超长β-Ga_2O_3纳米线的合成

采用溶剂热法以二甲苯作为溶剂,NaN3作为氮源,GaCl3作为镓源,合成GaN为中间产物,进而以空气为氧源来合成Ga2O3,反应温度为350℃。热处理后,成功得到了-βGa2O3超长纳米线,通过X射线衍射(XRD)、红外射线(IR)、透射电子显微(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨率的透射电镜(HRTEM)、光致发光(PL)、X射线荧光光谱(EdX)等表征发现,所得-βGa2O3超长纳米线是沿着[00 1]晶向自堆垛生长的,PL研究表明,氧化镓主要有两个强的发射峰,分别在416 nm和580 nm处(λ发射=250 nm)。