脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素:M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差VDS过大,使IGZO膜层内的氧空位V+O在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V+O对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V+O经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的VDS压差,导入超大尺寸IGZO产品,高温高湿信赖性评价2000 h未发生AD不良。

TFT液晶显示屏驱动方法的研究

详细分析了当前TFT-LCD驱动电路所使用的场反转、行反转和列/点反转驱动方法,说明了每种方法的优。

TFT AMLCD视频系统驱动电路

介绍了ＴＦＴＡＭＬＣＤ视频系统的构成和驱动方式，具体分析了有源矩阵液晶显示的模拟驱动电路，以及其中参数的选择和需要注意的问题。

空间润滑谐波减速器失效机理研究

为研究空间环境下谐波减速器失效机理,并为其可靠性寿命试验提供理论基础,对空间润滑谐波减速器进行5 000 h真空寿命试验.结果表明:DLC薄膜与润滑脂(Braycote601)复合润滑的柔轮-刚轮齿面运转良好,Braycote601油脂单独润滑的柔轮内壁-柔性轴承外圈出现严重磨损.对其进行混合润滑数值分析,结果显示在3～150 r/min的转速范围内,该接触区域始终处于混合润滑状态并由此导致磨损产生,微凸体直接接触所负担的载荷比例随转速的增加而减小,随温度与载荷的增加而增大;低速运转时,温度与载荷对微凸体接触程度的影响效果明显,但随着转速的增大,温度与载荷的影响快速减弱.

软体气动驱动器弯曲变形光纤传感与形状重构

为解决软体气动驱动器弯曲变形的柔性传感测量问题,提出将光纤光栅植入软体气体驱动器应变限制层进行曲率测量与形状重构的方法。建立了软体机构变形光纤传感重构算法模型,理论分析了光纤光栅光谱变化与应变限制层弯曲曲率的关系。搭建了基于光纤光栅特性的软体传感、解调及曲率标定装置,实验分析了不同曲率下光纤光栅反射光谱的特征,得出光纤光栅中心波长漂移量与弯曲变形曲率的关系,计算得出软体气动驱动器在不同弯曲状态下的曲率值,重构出软体气动驱动器的变形形状,验证了形状重构结果的正确性。实验结果表明:将光纤光栅植入软体气体驱动器应变限制层,利用光纤光栅反射光谱变化可实现软体驱动器的曲率测量与形状传感,3种弯曲状态下光纤光栅传感测量值与软体驱动器曲率标定值之间的最大误差为2.1%。该光纤传感方法在软体气动驱动器柔性传感与闭环控制方面具有广阔的应用前景。

高集成度多光谱TDI CCD焦平面系统

提出了一种高集成度TDI CCD焦平面系统,成功应用TDI CCD驱动单元厚膜集成模块完成了具有16路CCD信号输出、像元读出频率20 MHz的高集成度高速多光谱TDI CCD焦平面系统的研制。通过采用双通道CCD信号处理模拟前端、厚膜集成驱动单元模块、高速LVDS图像数据传输接口以及机、电、热一体化仿真设计方法,极大提高了TDI CCD焦平面系统的集成度,降低了系统互连的复杂程度。系统共有4路图像数据传输接口,单路传输能力达到1.6-2.5 Gbps,最高可实现10 Gbps的图像数据带宽,在保证高数据率的同时,提高了数据传输的抗干扰能力。阐述了系统设计方案及多光谱TDI CCD探测器工作原理,并对其中的机电集成设计、驱动单元厚膜集成技术以及高速串行传输总线等关键技术进行了分析描述。通过采用TDI CCD传函测试片对系统进行了测试,焦平面全系统调制传函平均为0.511。

直线型变压器磁芯伏秒特性与层间绝缘关系

理论分析表明,磁芯的层间电压与带材厚度、带材宽度、加载在磁芯两端的工作电压成正比,与磁芯的有效截面积成反比。实验研究表明磁芯在处理过程中自然形成的氧化膜的耐压能力可以达到3.0～3.6V。当层间电压大于磁芯层间所能承受的最大电压时,负载上输出波形将出现拐点,导致磁芯的磁感应强度利用率不能达到设计值。在实际应用中,可以通过减小带材宽度等方法,控制磁芯层间电压在3V以内,从而提高加载在磁芯两端的工作电压,充分利用磁芯磁感应增量至其最大值。

基于谐振原理的硅微薄膜弯曲疲劳装置的设计

根据梳状驱动器原理设计了一种静电力驱动的硅微薄膜弯曲疲劳试验装置,所设计的装置可以由微机电系统表面牺牲层标准工艺制作加工。对所设计疲劳试验装置的圆弧梳状驱动器电容及静电驱动力进行了理论分析,并在此基础上采用有限元分析软件ANSYS对装置进行了模态分析与简谐分析。分析结果表明:当所施加的交流电压频率与结构的一阶固有频率相等时,试样在其缺口根部取得最大应力值,该应力值与所加交直流电压乘积的大小成线性关系,利用该关系式可对试验所需电压值进行预测。有限元分析和制造结果观测表明,所设计的装置符合微机械疲劳试验要求。

考虑气体稀薄效应修正Reynolds方程的新模型及其数值分析

硬盘中磁头和磁盘之间的气膜厚度已接近或小于分子平均自由路径,为了更精确地模拟气膜的压力分布,Reynolds方程必须要考虑气体稀薄效应的影响。基于硬盘中常用的修正Reynolds方程——FK模型,提出一种修正Reynolds方程的新模型,并且通过最小二乘有限差分法求解该Reynolds方程。分别利用FK模型和新模型,研究气膜数对承载力和压力中心的影响,并比较2种模型的计算时间。结果表明,2种模型所得的数值模拟结果具有很好的一致性,但新模型的计算效率高于FK模型。

TBM刀盘脱困驱动过程仿真研究

简单介绍了TBM刀盘脱困装置的基本结构和工作原理,重点阐述了脱困装置的重要设备—液体黏性离合器的关键参数对TBM刀盘脱困过程的影响,并通过仿真对脱困过程中脱困扭矩与转速的关系、扭矩与液体黏性离合器的油膜厚度、油膜厚度与控制压力的关系进行了分析。结果表明,所选择的TBM刀盘脱困驱动装置能大幅提高刀盘的输出扭矩,通过控制油缸活塞的位移实现对液体黏性离合器油膜厚度的控制,从而控制刀盘输出扭矩的范围,并能有效防止摩擦片直接接触造成摩擦片的破坏。

有源矩阵液晶显示集成驱动电路

介绍了多晶硅薄膜晶体管(poly-SiTFT)的特性,分析了有源矩阵液晶显示(AMLCD)的扫描和数据驱动电路。

一种新型冷光驱动电源

冷光驱动电源装置由EMC防护电路、Boost功率因数校正电路、全桥逆变电路、脉冲控制电路构成。其中的软开关技术和SPWM技术能够适应电致冷光膜的工作特性,工作寿命是普通灯泡的数十倍。该电源工作稳定,纹波电压非常小,成本低。

HL401A IGBT厚膜驱动器

介绍了ＨＬ４０１Ａ ＩＧＢＴ厚膜驱动器的主要设计特点、参数限制，剖析了其内部结构和工作原理，进而探讨了其应用技术，并推荐实例以供参考。

光端机用厚膜集成电路的研制

采用厚膜集成技术研制、开发了用于光纤通信传输端机用的光源驱动器和视频分配器厚膜电路，该电路在０～３０ＭＨｚ频率范围工作。

M57957L/M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路

介绍了日本三菱公司生产的用于驱动 IGBT 模块的厚膜驱动器集成电路 M57957L 与M57958L,给出了其引脚排列、名称、功能、用法、主要设计特点和极限参数,分析了其内部结构和工作原理,进而探讨了其应用技术。

二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路

为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,实测单级功耗为325μW。

静电复印机的AC驱动器维修及电路的改进方法

介绍静电复印机AC驱动器的维修经验并提出用固态继电器对原电路进行改进的方法.

一种基于In-Zn-O薄膜晶体管的交直流混合双边驱动的OLED行集成驱动电路

提出一种基于In-Zn-O薄膜晶体管(IZO TFTs)的行集成驱动电路,该电路采用了交流直流混合的驱动方式,即电路的级联输出级COUT(N)连接了时钟信号,而输出级OUT(N)连接了直流电源VDD。电路在级联输出级与输出级之间添加了一个反相器作为输出级的控制端,控制下拉TFT管的开关状态,实现双边驱动的功能。我们成功地制作了54级该行集成驱动电路。实验结果表明,该电路在负载5 k?和100 pF条件下可以很好地进行工作,功耗为18μW。满足300 ppi OLED显示屏双边驱动需求。

基于金属氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路

本文提出了一种基于非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路,该电路采用输入级复用的驱动结构,一级输入级驱动三级输出级,不仅减少电路输入级2/3晶体管的数量,实现AMOLED或AMLCD显示屏的窄边框显示,而且输入级的工作频率是输出级的1/3,该结构适用于高速驱动电路.电路内部产生了三次电容耦合效应,每一次电容耦合效应都可以提高相应节点的电压,保证了信号完整传输.输出级采用了一个二极管接法的薄膜晶体管,该薄膜晶体管连接了输出级的控制信号和上拉薄膜晶体管的栅极,利用的每一级输出级输出时所产生的电容耦合效应,增加上拉薄膜晶体管的栅极电压,有效地提高电路输出能力和工作速度.仿真表明电路能够输出脉宽达到4μs速度.最后成功地制作了10级行集成驱动电路,包括10级输入级电路和30级输出级电路,负载为R=10k?和C=100pF,实验结果验证,该电路满足4k×8k显示屏在120 Hz刷新频率下的驱动需求.

M57957L/M57958L不含保护性能的IGBT厚膜驱动器集成电路

本文介绍了日本三菱公司生产的不具有对被驱动ＩＧＢＴ进行就地式任何保护的Ｎ沟道ＩＧＢＴ模块厚膜驱动器，给出了Ｍ５７９５７Ｌ与Ｍ５７９５８Ｌ的引脚排列、各引脚的名称、功能、用法、主要设计特点和电参数限制，剖析了其的内部结构和工作原理，进而探讨了其应用技术。