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FINITE ELEMENT ANALYSIS OF SUBSTRATE LOCAL PLASTIC DEFORMATION INDUCED BY CRACKED THIN HARD FILM
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作者 ZhuYouli RozniatowskiK +2 位作者 KurzydtowskiK HuangYuanlin XuBinshi 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第3期364-367,共4页
It has been postulated that, with tensile loading conditions, micro-cracks onthin hard film act as stress concentrators enhancing plastic deformation of the substrate materialin their vicinity. Under favorable conditi... It has been postulated that, with tensile loading conditions, micro-cracks onthin hard film act as stress concentrators enhancing plastic deformation of the substrate materialin their vicinity. Under favorable conditions the localized plastic flow near the cracks may turninto macroscopic plastic strain thus affects the plasticity behaviors of the substrate. Thisphenomenon is analyzed quantitatively with finite element method with special attention focused onthe analysis and discussion of the effects of plastic work hardening rate, film thickness and crackdepth on maximum plastic strain, critical loading stress and the size of the local plasticdeformation zone. Results show that micro-cracks on thin hard film have unnegligible effects on theplasticity behaviors of the substrate material under tensile loading. 展开更多
关键词 thin film MICRO-CRACK Finite element method Plastic deformation
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Hardness Measurement and Evaluation of Thin Film on Material Surface 被引量:1
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作者 王林栋 李敏 +1 位作者 张泰华 梁乃刚 《Chinese Journal of Aeronautics》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期52-58,共7页
A method for hardness measurement and evaluation of thin films on the material surface was proposed. Firstly, it is studied how to obtain the force indentation response with a finite element method when the indentati... A method for hardness measurement and evaluation of thin films on the material surface was proposed. Firstly, it is studied how to obtain the force indentation response with a finite element method when the indentation is less than 100 nanometers, in which current nanoindentation experiments have not reliable accuracy. The whole hardness indentation curve and fitted equation were obtained. At last, a formula to predict the hardness of the thin film on the material surface was derived and favorably compared with experiments. 展开更多
关键词 thin film material HARDNESS NANOINDENTATION finite element simulation
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NUMERICAL SIMULATION FOR MEASURING YIELD STRENGTH OF THIN METAL FILM BY NANOINDENTATION METHOD
3
作者 Ma, Dejun Xu, Kewei He, Jiawen 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 1997年第3期66-69,共4页
NUMERICALSIMULATIONFORMEASURINGYIELDSTRENGTHOFTHINMETALFILMBYNANOINDENTATIONMETHOD①MaDejun,XuKewei,HeJiawenS... NUMERICALSIMULATIONFORMEASURINGYIELDSTRENGTHOFTHINMETALFILMBYNANOINDENTATIONMETHOD①MaDejun,XuKewei,HeJiawenStateKeyLaboratory... 展开更多
关键词 NANOINDENTATION METHOD thin METAL film mechanical properties finite element METHOD
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一种柔性栅丝薄膜传感器设计制造及其灵敏性分析研究
4
作者 王龙飞 《机械设计与制造工程》 2024年第9期21-27,共7页
为提高柔性传感器在高温高应力等恶劣条件下的适应性和稳定性,基于有限元法设计制造了一种柔性栅丝薄膜传感器。建立传感器有限元模型,通过栅丝宽度、栅丝间距和栅丝数量3个尺寸参数对结构进行模拟分析,研究均布应力条件下栅丝的受力与... 为提高柔性传感器在高温高应力等恶劣条件下的适应性和稳定性,基于有限元法设计制造了一种柔性栅丝薄膜传感器。建立传感器有限元模型,通过栅丝宽度、栅丝间距和栅丝数量3个尺寸参数对结构进行模拟分析,研究均布应力条件下栅丝的受力与变形,结果显示增大栅丝宽度可线性降低栅丝的应变21.06%;栅丝数量对结构的最大应力比较敏感,最大应力增大57.80%;栅丝宽度、栅丝间距和栅丝数量对中心点的最大位移影响均较小,栅丝间距变化对中心点位移变化最大误差为2.49%。同时分析了传感器的温敏效应,结果表明随着温度增加,传感器的灵敏度线性增大,灵敏度变化范围为0.160244~0.173373 mm/MPa,差值为7.57%。该研究为柔性栅丝薄膜传感器的设计与制造提供了参考,具有一定的实际意义。 展开更多
关键词 薄膜传感器 栅丝 有限元分析
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边缘空气层薄膜体声波谐振器的设计与制备
5
作者 朱宇涵 段兰燕 +4 位作者 陈志鹏 许锴镔 胡晗 衣新燕 李国强 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期11-15,共5页
压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高... 压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高谐振器的品质因数。使用COMSOL对设计的器件进行有限元模拟仿真,并成功制备出具有边缘空气层结构的谐振器进行测试验证。 展开更多
关键词 单晶氮化铝薄膜体声波谐振器 边缘空气层 有限元仿真 压电非线性效应
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杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析
6
作者 罗恩雄 张必壮 +2 位作者 吴坤 马晋毅 李思忍 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期159-163,共5页
该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件... 该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件。测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为3μm,凹陷宽度为1.5μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大100。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) 阶梯结构 杂模抑制 有限元
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1.06μm连续激光辐照TiO_2/SiO_2/K_9薄膜元件温升规律研究 被引量:13
7
作者 周维军 袁永华 +1 位作者 桂元珍 沈志学 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1307-1311,共5页
利用1.06μm连续激光在不同强度下辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件,实验中用红外热像仪测量激光辐照在TiO2/SiO2/K9元件表面引起的温升随时间的变化,通过数据处理,获得激光辐照区域最高温度随辐照时间的增加而增加。同时,给出材料温升随材料... 利用1.06μm连续激光在不同强度下辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件,实验中用红外热像仪测量激光辐照在TiO2/SiO2/K9元件表面引起的温升随时间的变化,通过数据处理,获得激光辐照区域最高温度随辐照时间的增加而增加。同时,给出材料温升随材料发射率的变化关系。并用程序模拟不同激光强度下薄膜温度场的分布,通过实验测量数据校正数值模拟计算结果,给出TiO2/SiO2/K9薄膜元件温度随激光辐照强度和辐照时间的变化规律。并且获得在薄膜厚度方向:薄膜表面温度最高,基底与薄膜接触处温度最低;沿径向:激光辐照中心温度最高,边沿温度最低。 展开更多
关键词 连续激光 薄膜元件 温度场 数值模拟
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SiO2薄膜热应力模拟计算 被引量:10
8
作者 吴靓臻 唐吉玉 +3 位作者 马远新 孔蕴婷 文于华 陈俊芳 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第1期52-55,共4页
薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对S iO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋... 薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对S iO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋势图,对薄膜现实生长具有一定的指导意义. 展开更多
关键词 热应力 SIO2薄膜 有限元 模拟
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压电薄膜微传感器振动模态的仿真分析 被引量:16
9
作者 娄利飞 杨银堂 +1 位作者 樊永祥 李跃进 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期165-169,共5页
以压电本构方程为基础,建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型,采用有限元分析软件ANSYS7.0对压电薄膜微传感器进行了模态分析,同时分析了压电薄膜微传感器的结构尺寸对振动模态的影响,探讨了影响压电薄膜微传感器工作稳定性和响... 以压电本构方程为基础,建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型,采用有限元分析软件ANSYS7.0对压电薄膜微传感器进行了模态分析,同时分析了压电薄膜微传感器的结构尺寸对振动模态的影响,探讨了影响压电薄膜微传感器工作稳定性和响应速度的关键因素,结果表明为了提高压电薄膜微传感器的工作稳定性和响应速度,应该在符合工艺要求和保证其它特性的前提下,尽量减小微悬臂梁结构长度,增加多晶硅层厚度,限制PZT层厚度,而微悬臂梁宽度的影响较小。 展开更多
关键词 压电薄膜 有限元分析 耦合场 微传感器 模态分析
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复合钒钼酸干凝胶薄膜湿敏元件的感湿机理 被引量:11
10
作者 李莉 童茂松 翁爱华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期30-32,共3页
采用sol-gel法,制备了复合钒钼酸H2V8.5Mo3.5O32·nH2O干凝胶薄膜湿敏元件。测试频率为1kHz时,元件全湿范围内线性响应好,灵敏度高,最大湿滞约为RH2.74%,响应、恢复时间分别为8s和20s,283-303K温度范围内的感湿温度系数为... 采用sol-gel法,制备了复合钒钼酸H2V8.5Mo3.5O32·nH2O干凝胶薄膜湿敏元件。测试频率为1kHz时,元件全湿范围内线性响应好,灵敏度高,最大湿滞约为RH2.74%,响应、恢复时间分别为8s和20s,283-303K温度范围内的感湿温度系数为RH0.4%/℃;H2V8.5Mo3.5O32·nH2O干凝胶薄膜湿敏元件的导电机理为电子和离子导电共存,低湿时以电子导电为主,湿度增加,离子导电增强。 展开更多
关键词 电子技术 复合钒钼酸 干凝胶薄膜 湿敏元件 复阻抗
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AlN电子薄膜材料的研究进展 被引量:12
11
作者 周继承 石之杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期14-16,24,共4页
AlN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料,作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。简介了AlN薄膜的制备方法,评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展,阐述了AlN... AlN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料,作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。简介了AlN薄膜的制备方法,评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展,阐述了AlN薄膜的应用,并综述了近年来AlN薄膜作为缓冲层、SOI结构的绝缘埋层和吉赫兹级声表面波器件压电薄膜的研究现状。 展开更多
关键词 AIN电子薄膜材料 电子元器件 应用 进展
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球面元件表面AlF_3薄膜的光学特性和微观结构表征 被引量:5
12
作者 时光 梅林 张立超 《中国光学》 EI CAS 2013年第6期906-911,共6页
在模拟球面元件曲率半径的仿面形夹具上镀制了AlF3单层薄膜,并对不同口径位置上的薄膜进行了比较,以表征球面元件表面镀制薄膜的光学特性和微观结构。首先,采用紫外可见光分光光度计测量了不同口径位置上薄膜样品的透射和反射光谱,反演... 在模拟球面元件曲率半径的仿面形夹具上镀制了AlF3单层薄膜,并对不同口径位置上的薄膜进行了比较,以表征球面元件表面镀制薄膜的光学特性和微观结构。首先,采用紫外可见光分光光度计测量了不同口径位置上薄膜样品的透射和反射光谱,反演得出AlF3的折射率和消光系数。然后,使用原子力显微镜观察了样品的表面形貌和表面粗糙度。最后,使用X射线衍射仪对薄膜的内部结构进行了表征。实验结果表明:在球面不同位置镀制的AlF3单层薄膜样品的光学损耗随着所在位置口径的增大而增大。口径为280 mm处的消光系数是中心位置处消光系数的1.8倍,表面粗糙度是中心位置的17.7倍。因此,球面元件需要考虑由蒸汽入射角不同带来的光学损耗的差异。 展开更多
关键词 热蒸发 AlF3薄膜 球面元件 微观结构特性
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类金刚石薄膜残余应力的研究进展 被引量:16
13
作者 张婷 何娟 +1 位作者 任瑛 邹文俊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期84-87,95,共5页
类金刚石薄膜由于存在很大的残余应力,在实际应用中薄膜易产生裂纹、破裂甚至脱落。这些问题导致类金刚石薄膜在使用过程中过早失效。因此,缓解残余应力是类金刚石薄膜急需解决的问题和实际应用的需要。介绍了类金刚石薄膜残余应力的产... 类金刚石薄膜由于存在很大的残余应力,在实际应用中薄膜易产生裂纹、破裂甚至脱落。这些问题导致类金刚石薄膜在使用过程中过早失效。因此,缓解残余应力是类金刚石薄膜急需解决的问题和实际应用的需要。介绍了类金刚石薄膜残余应力的产生,对国内外调控残余应力的途径以及研究进展进行综述。使用有限元分析法模拟薄膜的残余应力可为类金刚石薄膜的制备和工艺设计提供参考。 展开更多
关键词 DLC薄膜 残余应力 有限元分析法
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薄膜均匀性的有限元算法 被引量:5
14
作者 谭旭东 马孜 蔡邦维 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期480-483,共4页
应用有限元方法模拟计算了镀膜系统平行平面转盘在不同转速以及不同的镀膜时间下波分复用(DWDM )系统介质滤光片的成膜均匀性。结果表明 ,针对不同的膜料 。
关键词 薄膜 均匀性 有限元 转速
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微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程 被引量:1
15
作者 余晋岳 朱军 +4 位作者 周狄 禹金强 俞爱斌 蔡炳初 魏福林 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期359-363,共5页
观察和分析了300μm×40μm×40nm的 NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是 Neel畴壁从正极性壁(N_+)转变为负极性壁(N_)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、... 观察和分析了300μm×40μm×40nm的 NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是 Neel畴壁从正极性壁(N_+)转变为负极性壁(N_)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即 N_+→N_直接转变及经由十字壁(N_ct)的 N_+→N_ct→N_间接转变)进行了分析讨论. N_往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展. N_+→N_ct的转变是通过 N_+ 壁的数次分裂来实现的. 展开更多
关键词 磁性薄膜元件 反磁化 磁畴 Neel畴壁
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微型NiFe条形薄膜元件在反磁化过程中的磁畴活动 被引量:1
16
作者 余晋岳 周勇 +2 位作者 宋柏泉 叶伟春 张宏 《应用科学学报》 CAS CSCD 1996年第3期318-324,共7页
该文应用Bitter粉纹技术系统地观察,并从能量分析了微型40nm厚度NiFe薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中,磁畴结构的特性和变迁过程.研究表明,元件中的Barkhausen跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等... 该文应用Bitter粉纹技术系统地观察,并从能量分析了微型40nm厚度NiFe薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中,磁畴结构的特性和变迁过程.研究表明,元件中的Barkhausen跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果. 展开更多
关键词 薄膜元件 反磁化 磁畴 畴壁 NIFE 磁记录
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TiO_(2-x)纳米粒子薄膜型氧敏元件的性能 被引量:1
17
作者 郑嘹赢 徐明霞 +1 位作者 徐廷献 刘丽月 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 2000年第5期657-659,共3页
以钛酸丁酯和无水乙醇分别为前驱体和溶剂 ,添加适量稳定剂制成稳定溶胶 ,用浸涂法在 Al2 O3基片上制备 Ti O2 薄膜 ,经在 10 0 0℃氢气氛下还原制得 Ti O2 - x薄膜 .通过 SEM照片发现薄膜颗粒在几十纳米左右 ,颗粒分布均匀 .由 XRD分... 以钛酸丁酯和无水乙醇分别为前驱体和溶剂 ,添加适量稳定剂制成稳定溶胶 ,用浸涂法在 Al2 O3基片上制备 Ti O2 薄膜 ,经在 10 0 0℃氢气氛下还原制得 Ti O2 - x薄膜 .通过 SEM照片发现薄膜颗粒在几十纳米左右 ,颗粒分布均匀 .由 XRD分析 ,薄膜的 x值在 0~ 0 .5之间 .实验结果表明 ,Ti O2 - x薄膜在 80 0℃下具有良好的氧敏感性和响应特性 ,薄膜在 N2 条件下具有很好的电阻 展开更多
关键词 薄膜元件 氧敏感性 纳米粒子 功能材料
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复合钒钼酸干凝胶薄膜湿敏元件的复阻抗谱 被引量:4
18
作者 李莉 童茂松 翁爱华 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2006年第5期39-41,共3页
采用溶胶凝胶法制备了复合钒钼酸H2V12-xMoxO31±y.nH2O(0≤x≤4.0)干凝胶薄膜湿敏元件,对其进行了复阻抗谱分析,结果表明:随着x的增加,对应的阻抗谱半圆的半径逐渐变大,x≥2.5时,电极表面接触部分在阻抗谱低频端开始体现,x=2.0时,... 采用溶胶凝胶法制备了复合钒钼酸H2V12-xMoxO31±y.nH2O(0≤x≤4.0)干凝胶薄膜湿敏元件,对其进行了复阻抗谱分析,结果表明:随着x的增加,对应的阻抗谱半圆的半径逐渐变大,x≥2.5时,电极表面接触部分在阻抗谱低频端开始体现,x=2.0时,阻抗值较大,且不受频率影响,元件性能较好;测试频率为1 kHz时,H2V8.5Mo3.5O32.nH2O干凝胶薄膜湿敏元件在全湿度范围内,其阻抗湿度曲线线性良好,灵敏度较高。 展开更多
关键词 复合钒钼酸干凝胶薄膜 湿敏元件 复阻抗
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曲率测量技术在微机电系统薄膜残余应力测量中的应用 被引量:7
19
作者 虞益挺 苑伟政 乔大勇 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期78-81,共4页
在比较曲率测量技术常用的Stoney公式及其修正式的基础上,利用有限元分析方法,建立薄膜/基底结构的有限元模型,给出一种薄膜残余应力的等效施加方法,从两个方面详细分析并对比这两个公式在微机电系统(Micro electromechanical systems,M... 在比较曲率测量技术常用的Stoney公式及其修正式的基础上,利用有限元分析方法,建立薄膜/基底结构的有限元模型,给出一种薄膜残余应力的等效施加方法,从两个方面详细分析并对比这两个公式在微机电系统(Micro electromechanical systems,MEMS)薄膜残余应力测量中的检测精度。仿真及分析结果表明,修正后的Stoney公式在很大程度上提高薄膜残余应力的测量精度,使曲率测量技术的适用范围得到较大扩展。但是当薄膜厚度接近于基底厚度或结构处于大变形状态下,修正式的计算精度也将受到较大影响,此时可以采用有限元分析方法来获得临界状态值,以提高残余应力的检测精度。同时,通过有限元分析,证实曲率测量技术应用中存在的另一个问题,即曲率的空间分布不均匀性现象。 展开更多
关键词 曲率测量技术 微机电系统 薄膜残余应力 薄膜/基底结构 有限元分析
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负温下炭黑/硅橡胶导电复合薄膜力敏特性研究 被引量:1
20
作者 廖波 周国庆 王英杰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期720-724,共5页
对炭黑/硅橡胶导电复合薄膜试样进行了负温条件下的力敏特性试验研究。测试结果表明,薄膜试样在负温下(最低温度达到-35℃)仍具有优良的拉伸敏感特性。试样电阻随拉伸变形的增大而增大,电阻与应变(最大应变达到20%)之间具有良好的线性... 对炭黑/硅橡胶导电复合薄膜试样进行了负温条件下的力敏特性试验研究。测试结果表明,薄膜试样在负温下(最低温度达到-35℃)仍具有优良的拉伸敏感特性。试样电阻随拉伸变形的增大而增大,电阻与应变(最大应变达到20%)之间具有良好的线性关系。不同负温条件,复合薄膜试样表现出基本一致的力敏特性。炭黑含量越大,试样导电稳定性越好,但灵敏度相应有所降低。研究结果表明,薄膜元件可满足较低负温、较大应变下的拉伸变形测试,且线性度、稳定性都较好。 展开更多
关键词 炭黑 硅橡胶 力敏特性 薄膜元件 负温
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