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等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料
被引量:
5
1
作者
沈瑜生
张俊颖
相承宗
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1989年第1期1-6,共6页
本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。
关键词
薄膜
TiO
2
等离子体化学气相淀积
气敏元件
下载PDF
职称材料
题名
等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料
被引量:
5
1
作者
沈瑜生
张俊颖
相承宗
机构
中国科学技术大学
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1989年第1期1-6,共6页
文摘
本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。
关键词
薄膜
TiO
2
等离子体化学气相淀积
气敏元件
Keywords
thin film plasma cvd gas sensor titanium dioxide
分类号
TP212-55 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料
沈瑜生
张俊颖
相承宗
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1989
5
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