具有不同成分的大尺寸单晶WS_(2x)Se_(2(1-x))合金.通过扫描电子显微镜、拉曼光谱、光致... 为了全面理解过渡金属硫族化合物合金成分变化对其带隙及光学性能的影响,通过调控非金属生长源S粉和Se粉的比例,采用化学气相沉积法,制备了一系列具有不同成分的大尺寸单晶WS_(2x)Se_(2(1-x))合金.通过扫描电子显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱等对其形貌、结构及光学性能进行了研究.实验结果表明:单层单晶WS_(2x)Se_(2(1-x))合金成分均匀且具有非线性光学特性.随着合金中非金属S含量的增多,单层WS_(2x)Se_(2(1-x))合金的拉曼峰发生蓝移;且其带隙也随S的增多而逐渐变大,发光和吸收峰位均逐渐蓝移. 展开更多
关键词 二维材料 钨硫硒合金 化学气相沉积 光致发光
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二维MoS_(2(1-x))Se_(2x)特性及其光电晶体管性能
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作者 钱程 巫君杰 +1 位作者 李潇 徐浩 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第4期306-311,347,共7页
表征了MoS_(2(1-x))Se_(2x)样品的Raman光谱和光致发光(PL)谱性质,验证了MoS_(2(1-x))Se_(2x)基于组分和厚度的带隙可调特性,并基于Raman光谱分析了单层及多层样品由于引入Se原子引起的结构变化及光谱特性。此外,受益于单层材料的直接... 表征了MoS_(2(1-x))Se_(2x)样品的Raman光谱和光致发光(PL)谱性质,验证了MoS_(2(1-x))Se_(2x)基于组分和厚度的带隙可调特性,并基于Raman光谱分析了单层及多层样品由于引入Se原子引起的结构变化及光谱特性。此外,受益于单层材料的直接带隙的电子结构,在405 nm激光波长、112.1μW/cm^(2)功率密度光照和0.5 V偏压的条件下,单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)光电探测器响应度最大约为29 A/W,探测率超过4.0×10^(10) Jones,电流开关比约为10^(2)。单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)光电晶体管展示出的优异光电探测性能显示出其在未来光电领域的巨大潜力。 展开更多
关键词 二维材料 光电晶体管 光电探测 过渡金属二硫化物(TMD) mos_(2(1-x))se_(2x)
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SnS_(x)Se_(2-x)单晶纳米片的可控制备与表征
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作者 张国欣 宁博 +3 位作者 赵杨 刘绍祥 石轩 赵洪泉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第4期611-619,共9页
锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnS_(x)Se_(2-x)(x=0,0.2,0.5,0... 锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnS_(x)Se_(2-x)(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnS_(x)Se_(2-x)纳米片进行了综合表征。结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnS_(x)Se_(2-x)单晶纳米片的可控制备。重点研究了依赖于元素百分比的SnS_(x)Se_(2-x)的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnS_(x)Se_(2-x)的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因。本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnS_(x)Se_(2-x)单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案。 展开更多
关键词 SnS_(x)se_(2-x) 化学气相沉积 单晶 纳米片 拉曼光谱 第一性原理 密度泛函理论 三元合金
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Ternary ReS_(2(1-x))Se_(2x) alloy saturable absorber for passively Q-switched and mode-locked erbium-doped all-fiber lasers 被引量:1
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作者 CHENXI DOU WEN WEN +4 位作者 JUNLI WANG MENGYUAN MA LIMING XIE CHING-HWA HO ZHIYI WEI 《Photonics Research》 SCIE EI CSCD 2019年第3期283-288,共6页
We report Q-switched and mode-locked erbium-doped all-fiber lasers using ternary ReS_(2(1-x))Se_(2x) as saturable absorbers(SAs). The modulation depth and saturable intensity of the film SA are 1.8% and 0.046 MW∕cm2.... We report Q-switched and mode-locked erbium-doped all-fiber lasers using ternary ReS_(2(1-x))Se_(2x) as saturable absorbers(SAs). The modulation depth and saturable intensity of the film SA are 1.8% and 0.046 MW∕cm2.In Q-switched mechanism output, the pulse was centered at 1531.1 nm with maximum pulse energy and minimum pulse width of 28.29 nJ and 1.07 μs, respectively. In mode-locked operation, the pulse was centered at1561.15 nm with pulse width of 888 fs, repetition rate of 2.95 MHz, and maximum pulse energy of 0.275 nJ. To the best of our knowledge, this is the first report on the mode-locked Er^(3+)-doped fiber laser using ternary transition metal dichalcogenides. This work suggests prospective 2 D-material SAs can be widely used in versatile fields due to their attractive optoelectronic and tunable energy bandgap properties. 展开更多
关键词 ternary ReS2(1-x)se2x alloy saturable absorber MODE-LOCKED ERBIUM-DOPED all-fiber lasers Q-switched
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单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的合成及MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)场效应晶体管的光电特性 被引量:3
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作者 张佩茹 刘欢 +1 位作者 胡加兴 邓立儿 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第16期177-185,共9页
二硫化钼的合金化/掺杂是探索二维材料在微电子器件中潜在应用的一种新途径。使用化学气相沉积法,并利用氯化钠辅助生长,通过调节硫粉和硒粉的质量比,在SiO_(2)/Si衬底上获得了6种不同组分的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金,光致发光峰位置... 二硫化钼的合金化/掺杂是探索二维材料在微电子器件中潜在应用的一种新途径。使用化学气相沉积法,并利用氯化钠辅助生长,通过调节硫粉和硒粉的质量比,在SiO_(2)/Si衬底上获得了6种不同组分的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金,光致发光峰位置在678(~1.83 eV)~813 nm(~1.53 eV)范围内变化。连续生长的大面积单层MoS2(1-x)Se_(2x)(x=0.25)合金的横向尺寸可达到200μm。为了研究MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的光电特性,使用了大面积生长的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)合金制备了场效应晶体管。光电测试结果表明,520 nm激光照射下的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)场效应晶体管响应度达到了940 mA·W^(-1),检测率为5.32×10^(10)cm·Hz^(1/2)·W^(-1),快速响应时间为8 ms。 展开更多
关键词 材料 硫硒化钼 化学气相沉积 过渡金属硫族化合物 带隙可调 场效应晶体管
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Controlled growth of transition metal dichalcogenide via ther-mogravimetric prediction of precursors vapor concentration 被引量:1
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作者 Long Fang Shaohua Tao +6 位作者 Zhenzhen Tian Kunwu Liu Xi Li Jiang Zhou Han Huang Jun He Xiaoming Yuan 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2021年第8期2867-2874,共8页
Transition metal dichalcogenide(TMD)alloys and heterostructures are attracting increasing attention thanks to their unique electronic,optical,and interfacial properties.However,the growth fundamental of TMD alloys and... Transition metal dichalcogenide(TMD)alloys and heterostructures are attracting increasing attention thanks to their unique electronic,optical,and interfacial properties.However,the growth fundamental of TMD alloys and heterostructures during one-step growth is still beyond understanding.Here,thermogravimetric(TG/DTG)technology is introduced to predict the evolution of the precursor(MoO_(3)and WO_(3))concentration in the vapor during growth.We establish the correlation between precursor concentration and the corresponding growth behavior.TG/DTG predication suggests that tuning precursor temperature and powder ratio can alter their concentration in the vapor,well explaining the formation of Mo_(x)W_(1-x)Se_(2) alloy or MoSe_(2)-WSe_(2) heterostructure at different growth conditions.Based on the TG/DTG analysis,we further design and grow a complex MoSe_(2)-Mo_(x)W_(1-x)Se_(2)-WSe_(2) heterostructure and Mo_(x)W_(1-x)Se_(2) monolayer alloys,confirming the validity of TG/DTG prediction in TMD crystal synthesis.Thus,employing TG/DTG to predict the synthesis of two-dimensional materials is of importance to understand the TMD growth behavior and provide guidance to the desired TMD heterostructure formation for future photoelectric devices. 展开更多
关键词 TG/DTG Mo_(x)W_(1-x)se_(2)alloys mose_(2)-Wse_(2)lateral heterostructures precursor concentration
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