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Thermal Resistance Testing Technology Research of Integration High Power-LED 被引量:1
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作者 Ping Xue Chang-Hong Jia +1 位作者 Xu-Sheng Wang Hao Sun 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2013年第2期106-110,共5页
In this paper,high-power LED with many integrated chips is used as thermal resistance analysis research object, and we do thermal resistance testing technology research on it. We put forward the thermocouple point con... In this paper,high-power LED with many integrated chips is used as thermal resistance analysis research object, and we do thermal resistance testing technology research on it. We put forward the thermocouple point contact test method. According to the principle that LED forward voltage changes with temperature,LED heat sink to surface temperature distribution is studied directly in the test,and then we analyze the thermal resistance of high-power LED with many integrated chips when its secondary packaging is introduced. This method makes the measurement of thermal resistance of LED more rapid and convenient. It provides an effective assessment method for the analysis of high power LED device design and engineering application. 展开更多
关键词 thermal resistance junction temperature integrated high power LED COOLING
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A Detailed Thermal Resistance Network Analysis of FCBGA Package
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作者 DANG Hao LU Yang +4 位作者 DU Yanzheng ZHANG Xiu ZHANG Qian MA Weigang ZHANG Xing 《Journal of Thermal Science》 SCIE EI CSCD 2024年第1期18-28,共11页
Using thermal models to describe the heat dissipation process of FCBGA is a significant topic in the field of packaging.However,the thermal resistance model considering the structure of each part of the chip is still ... Using thermal models to describe the heat dissipation process of FCBGA is a significant topic in the field of packaging.However,the thermal resistance model considering the structure of each part of the chip is still ambiguous and rare,but it is quite desirable in engineering.In this work,we propose a detailed thermal resistance network model,and describe it by using thermal conduction resistance and thermal spreading resistance.For a striking FCBGA case,we calculated the thermal resistance of each part of the structure according to the temperature field simulated by COMSOL.The thermal resistance network can be used to predict the temperatures in the chip under different conditions.For example,when the power changes by 40%,the relative error of junction temperature prediction is only 0.24%.The function of the detailed thermal resistance network in evaluating the optimization space and determining the optimization direction is clarified.This work illustrates a potential thermal resistance analysis method for electronic devices such as FCBGA. 展开更多
关键词 FCBGA package thermal resistance network thermal spreading resistance junction temperature
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双芯片功率器件TO-3封装结壳热阻的优化 被引量:1
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作者 潘宇航 潘开林 +2 位作者 刘岗岗 谢炜炜 隋晓明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期713-721,共9页
为改善功率器件封装散热性能,基于ANSYS Icepak热仿真软件,以结壳热阻为双芯片功率器件TO-3封装的优化指标,针对器件封装中芯片衬底厚度、芯片间距、焊料层厚度、焊料层面积、焊料层材料、散热基片厚度与散热基片材料7种影响封装热阻的... 为改善功率器件封装散热性能,基于ANSYS Icepak热仿真软件,以结壳热阻为双芯片功率器件TO-3封装的优化指标,针对器件封装中芯片衬底厚度、芯片间距、焊料层厚度、焊料层面积、焊料层材料、散热基片厚度与散热基片材料7种影响封装热阻的因素,利用正交实验与影响因素规律分析了各因素对结壳热阻的显著性影响。结果显示使用BeO基片与Au80Sn20焊料结壳热阻最小,且BeO基片越厚,结壳热阻越小,而焊料对结壳热阻影响较小。其次芯片间距越大对热阻的降低越显著,衬底厚度对热阻影响也呈现显著性。最后利用响应面分析法得到结壳热阻最小的最优设计组合,最优组合下的热阻为1.012℃/W,相比于优化前热阻(1.53℃/W)降低了33.9%,较大程度上提高了器件的散热效率。 展开更多
关键词 功率器件 结壳热阻 to-3封装 正交实验 响应面分析
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Investigation on Effect of Radial and Extended Fins in PCM Heat Sink for LED Cooling
4
作者 Thangamani Ramesh Ayyappan Susila Praveen +2 位作者 Praveen Bhaskaran Pillai Sachin Salunkhe J.Paulo Davim 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 CAS 2023年第5期89-98,共10页
This work focuses on the efficiency of the LED acting as the heat sink containing Phase Change Material(PCM). Three different heat sink configurations(H-1, H-2, and H-3) are used in this study. Input power and the num... This work focuses on the efficiency of the LED acting as the heat sink containing Phase Change Material(PCM). Three different heat sink configurations(H-1, H-2, and H-3) are used in this study. Input power and the number of fins are altered to find their effect on junction temperatures, luminous flux, and thermal resistance. The junction temperature of heat sink H-3 with PCM decreased by 3.1 % when compared with heat sink devoid of PCM at 10 W. The thermal resistance of the heat sink H-3 is reduced by 18.2 % when compared to its counterpart devoid of PCM at 10 W. The luminous flux of the PCM filled heat sink H-3 is found to increase by 12.15 % against the PCM not filled heat sink H-1 at 10 W. The H-3 heat sink with PCM showed superior performance because of the enhanced natural convection and conduction in bulk PCM with fins, and with added high latent heat capacity of PCM. 展开更多
关键词 LED phase change material thermal resistance junction temperature luminous flux
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器件热阻随测试结温变化规律研究
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作者 吕贤亮 李旭 侯小利 《信息技术与标准化》 2024年第4期62-65,共4页
为探究半导体分立器件电学法热阻测试时器件结温与热阻的变化规律,开展了基于热阻测试实验分析。详细介绍了热阻测试程序和典型热阻测试电路,并对4款典型VDMOS器件开展热阻测试,结合器件结构特性、热响应曲线和微观导热理论中声子导热... 为探究半导体分立器件电学法热阻测试时器件结温与热阻的变化规律,开展了基于热阻测试实验分析。详细介绍了热阻测试程序和典型热阻测试电路,并对4款典型VDMOS器件开展热阻测试,结合器件结构特性、热响应曲线和微观导热理论中声子导热系数与温度关系,研究获得器件热阻与结温的变化规律。通过热阻与结温的正相关性规律,有效提升器件在老炼和实际工况下结温计算的准确性。 展开更多
关键词 半导体分立器件 电学法热阻 结温 导热系数
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考虑水冷回路的晶闸管换流阀热阻模型建模
6
作者 蒋张威 廖彦铭 +2 位作者 傅孝韬 张智勇 郎作云 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期38-45,共8页
结合晶闸管串联水冷回路机构,建立了考虑水冷回路的晶闸管换流阀热阻模型。该模型能够计算出各散热器进水口处的水温,并在此基础上对各级晶闸管的结温进行计算。利用所建模型对换流阀中各组件的热阻进行算例计算;建立稳态热阻模型,对晶... 结合晶闸管串联水冷回路机构,建立了考虑水冷回路的晶闸管换流阀热阻模型。该模型能够计算出各散热器进水口处的水温,并在此基础上对各级晶闸管的结温进行计算。利用所建模型对换流阀中各组件的热阻进行算例计算;建立稳态热阻模型,对晶闸管结温进行计算。结果表明,考虑水冷回路中冷却液水温差异前后,晶闸管结温计算结果的误差最高可达到10.81%。 展开更多
关键词 晶闸管 水冷回路 热阻 结温计算
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GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型
7
作者 郜佳佳 游恒果 +1 位作者 李静强 舒国富 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期380-387,共8页
GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,... GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,引入了位置矫正因子矩阵和耦合系数矩阵,并通过加栅窗的方式建立了芯片近结区的热阻解析模型。该模型考虑了GaN功率放大器MMIC的特点以及衬底的晶格热效应,可以更准确地表征芯片结温。采用红外热成像仪对6种GaN功率放大器MMIC在不同工作条件下进行了热测试,对比仿真和测试结果发现,解析模型的结温预测误差在10%以内,说明该模型可以准确地表征GaN功率放大器MMIC的热特性,进而用于优化和指导电路拓扑设计。 展开更多
关键词 GaN功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 近结区 热阻解析模型 红外热成像 热特性
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氮化镓功率器件的稳态结-壳热阻测量
8
作者 赵浩 鲁金科 +2 位作者 朱一荻 周子牛 杜伟兮 《电气传动》 2024年第7期28-31,49,共5页
器件结-壳热阻一直是功率器件备受关注的热参数,同时也是衡量功率器件散热性能的标准。为防止器件过热损坏应考虑其散热性能,因此器件热阻的精确测量尤为重要。器件热阻测量的难点在于器件的结温测量,因为在不破坏器件封装的情况下很难... 器件结-壳热阻一直是功率器件备受关注的热参数,同时也是衡量功率器件散热性能的标准。为防止器件过热损坏应考虑其散热性能,因此器件热阻的精确测量尤为重要。器件热阻测量的难点在于器件的结温测量,因为在不破坏器件封装的情况下很难直接测量结温。通过实验发现:小电流下的导通电压作温敏电参数时,导通电压与温度有良好的线性度,可用于结温测量。最后在结温已知的情况下,基于热阻公式即可完成热阻测量。 展开更多
关键词 GAN器件 导通电压 结温 热阻
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一种基于热阻矩阵的2.5D封装芯片结温预测模型
9
作者 刘加豪 古莉娜 +2 位作者 陈方舟 郭小童 赵昊 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第1期63-67,共5页
随着2.5D封装芯片的封装尺寸不断减小和功率密度持续增加,芯片内部温度急剧上升。为了满足芯片散热和可靠性需求,准确预测服役过程中芯片的结温具有重要的意义。在充分考虑热耦合效应后,从2.5D封装芯片的热阻网络拓扑结构出发,提出了一... 随着2.5D封装芯片的封装尺寸不断减小和功率密度持续增加,芯片内部温度急剧上升。为了满足芯片散热和可靠性需求,准确预测服役过程中芯片的结温具有重要的意义。在充分考虑热耦合效应后,从2.5D封装芯片的热阻网络拓扑结构出发,提出了一种基于热阻矩阵的2.5D封装芯片结温预测模型。同时,采用FloTHERM热仿真软件对该预测模型进行了验证。结果表明,在对2.5D封装芯片施加不同功率后,该模型的计算结果和FloTHERM仿真结果相对误差小于5%。由此说明,该模型能够高效准确地预测2.5D封装芯片的结温。 展开更多
关键词 2.5D封装 热阻矩阵 热耦合效应 结温预测 有限元分析
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100kW光伏逆变器散热结构设计与优化研究
10
作者 张涛 《陕西国防职教研究》 2024年第1期39-41,48,共4页
为保证100kW光伏逆变器能够稳定工作,本文对其散热需要的散热器热阻进行了设计计算,并通过有限元软件对其进行了仿真验证,表明优化后散热系统中INV功率模块结温下降2-3℃、散热器基板表面最高温度下降2℃,散热器出口气体温度降低3℃,而b... 为保证100kW光伏逆变器能够稳定工作,本文对其散热需要的散热器热阻进行了设计计算,并通过有限元软件对其进行了仿真验证,表明优化后散热系统中INV功率模块结温下降2-3℃、散热器基板表面最高温度下降2℃,散热器出口气体温度降低3℃,而boost功率模块结温基本未有变化,散热器进出口压降减小使得风扇工作效率提高。 展开更多
关键词 逆变器 热阻 结温 优化
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GaN HEMT热阻测试技术研究
11
作者 邱金朋 沈竞宇 《电子与封装》 2023年第11期25-31,共7页
GaN作为第三代半导体材料的代表,具有优越的电学性能,被应用在诸多领域。随着功率密度提升、工作频率增加,GaN器件会产生明显的热效应,温度对GaN的性能及可靠性有直接影响,因此热阻测试及结温表征是非常重要的。根据GaN器件的结构、工... GaN作为第三代半导体材料的代表,具有优越的电学性能,被应用在诸多领域。随着功率密度提升、工作频率增加,GaN器件会产生明显的热效应,温度对GaN的性能及可靠性有直接影响,因此热阻测试及结温表征是非常重要的。根据GaN器件的结构、工作原理以及特性参数,结合JEDEC热阻测试的标准,对不同电压等级、不同封装结构的GaN器件进行测试,验证了使用导通电阻作为温度敏感参数的热阻测试方法的正确性。 展开更多
关键词 GAN 导通电阻 结温 热阻
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金属基覆铜板的散热性能研究
12
作者 丘威平 陈毅龙 +2 位作者 刘旭亮 黄奕钊 杨单 《印制电路信息》 2023年第2期1-7,共7页
金属基覆铜板制作的印制电路板具有良好的散热能力,能够大幅降低电子元器件工作温度,提高使用稳定性和长期可靠性,被广泛应用于各种需要散热的场景。基于ASTM-D5470标准《热导性电绝缘材料的热传输特性的标准试验方法》和JESD-51标准《... 金属基覆铜板制作的印制电路板具有良好的散热能力,能够大幅降低电子元器件工作温度,提高使用稳定性和长期可靠性,被广泛应用于各种需要散热的场景。基于ASTM-D5470标准《热导性电绝缘材料的热传输特性的标准试验方法》和JESD-51标准《电子器件热测试系列标准》,对金属基覆铜板的散热性能展开研究,测量与分析不同影响因素如铜箔厚度、介质层厚度及铝板厚度的变化对金属基覆铜板散热性能的影响。 展开更多
关键词 金属基覆铜板 散热性能 印制电路版 导热系数
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一种车用逆变器SiC MOSFET结温估计的Simulink建模方法
13
作者 彭琛 郑晓琦 闫国辉 《汽车电器》 2023年第12期28-31,35,共5页
目前,电动汽车高压平台已成为趋势,电机控制器功率器件由IGBT向SiC MOSFET转换,而针对SiC MOSFET结温的相关研究,很多学者曾提供了具体的理论公式,但是复杂的理论计算公式并不能很好地运用在实际开发过程中。文章基于以上现状,选择合适... 目前,电动汽车高压平台已成为趋势,电机控制器功率器件由IGBT向SiC MOSFET转换,而针对SiC MOSFET结温的相关研究,很多学者曾提供了具体的理论公式,但是复杂的理论计算公式并不能很好地运用在实际开发过程中。文章基于以上现状,选择合适的SiC MOSFET热阻网络模型,将三阶RC网络通过基尔霍夫第一定律转化为时域的离散方程,进而建立Simulink模型,通过仿真及台架测试,测试结果显示能够满足预期目标。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 结温估计 热阻网络 电机控制 SIMULINK建模
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绝缘栅双极型晶体管传热模型建模分析 被引量:50
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作者 陈明 胡安 +1 位作者 唐勇 汪波 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期453-459,共7页
绝缘栅双极型晶体管(简称IGBT)等全控型电力电子器件是电能变换装置的核心部件,由于电力电子器件的工作性能与可靠性等都与其工作结温直接相关,而电力电子器件的热阻抗直接影响器件的结温,开展以IGBT热阻网络为对象的传热特性研究对于延... 绝缘栅双极型晶体管(简称IGBT)等全控型电力电子器件是电能变换装置的核心部件,由于电力电子器件的工作性能与可靠性等都与其工作结温直接相关,而电力电子器件的热阻抗直接影响器件的结温,开展以IGBT热阻网络为对象的传热特性研究对于延长IGBT的使用寿命和提高其应用可靠性具有很重要的现实意义。为此,概述了IGBT物理结构、热阻网络及提取动态热阻抗曲线测试原理、传热模型3种建模方法及各方法的优劣。以某型IGBT模块为研究对象,通过理论计算得到其各分层及模块结壳稳态热阻值,建立了Cauer热网络模型,并在数值仿真软件ANSYS热仿真分析环境下利用有限元法(FEM)建立了数值仿真模型,利用搭建的试验平台开展了提取动态热阻抗实验,建立了7阶Foster实验测定模型。数值仿真和实验测定所得到的稳态结壳热阻值与理论计算模型接近,并对偏差进行了分析。建模研究IGBT传热模型对该类电力电子器件热传递模型建模研究及散热设计具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 热模型 热阻 动态热阻抗 结温 RC热网络 壳温 数值仿真 有限元法
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焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响 被引量:18
15
作者 肖飞 罗毅飞 +1 位作者 刘宾礼 夏燕飞 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1499-1506,共8页
为了查明封装疲劳对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热特性的影响,从封装结构的角度分析了焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响规律。首先建立了IGBT芯片封装的有限元模型,然后结合传热学分析了焊料层空洞大小、位置以及分布对IGBT芯片最高... 为了查明封装疲劳对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热特性的影响,从封装结构的角度分析了焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响规律。首先建立了IGBT芯片封装的有限元模型,然后结合传热学分析了焊料层空洞大小、位置以及分布对IGBT芯片最高结温的影响规律并进行了仿真,最后基于加速寿命实验进行了验证。结果表明:空洞率相同时,芯片对角线上的空洞对芯片最高结温的影响最大;位置相同时,芯片顶点位置空洞大小的变化对芯片最高结温的影响最大;2种情况下,单个空洞的影响均大于相同空洞率下的空洞分布影响,而空洞分布中的中心集中分布对芯片最高结温的影响最大;芯片最高结温随空洞率增大而近似呈线性关系增大,芯片结壳热阻与空洞率也近似呈线性关系增大,验证了理论分析的正确性。研究结论可从封装疲劳的角度对IGBT尽限应用提供指导。 展开更多
关键词 焊料层空洞 器件热稳定性 空洞率 3维有限元模型 结温 结壳热阻
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微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究 被引量:13
16
作者 丁晓明 王佃利 +3 位作者 李相光 蒋幼泉 王因生 黄静 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期54-57,共4页
介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻... 介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。 展开更多
关键词 瞬态红外热像 脉冲 结温 热阻
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有机发光二极管的热分析与热设计 被引量:6
17
作者 杨连乔 付美娟 +2 位作者 魏斌 张建华 曹进 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期624-627,共4页
采用基于计算流体动力学的热学模拟仿真与瞬态热学测试技术分析了OLED的热学特性,研究并讨论了输入功率、面板取向、风速等实际应用变量对OLED面板结温的影响。研究结果表明,OLED的结温与衬底及封装盖表面存在明显的温度梯度,且此温度... 采用基于计算流体动力学的热学模拟仿真与瞬态热学测试技术分析了OLED的热学特性,研究并讨论了输入功率、面板取向、风速等实际应用变量对OLED面板结温的影响。研究结果表明,OLED的结温与衬底及封装盖表面存在明显的温度梯度,且此温度梯度随输入电流增加大幅增大。OLED的热学特性与面板取向、气流速度密切相关。 展开更多
关键词 OLED 结温 热阻
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大功率三电平变频器损耗计算及散热分析 被引量:52
18
作者 景巍 谭国俊 叶宗彬 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第2期134-140,共7页
准确计算功率器件损耗可优化变频器的散热设计。功率器件的导通和开关特性对温度比较敏感,损耗计算必须考虑结温的影响。本文分析了中点钳位式(NPC)三电平变频器功率器件导通和开关规律,在此基础上建立了一套实用的损耗计算方法。通过... 准确计算功率器件损耗可优化变频器的散热设计。功率器件的导通和开关特性对温度比较敏感,损耗计算必须考虑结温的影响。本文分析了中点钳位式(NPC)三电平变频器功率器件导通和开关规律,在此基础上建立了一套实用的损耗计算方法。通过热阻等效电路计算了功率器件的结温。对一台1MVA NPC三电平变频器在逆变和整流两种典型工况下进行了试验分析,采用红外热成像仪对功率器件的温度进行测量,计算和测量结果误差率在5%以内,验证了损耗计算的准确性。 展开更多
关键词 三电平变频器 IGBT模块 损耗 结温 散热 热阻
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大功率LED的寿命与散热技术的研究进展 被引量:11
19
作者 赵紫薇 纪献兵 +2 位作者 徐进良 薛强 张伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期257-262,277,共7页
介绍了大功率发光二极管(LED)的工作原理,总结和分析了国内外文献中关于电流、结温与环境湿度对大功率LED寿命影响的研究进展,指出结点温度是决定LED寿命的最重要因素,详细评述了国内外关于大功率LED的界面热阻优化、封装热沉和散热基... 介绍了大功率发光二极管(LED)的工作原理,总结和分析了国内外文献中关于电流、结温与环境湿度对大功率LED寿命影响的研究进展,指出结点温度是决定LED寿命的最重要因素,详细评述了国内外关于大功率LED的界面热阻优化、封装热沉和散热基板设计两个方面的研究进展,为改良LED散热结构和延长大功率LED的使用寿命提供了有效的理论依据及研究方向。 展开更多
关键词 大功率LED 寿命 散热 结温 热阻
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稀土对38CrMoAl钢离子渗氮层结构和性能的影响 被引量:14
20
作者 陈方生 王成国 +2 位作者 刘玉先 庞国华 高致远 《钢铁》 CAS CSCD 北大核心 2000年第8期48-50,共3页
研究了稀土对 38Cr Mo Al钢离子渗氮层微观结构和性能的影响。结果表明 :加稀土离子渗氮后 ,化合物层中γ 相的含量明显增加 ,且在距表面 0 .0 8mm扩散层处存在许多小位错环、位错和胞状亚结构 ;加稀土离子渗氮的表面硬度和普通离子渗... 研究了稀土对 38Cr Mo Al钢离子渗氮层微观结构和性能的影响。结果表明 :加稀土离子渗氮后 ,化合物层中γ 相的含量明显增加 ,且在距表面 0 .0 8mm扩散层处存在许多小位错环、位错和胞状亚结构 ;加稀土离子渗氮的表面硬度和普通离子渗氮相近 ,而耐磨性和耐热疲劳性优于普通离子渗氮 ,在渗层厚度增加的情况下 ,渗层脆性并不增加。 展开更多
关键词 稀土 离子渗氮 微观结构 38CRMOAL钢 性能
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