MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究

利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。

SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变

用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的C-V特性发生畸变.文中通过求解泊松方程,用解析的方法分析了这种畸变发生的物理机理,并对栅电容进行了计算,计算结果与实验结果符合得很好.

GaN基MFS结构C-V特性研究

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性。阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好。采用PZT铁电薄膜作为GaN基MFS结构的栅介质,利用其高介电常数和较强的极化电场可以显著降低GaN基MFS器件的工作电压。

难熔固体MX(M=Sc,Ti,V;X=C,N,O)电子结构和力学性质的密度泛函研究

采用密度泛函方法对 MX( M=Sc,Ti,V;X=C,N,O)固体的体相电子结构和力学性质进行了系统研究 .计算结果表明 ,对于金属原子相同的同一系列化合物 ,氮化物具有最大的体模量 ;进一步的研究可知 ,随着外界压力的增大 ,化合物由 Na Cl构型向 Cs Cl构型转变由易到难的顺序依次是氧化物、氮化物和碳化物 .本文还首次用密度泛函方法系统地计算了各化合物的能带结构和态密度 ,并对该类型化合物的导电性能进行了探讨 .

溶胶-凝胶法制备Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5薄膜及GaN MIS结构C-V特性

采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MISFET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaNMIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.

熔凝玻璃薄膜的形成及其C-V特性

报道了在成功地研制彩色电视机用的高反压大功率晶体管钝化玻璃粉的基础上 ,摸索了采用电泳涂覆技术以形成一定厚度的高质量熔凝玻璃薄膜的方法 ,用差热分析 (DTA)技术确定了玻璃粉的软化温度、烧结温度分别为 5 90和 6 80℃。用X射线衍射 (XRD)和光电子能谱 (XPS)对薄膜的物相和组份进行了分析 ,同时 ,将熔凝玻璃薄膜做成金属 绝缘体 半导体 (MIS)结构 ,对样品进行了C V特性测量 ,固定电荷密度为 1 4× 10 10 cm-2 ,可动离子数为 1 2× 10 11cm-2 。

HCV结构基因腺病毒表达载体骨架质粒pAd.HCV-S的构建、鉴定及表达

目的：构建能表达HCV结构基因(C+E1+E2)的腺病毒表达载体的重组骨架质粒,为进一步包装能高效表达HCV结构基因的腺病毒载体做准备. 方法：用分别含有BglⅡ及HindⅢ酶切位点的HCV结构基因上、下游引物,以含有HCV H株基因序列的质粒pBRTM/HCV1-3011为模板,通过PCR扩增获得HCV结构基因片段,基因片段回收后,以BglⅡ及HindⅢ双酶切,定向插入到腺病毒骨架质粒pAd.CMV-Link.1中CMV启动子下游BglⅡ与HindⅢ位点之间,获得重组表达质粒pAd.HCV-S.通过Bgl Ⅱ/HindⅢ双酶切、PCR及插入片段序列测定对质粒进行了鉴定.以抗HCV C单克隆抗体为一抗,利用间接免疫荧光法检测了pAd.HCV-S在人肝癌细胞7721中的瞬时表达. 结果：酶切、PCR及测序鉴定证实,pAd.HCV-S插入片段为HCV C+E1+E2区基因片段,免疫荧光法检测表明其可以在7721细胞中瞬时表达. 结论：构建的质粒pAd.HCV-S可以表达HCV结构基因,为包装表达HCV结构基因的腺病毒载体奠定了基础.

SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．

An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．

胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性

通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。

YG8硬质合金表面的C+V双离子注入研究

为了增强YG8硬质合金的性能,应用金属蒸汽真空弧离子源在其表面进行了几种不同剂量的C+V双离子注入处理.通过金相显微镜、X射线衍射以及拉曼光谱等方法,对注入试样表面进行了结构表征和分析.实验结果表明:注入后硬质合金表面有C、VC和V7O3等新相生成,且C+V双离子注入对形成类金刚石结构有积极地促进作用;此外,还发现了样品表面的硬度、摩擦系数以及防腐蚀能力等性能均得到明显的改善.分析认为,硬质合金表面的C+V双离子注入改性,不仅受到了新相生成的的影响,而且与注入本身的机制相关.

MOS结构准静态测试中的异常C-V曲线

本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。

MOS结构界面性质的变频C-V研究

本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。

用L-B膜实现MIS结构的C-V特性研究

测定了多种具有金属／L－B膜绝缘层／半导体（Si）结构的纳米厚度有机功能膜的C－V特性．研究发现C－V特性受到L－B膜的分子组分和氧化膜厚度的影响．

对《L-B膜绝缘层》在常温下的CV特性研究

测定了多种具有金属／Ｌ－Ｂ膜绝缘层／半导体（Ｓｉ）结构的纳米厚度有机功能膜的Ｃ－Ｖ特性。

能性式“VO不C”的结构来源:重新分析

“VO不C”(推之不动)形式由表结果到表能力,其句法结构的演变机制在历时句法研究中仍属未解之谜。文章基于生成语法理论的“重新分析致变论”,发现能性式“VO不C”是由述补型连动式重新分析而来,重新分析的过程是在历时传递中下一代人将上一代人的连动式错误地理解为能性式,重新分析的关键是句法上的“时空要素”在两代人的历时传递中发生重新组合,由实然的连动式重新分析为非实然的能性式,语义上原来按照时序依次呈现的因果两个事件变成“断言”之下时空折叠中的单一事件。这一分析,既可以解释“VO不C”能性式的句法生成机制,也可以推演解释不能发生重新分析的各类现象,以及连动式不可句法内嵌、能性式可内嵌的现象等。

“V-得-C”结构中“得”字的省略

"V-得-C"结构中"得"字一般被学术界认为是结构助词,此助词主要用于连接述补结构中的述语和宾语。"V-得-C"结构中"C"有多种分类,"得"字其中一类是可以省略的包括两种情况:省略后意思不变;省略后意思发生变化;另一类是不能省略,各种出现情况均有条件和规律。

构式化理论视域下述补结构“V得C”的来源考察

现代汉语中,常见的述补结构可分为两种:粘合式述补结构和组合式述补结构。其中,组合式述补结构“V得C”源于古汉语中动词与“得”相结合形成的“V得O”结构。“V得O”结构形成之后经历了一系列构式演变。从与获得义动词结合到与非获得义动词结合,从开放其宾语位置纳入带有补充作用的体词性成分再到纳入动词、主谓短语、形容词等谓词性成分,“V得O”结构最终得以构式化为述补结构“V得C”,其演变机制背后有着复杂的演变动因,包括语义背景、句法环境以及“V得C”结构与致使图式的错配。从构式化角度,我们仍然可以认为,述补结构“V得C”萌芽于南北朝时期,在唐代正式产生。

N对V-微合金化钢15MnVq的组织和性能的影响

通过100kg真空感应炉,分别添加V-N合金和V-Fe合金熔炼成15MnVNq钢(%:0.15C、1.71Mn、0.11V、0.019 ON)和15MnVq钢(%:0.15C、1.72Mn、0.11V、0.003 3N),并轧制成14 mm钢板。试验结果表明,15MnVq钢中加入0.019%的N促进V(C,N)析出和明显细化钢的组织,钢的屈服和抗拉强度分别由393 MPa和578 MPa提高至510 MPa和660 MPa,-20℃冲击功A_(KV)由21.9 J提高到101.8J;同时加N后明显降低了15MnVq钢的时效敏感性。