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Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器特性
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作者 袁兆林 许庆鹏 +3 位作者 谢志文 何剑锋 游胜玉 汪雪元 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期116-124,共9页
采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向... 采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向生长,形成良好取向阵列。并且用这些Al掺杂ZnO纳米线阵列作为光敏层,制备了五种紫外光探测器,系统研究了器件性能。经分析,所有器件对365 nm紫外光表现出良好响应。1%Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器具有最佳性能,在365 nm波长处,该探测器响应度、比探测率、灵敏度、外量子效率、响应时间和衰减时间分别为6180 mA/W、1.51×10^(12)Jones、83.2、6090%、4.12 s和14.45 s。该研究证实在ZnO纳米线阵列中进行适量Al掺杂,可有效提高其紫外光探测器性能。 展开更多
关键词 紫外光探测器 氧化锌 al掺杂 掺杂浓度 水热法 光响应
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Design,preparation,and characterization of a novel ZnO/CuO/Al energetic diode with dual functionality:Logic and destruction
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作者 Jialu Yang Jiaheng Hu +3 位作者 Yinghua Ye Jianbing Xu Yan Hu Ruiqi Shen 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期57-68,共12页
Self-destructing chips have promising applications for securing data.This paper proposes a new concept of energetic diodes for the first time,which can be used for self-destructive chips.A simple two-step electrochemi... Self-destructing chips have promising applications for securing data.This paper proposes a new concept of energetic diodes for the first time,which can be used for self-destructive chips.A simple two-step electrochemical deposition method is used to prepare ZnO/CuO/Al energetic diode,in which N-type ZnO and P-type CuO are constricted to a PN junction.This paper comprehensively discusses the material properties,morphology,semiconductor characteristics,and exploding performances of the energetic diode.Experimental results show that the energetic diode has typical rectification with a turn-on voltage of about 1.78 V and a reverse leakage current of about 3×10^(-4)A.When a constant voltage of 70 V loads to the energetic diode in the forward direction for about 0.14 s or 55 V loads in the reverse direction for about 0.17 s,the loaded power can excite the energetic diode exploding and the current rises to about100 A.Due to the unique performance of the energetic diode,it has a double function of rectification and explosion.The energetic diode can be used as a logic element in the normal chip to complete the regular operation,and it can release energy to destroy the chip accurately. 展开更多
关键词 Energetic diode zno—CuO—al thermite zno/CuO PN junction Electrical explosion performance Self-destructing chips
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通过不同热挤压方式制备具有较优强塑性组合的新型Mg-5Sn-2Al-1Zn合金
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作者 石凤健 朴南瑛 +6 位作者 王冀恒 谭昊天 郭宇航 杨飞 陈书锦 芦笙 王泽鑫 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期2120-2137,共18页
制备新型Mg-5Sn-2Al-1Zn(TAZ521)合金。为提高合金的强度与塑性,采用正挤压(DE)和挤压-剪切(ES)两种工艺对该合金进行变形处理。通过XRD、SEM、TEM、EBSD和拉伸试验等方法研究均匀态和挤压态合金的显微组织演变、织构演变及强化机制。... 制备新型Mg-5Sn-2Al-1Zn(TAZ521)合金。为提高合金的强度与塑性,采用正挤压(DE)和挤压-剪切(ES)两种工艺对该合金进行变形处理。通过XRD、SEM、TEM、EBSD和拉伸试验等方法研究均匀态和挤压态合金的显微组织演变、织构演变及强化机制。结果表明,正挤压态合金的力学性能得到改善;然而,合金表现出由粗晶和细小动态再结晶(DRXed)晶粒组成的双峰组织。经过挤压-剪切变形后的合金组织变得更加均匀,并且实现更好的强韧性结合,变形后合金的屈服强度(YS)、极限抗拉强度(UTS)和伸长率(EL)分别达到212 MPa、303 MPa和21.7%。晶粒细化和Mg2Sn析出物的钉扎效应对强度的提高起到重要作用,此外,延展性的提高归因于基面纤维织构的弱化和非基面滑移系的激活。 展开更多
关键词 Mg-Sn-al-Zn合金 挤压-剪切 晶粒细化 力学性能 织构演变
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ZnO∶(Al,La)/纤维素气凝胶/涤棉织物红外隐身复合材料的制备及性能 被引量:1
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作者 王益敏 张琳萍 +2 位作者 钟毅 徐红 毛志平 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期275-279,共5页
以纤维素纳米纤维(CNF)为原料合成了纤维素凝胶,将纤维素凝胶平铺在涤棉织物上,低温冷冻再高温干燥得到纤维素气凝胶复合涤棉的隔热材料。采用溶胶-凝胶法合成了低发射率掺杂铝、镧的氧化锌粉末[ZnO∶(Al,La)],球磨后制成涂料,粘附在纤... 以纤维素纳米纤维(CNF)为原料合成了纤维素凝胶,将纤维素凝胶平铺在涤棉织物上,低温冷冻再高温干燥得到纤维素气凝胶复合涤棉的隔热材料。采用溶胶-凝胶法合成了低发射率掺杂铝、镧的氧化锌粉末[ZnO∶(Al,La)],球磨后制成涂料,粘附在纤维素气凝胶/涤棉表面形成涂层,得到了低发射率兼具隔热性能的红外隐身复合材料ZnO∶(Al,La)/纤维素气凝胶/涤棉。通过IR-2双波段发射率测试仪研究了不同ZnO∶(Al,La)涂层厚度对复合材料发射率的影响,通过红外热像仪对复合材料的持续隐身性能进行了表征。结果表明:当涂层厚度为400μm时,发射率最低为0.673;纤维素气凝胶厚度为4mm的复合材料可维持90min的红外隐身效果,在红外隐身领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 掺铝、镧氧化锌 纤维素气凝胶 隔热 低发射率 红外隐身
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Reactive adsorption of thiophene on Ni/ZnO adsorbent:Effect of ZnO textural structure on the desulfurization activity 被引量:15
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作者 Jingcheng Zhang Yunqi Liu Shuang Tian Yongming Chai Chenguang Liu 《Journal of Natural Gas Chemistry》 EI CAS CSCD 2010年第3期327-332,共6页
To better understand the nature of reactive adsorption of thiophene on Ni/ZnO adsorbent,the effect of ZnO textural structure on the desulfurization activity was investigated.ZnO materials were synthesized by low-tempe... To better understand the nature of reactive adsorption of thiophene on Ni/ZnO adsorbent,the effect of ZnO textural structure on the desulfurization activity was investigated.ZnO materials were synthesized by low-temperature solid-state reaction and the corresponding Ni/ZnO adsorbents were prepared by incipient impregnation method.The analysis results showed that the crystalline sizes of ZnO as-synthesized as well as the BET surface areas varied obviously with the calcination temperature.The activity evaluations indicated that the Ni/ZnO adsorbents prepared with ZnO possessed a favorable textural structure as active component exhibited good activity of removing thiophene.The evolutions of the main crystalline phases of Ni/ZnO adsorbents before and after reaction confirmed that ZnO played a crucial role in taking up S element and converting it into ZnS in the reactive adsorption process.It was concluded that ZnO with larger surface area and smaller crystal particles resulted in better desulfurization activity,which may be the main reason for the different activities of the Ni/ZnO adsorbents prepared with ZnO calcined at different temperatures. 展开更多
关键词 Ni/zno reactive adsorption textural structure low-temperature solid-state reaction THIOPHENE
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淬火冷却方式及宏观取向对Al-Zn-Mg-Cu合金力学性能的影响
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作者 刘景新 朱士泽 +1 位作者 肖伯律 马宗义 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期124-132,共9页
以7050铝合金为研究对象,研究热处理状态(空冷时效与水冷时效)和宏观取向(与轧制方向成0°,45°,90°)耦合作用对合金力学性能的影响。结果表明:水冷时效态的样品中析出相细小均匀弥散,晶界无析出带较窄。在空冷时效态下,... 以7050铝合金为研究对象,研究热处理状态(空冷时效与水冷时效)和宏观取向(与轧制方向成0°,45°,90°)耦合作用对合金力学性能的影响。结果表明:水冷时效态的样品中析出相细小均匀弥散,晶界无析出带较窄。在空冷时效态下,过饱和的溶质不仅会以半共格的Al3Zr为核心形成粗大析出相,还会沿位错大量析出。此外,与水冷时效态相比,空冷时效态晶界相尺寸大幅增加,晶界无析出带显著宽化,不同宏观取向样品的强度和伸长率都明显下降。宏观取向对两种状态样品强度的差值影响较小,但对伸长率的差值影响较大。当拉伸方向与轧制方向成45°方向时,空冷诱导的伸长率下降幅度最小;当拉伸方向与轧制方向成90°时,下降幅度最大。 展开更多
关键词 al-ZN-MG-CU合金 析出相 淬火敏感性 织构
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末道次冷轧变形量对Al-Mg-Si-Cu合金织构和力学性能的影响
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作者 邱铨强 吴蔚 +3 位作者 袁悠悠 王茹 翁瑶瑶 吴萌 《材料热处理学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期62-69,共8页
通过X射线衍射、电子背散射衍射技术和拉伸测试等研究了末道次冷轧变形量对汽车车身板用Al-Mg-Si-Cu合金板材织构、晶粒形貌和力学性能的影响。结果表明:在成分和冷轧后固溶处理工艺相同的情况下,织构是决定Al-Mg-Si-Cu合金板材力学性... 通过X射线衍射、电子背散射衍射技术和拉伸测试等研究了末道次冷轧变形量对汽车车身板用Al-Mg-Si-Cu合金板材织构、晶粒形貌和力学性能的影响。结果表明:在成分和冷轧后固溶处理工艺相同的情况下,织构是决定Al-Mg-Si-Cu合金板材力学性能的主要因素。晶粒尺寸最大的33%试样反而获得了最高的抗拉强度和较低的屈强比。这是因为减小末道次冷轧变形量可以降低固溶及预时效处理状态下板材Cube和Cube+ND_(20)织构的含量,从而减少立方型织构对板材强度的损害。而末道次大变形量冷轧会促进再结晶时Copper、S和Brass织构向Cube和Cube+ND_(20)织构的转变,并抑制S织构转变成R织构,在实际生产中应当避免。 展开更多
关键词 al-MG-SI-CU合金 冷轧 变形量分配 织构
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Light scattering effect of submicro-textured Ag/Al composite films prepared at lower substrate temperatures
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作者 唐平林 吴永刚 +4 位作者 童广德 夏子奂 刘仁臣 梁钊铭 周建 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第7期590-595,共6页
We present a new and practical approach for preparing submicro-textured silver and aluminum (Ag/Al) double-structured layers at low substrate temperatures. The surface texturing of silver and aluminum double-structu... We present a new and practical approach for preparing submicro-textured silver and aluminum (Ag/Al) double-structured layers at low substrate temperatures. The surface texturing of silver and aluminum double-structured layers was performed by increasing the deposition temperature of the Al layers to 270℃. The highly submicro-textured silver and aluminum double-structured layers were prepared by thermal evaporation on quartz glasses and their surface microstructure, light scattering properties, and thermal stability were investigated. Results showed that the highly submicro-textured Ag/Al composite films prepared at low substrate temperatures used as back reflectors not only can enhance the light scattering and have good thermal stability, but also have good adhesion properties. In addition, their fabrication is low cost and readily carried out. 展开更多
关键词 random submicro-textured Ag/al composite films light scattering
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溶胶-凝胶法制备的ZnO:Al薄膜的微观结构及光学、电学性能 被引量:18
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作者 周宏明 易丹青 +3 位作者 余志明 肖来荣 李荐 王斌 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期505-510,共6页
采用溶胶-凝胶法制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计 (UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置,考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响.结果表明,退火... 采用溶胶-凝胶法制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计 (UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置,考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响.结果表明,退火温度越高,多晶AZO薄膜的(001)晶面择优取向生长的趋势越强,并且随退火温度升高,薄膜的晶粒尺寸增大,透光率增加.薄膜晶体结构为纯ZnO的六角纤锌矿结构.在掺杂浓度1%(摩尔分数)、退火温度500℃及镀膜层数10的条件下,得到了电阻率为3.2×10-3Ω·cm、可见光区的平均透射率超过90%的AZO薄膜. 展开更多
关键词 zno:al(AZO)薄膜 溶胶-凝胶法 微观结构 光学 电学性能
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透明导电薄膜ZnO:Al(ZAO)的性能及其在有机发光二极管中的应用 被引量:9
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作者 曹鸿涛 裴志亮 +4 位作者 孙超 黄荣芳 闻立时 白峰 邓振波 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期332-336,共5页
研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性.结果表明,多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有(002)面择优取向, c轴晶格常数大于0.52000 nm;ZAO薄膜不同微区之问的成分不均匀导致了电学性能的不均匀; ZAO薄膜的电阻率和在可... 研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性.结果表明,多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有(002)面择优取向, c轴晶格常数大于0.52000 nm;ZAO薄膜不同微区之问的成分不均匀导致了电学性能的不均匀; ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4 Ω·cm和80.8%.其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳极的有机发光二极管的发射光谱,在5.38 A/m2电流密度下二极管的发光效率大于2 cd/A. 展开更多
关键词 zno:al薄膜 电学 光学性能 电致发光 有机发光二极管
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气溶胶辅助化学气相沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜 被引量:9
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作者 秦秀娟 韩司慧智 +2 位作者 赵琳 左华通 宋士涛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期607-612,共6页
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%~8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具... 采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%~8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具有纤锌矿结构,不具有沿c轴方向的择优取向,XRD图谱中未观察出Al的相关分相.在可见光范围内,AZO薄膜的平均透过率大于72%,光学禁带宽度随Al掺杂量的增加而变窄.同时根据四探针技术所得的数据得知:Al的掺杂导致薄膜方块电阻的变化,随着Al掺杂量的增加,方块电阻有明显变小的现象,掺杂6at%Al的AZO薄膜具有最低方块电阻(18Ω/□). 展开更多
关键词 气溶胶 化学气相沉积法 al:zno 透明导电薄膜
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孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究 被引量:10
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作者 李微 孙云 +2 位作者 何青 刘芳芳 李凤岩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期761-764,815,共5页
本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制... 本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点。ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω.cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(C IS)薄膜太阳电池窗口层。 展开更多
关键词 孪生对靶 磁控溅射 zno:al
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ZnO:Al绒面透明导电薄膜的制备及分析 被引量:9
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作者 薛俊明 黄宇 +4 位作者 熊强 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期701-705,共5页
利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄... 利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄膜的结构特性以及衬底温度、溅射功率和腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 中频脉冲磁控溅射 zno:al(ZAO)薄膜 绒面结构
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背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器 被引量:13
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作者 赵延民 张吉英 +7 位作者 张希艳 单崇新 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期527-530,共4页
设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明:Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于... 设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明:Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于该探测器是一种垂直结构器件,对于进一步实现ZnO紫外探测器阵列及单光子探测有很好的研究价值。 展开更多
关键词 紫外探测器 背入射 Au/zno/al垂直结构
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膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响 被引量:12
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作者 袁玉珍 王辉 +2 位作者 张化福 刘汉法 刘云燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期169-173,共5页
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜... 采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。当薄膜厚度为843nm时,电阻率具有最小值1.18×10-3Ω.cm,在可见光区(500~800nm)平均透过率超过93%。 展开更多
关键词 磁控溅射 Zr al共掺杂zno 膜厚 透明导电薄膜
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掺Al对ZnO薄膜结构和光电性能的影响 被引量:9
16
作者 徐自强 邓宏 +1 位作者 谢娟 李燕 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期503-507,共5页
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐... 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐减弱。薄膜电阻率随掺Al浓度变化,当掺Al浓度为1.5%(摩尔分数),薄膜电阻率降至6.2×10-4Ω·cm。掺Al量的增加同时使得薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移现象。 展开更多
关键词 zno薄膜 溶胶-凝胶法 al掺杂 光学特性 电学特性
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N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性 被引量:11
17
作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期730-734,共5页
利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N A... 利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%. 展开更多
关键词 N—al共掺zno薄膜 P型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射
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Al掺杂四针状ZnO纳米结构的制备及其光致发光和场发射特性 被引量:6
18
作者 周雄图 曾祥耀 +1 位作者 张永爱 郭太良 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1424-1429,共6页
采用热蒸发法成功制备了Al掺杂四针状ZnO纳米结构(T-AZO),利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、荧光光谱仪和场发射测试系统分别研究了不同Al摩尔分数对T-AZO纳米结构表面形貌、微结构、光致发光谱和场发射特性的影响。实验结果表明:T-AZ... 采用热蒸发法成功制备了Al掺杂四针状ZnO纳米结构(T-AZO),利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、荧光光谱仪和场发射测试系统分别研究了不同Al摩尔分数对T-AZO纳米结构表面形貌、微结构、光致发光谱和场发射特性的影响。实验结果表明:T-AZO纳米结构呈现六角纤锌矿结构,Al掺杂对四针状ZnO纳米结构的形貌产生明显影响并且使紫外发射峰产生蓝移。实验中,当Al掺杂摩尔分数为3%时,场发射性能最好,其开启场强为1.33 V/μm,场增强因子为8 420。 展开更多
关键词 四针状zno al掺杂 热蒸发 光致发光 场致发射
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用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极 被引量:7
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作者 薛俊明 孙建 +6 位作者 任慧志 刘云周 段苓伟 周祯华 张德坤 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1283-1287,共5页
本文首先在低温(140℃)和低功率下采用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO:Al透明导电膜。然后在单结(glass/SnO2/pin/)或双结(glass/SnO2/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70-100nm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发... 本文首先在低温(140℃)和低功率下采用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO:Al透明导电膜。然后在单结(glass/SnO2/pin/)或双结(glass/SnO2/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70-100nm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发法沉积Al电极。实验获得了较好的n^+/ZnO界面,实现了ZnO/Al背电极的增反作用,使电池的短路电流增加1-3mA/cm^2,光电转化效率提高1—3%(绝对效率),小面积电池效率达到9.5%。 展开更多
关键词 非晶硅电池 zno/al复合背电极 背反射 短路电流 转换效率
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Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性 被引量:4
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作者 余萍 邱东江 +2 位作者 樊瑞新 施红军 吴惠桢 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1873-1877,共5页
用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x... 用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x≤0.02)的靶材生长得到的Al掺杂ZnO薄膜仍具有高度c-轴取向的纤锌矿晶体结构,但随着薄膜中Al掺入量的增加,其c-轴取向性有所退化;Raman光谱测量表明,Al掺杂ZnO薄膜的本征内应力随着Al掺入量的增加而增大,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜中Al和Zn的原子个数比为6∶94,此时薄膜的内应力已接近饱和;Al掺杂ZnO薄膜的电阻率随着Al掺入量的增加呈现先减小后增大的特征,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜具有最小的电阻率(7.85×10-4Ω.cm),这归因于该类薄膜同时具有高电子浓度(1.32×1021cm-3)和较高的电子迁移率(6.02 cm2/(V.s)). 展开更多
关键词 zno薄膜 al掺杂 微结构 电学特性
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