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A new model for film bulk acoustic wave resonators 被引量:1
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作者 李玉金 元秀华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第11期368-373,共6页
Based on cavity resonance and sandwich composite plate (3D) theoretical model for frequency dispersion characterization theory, this paper presents a universal three-dimensional and displacement profile shapes of th... Based on cavity resonance and sandwich composite plate (3D) theoretical model for frequency dispersion characterization theory, this paper presents a universal three-dimensional and displacement profile shapes of the film bulk acoustic resonator (FBARs). This model provides results of FBAR excited thickness-extensional and flexure modes, and the result of frequency dispersion is proposed in which the thicknesses and impedance of the electrodes and the piezoelectric material are taken into consideration; its further simplification shows good agreement with the modified Butterworth-Van-Dyke (MBVD) model. The displacement profile reflects the vibration stress distribution of electrode shapes and the lateral resonance effect, which depends on the axis ratio of the electrode shapes a/b. The results are consistent with the 3D finite element method modeling and laser interferometry measurement in general. 展开更多
关键词 film bulk acoustic wave resonators acoustic field vibration cavity resonance piezoelectric com-posite
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Tunable Ba_(0.5) Sr_(0.5) TiO_3 film bulk acoustic resonators using SiO_2 /Mo Bragg reflectors
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作者 杨天应 蒋书文 +1 位作者 李汝冠 姜斌 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第10期369-374,共6页
Tunable and switchable Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 film bulk acoustic resonators(FBARs) based on SiO 2 /Mo Bragg reflectors are explored,which can withstand high temperature for the deposition of Ba x Sr 1 x TiO 3(BST) fi... Tunable and switchable Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 film bulk acoustic resonators(FBARs) based on SiO 2 /Mo Bragg reflectors are explored,which can withstand high temperature for the deposition of Ba x Sr 1 x TiO 3(BST) films at 800 C.The dc bias-dependent resonance may be attributed to the piezoelectricity of the BST film induced by an electrostrictive effect.The series resonant frequency is strongly dc bias-dependent and shifts downwards with dc bias increasing,while the parallel resonant frequency is only weakly dc bias-dependent and slightly shifts upwards at low dc bias( 45 V) while downwards at higher dc bias.The calculated relative tunability of shifts at series resonance frequency is around 2.3% and the electromechanical coupling coefficient is up to approximately 8.09% at 60-V dc bias,which can be comparable to AlN FBARs.This suggests that a high-quality tunable BST FBAR device can be achieved through the use of molybdenum(Mo) as the high acoustic impedance layer in a Bragg reflector,which not only provides excellent acoustic isolation from the substrate,but also improves the crystallinity of BST films withstanding higher deposition temperature. 展开更多
关键词 Ba x Sr 1-x TiO 3 tunable film bulk acoustic wave resonator ferroelectric acoustic Bragg reflector
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Manipulations of micro/nanoparticles using gigahertz acoustic streaming tweezers 被引量:2
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作者 Hang Wu Zifan Tang +8 位作者 Rui You Shuting Pan Wenpeng Liu Hongxiang Zhang Tiechuan Li Yang Yang Chongling Sun Wei Pang Xuexin Duan 《Nanotechnology and Precision Engineering》 CAS CSCD 2022年第2期1-11,共11页
Contactless acoustic manipulation of micro/nanoscale particles has attracted considerable attention owing to its near independence of the physical and chemical properties of the targets,making it universally applicabl... Contactless acoustic manipulation of micro/nanoscale particles has attracted considerable attention owing to its near independence of the physical and chemical properties of the targets,making it universally applicable to almost all biological systems.Thin-film bulk acoustic wave(BAW)resonators operating at gigahertz(GHz)frequencies have been demonstrated to generate localized high-speed microvortices through acoustic streaming effects.Benefitting from the strong drag forces of the high-speed vortices,BAW-enabled GHz acoustic streaming tweezers(AST)have been applied to the trapping and enrichment of particles ranging in size from micrometers to less than 100 nm.However,the behavior of particles in such 3D microvortex systems is still largely unknown.In this work,the particle behavior(trapping,enrichment,and separation)in GHz AST is studied by theoretical analyses,3D simulations,and microparticle tracking experiments.It is found that the particle motion in the vortices is determined mainly by the balance between the acoustic streaming drag force and the acoustic radiation force.This work can provide basic design principles for AST-based lab-on-a-chip systems for a variety of applications. 展开更多
关键词 acoustofluidics bulk acoustic wave resonator acoustic streaming acoustic tweezers Particle manipulation
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A Micro-Electro-Mechanical System-Based Bulk Acoustic Wave Piezoelectric Disk Resonator for Detecting z-axis Rotation Rate
4
作者 许仲兴 张卫平 +4 位作者 唐健 张弓 成宇翔 陈文元 关冉 《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》 EI 2015年第3期286-292,共7页
This paper presents a bulk acoustic wave piezoelectric disk resonator based on a special pair of degenerative modes, to detect z-axis angular velocity. A single piezoelectric disk is operated in its appropriate modes ... This paper presents a bulk acoustic wave piezoelectric disk resonator based on a special pair of degenerative modes, to detect z-axis angular velocity. A single piezoelectric disk is operated in its appropriate modes in the k Hz frequency range to achieve this function. This design combines the bulk acoustic wave drive/sense mode with lead zirconate titanate resonator which improves device's performance and simplifies its structural complexity. The operation principle of piezoelectric disk resonator is given and validated by finite element method,and the scale factor of piezoelectric disk resonator is 0.977 μV/[(°) · s-1] without any amplification section.The results of impedance analysis for the prototype in the air, which is fabricated on lead zirconate titanate wafer by Micro-Electro-Mechanical System process, show that the resonant frequency of the piezoelectric disk resonator is about 190 k Hz. Moreover, the measured frequency split between drive and sense mode is about290 Hz without any tuning methods. At last, a closed-loop driving and detecting circuit system is designed and its modulation/demodulation method is studied, preliminary experiments show that this device is not sensitive to acceleration, but is sensitive to angular velocity, its performance parameters need follow-up experiments. 展开更多
关键词 Micro-Electro-Mechanical System angular velocity bulk acoustic wave piezoelectric resonator mode matching
原文传递
High Q,high frequency,high overtone bulk acoustic resonator with ZnO films 被引量:1
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作者 Meng-wei LIU Ming-bo ZHU +1 位作者 Jun-hong LI Cheng-hao WANG 《Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics)》 SCIE EI 2013年第4期279-282,共4页
Bulk acoustic wave resonators with piezoelectric films have been widely explored for the small size and high quality factor (Q) at GHz. This paper describes a high overtone bulk acoustic resonator (HBAR) based on ... Bulk acoustic wave resonators with piezoelectric films have been widely explored for the small size and high quality factor (Q) at GHz. This paper describes a high overtone bulk acoustic resonator (HBAR) based on AI/ZnO/AI sandwich layers and c-axis sapphire substrate. ZnO film with high quality c-axis orientation has been obtained using DC magnetron sputtering. The fabricated HBAR presents high Q at the multiple resonances from a 0.5-4.0 GHz wide band with a total size (including the contact pads) of 0.6 mm×0.3 mm×0.4 mm, The device exhibits the best acoustic coupling at around 2.4 GHz, which agrees with the simulation results based on the one-dimensional Mason equivalent circuit model. The HBAR also demonstrates Q values of 30 000, 25 000, and 6500 at 1.49, 2.43, and 3.40 GHz, respectively. It is indicated that the HBAR has potential applications for the low phase noise high frequency oscillator or microwave signal source. 展开更多
关键词 bulk acoustic wave resonator Quality factor (Q) ZnO film Mason's model
原文传递
基于优化布拉格结构的固态装配型谐振器
6
作者 张世峰 轩伟鹏 +2 位作者 石林豪 董树荣 浦世亮 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期449-455,共7页
体声波谐振器的有效耦合系数和品质因数决定了体声波滤波器的整体性能。有效耦合系数依赖于叠层结构和压电材料。而品质因数高度依赖于损耗机制,主要为电学损耗和声学损耗。对于固态装配型谐振器(SMR),声学损耗主要为透过衬底的能量泄... 体声波谐振器的有效耦合系数和品质因数决定了体声波滤波器的整体性能。有效耦合系数依赖于叠层结构和压电材料。而品质因数高度依赖于损耗机制,主要为电学损耗和声学损耗。对于固态装配型谐振器(SMR),声学损耗主要为透过衬底的能量泄漏。为提高SMR的品质因数,改进了布拉格堆叠结构,使纵波和剪切波同时被约束在压电堆叠结构中,以减少声能对衬底的泄漏。同时,为抑制谐振腔的杂散模式,优化了布拉格结构顶层薄膜厚度,器件色散特性由Ⅱ型变为Ⅰ型。通过仿真和实验表明:基于优化布拉格结构的SMR性能得到了明显改善。 展开更多
关键词 体声波 固体装配型谐振器 布拉格 剪切波 高品质因数
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边缘空气层薄膜体声波谐振器的设计与制备
7
作者 朱宇涵 段兰燕 +4 位作者 陈志鹏 许锴镔 胡晗 衣新燕 李国强 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期11-15,共5页
压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高... 压电薄膜存在固有的对压电效应的非线性迟滞响应,并且声波有向边缘传播的横波分量,二者都会产生声波的能量损耗。该文设计了一种具有边缘空气层结构的单晶氮化铝薄膜体声波谐振器,可以减小非线性迟滞的机电损耗并阻止横波能量泄露,提高谐振器的品质因数。使用COMSOL对设计的器件进行有限元模拟仿真,并成功制备出具有边缘空气层结构的谐振器进行测试验证。 展开更多
关键词 单晶氮化铝薄膜体声波谐振器 边缘空气层 有限元仿真 压电非线性效应
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压电AlN MEMS的新进展
8
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期1-25,共25页
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN... Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN薄膜具有较好的压电性能,与CMOS工艺相兼容,压电AlN MEMS首先在手机应用的射频谐振器、滤波器方面取得突破,实现量产,近年来压电AlN MEMS已成为MEMS技术创新发展的热点。介绍了压电AlN MEMS在掺杂薄膜材料制备、新器件结构设计、新工艺、可靠性和应用创新等方面的最新进展,包含掺钪AlN薄膜研制、AlN薄膜多层结构、AlScN薄膜性能、AlN薄膜制备;体声波(BAW)谐振器与固体安装谐振器(SMR)、薄膜体声波谐振器(FBAR)和薄膜压电MEMS、轮廓模式谐振器(即兰姆波谐振器)、混合谐振器、AlN压电微机械超声换能器(PMUT)等结构创新;有利于CMOS集成,批量高可靠,压电AlN薄膜的晶圆量产,AlScN器件工艺优化;AlN MEMS热疲劳和抗辐照;谐振器与滤波器、能量收集器、物质和生物传感与检测、指纹传感器、图像器和麦克风、通信、微镜传感、柔性传感等方面研究成果。分析和评价了压电AlN MEMS关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT)
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压电AlN MEMS的新进展(续)
9
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期1-31,共31页
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN... Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN薄膜具有较好的压电性能,与CMOS工艺相兼容,压电AlN MEMS首先在手机应用的射频谐振器、滤波器方面取得突破,实现量产,近年来压电AlN MEMS已成为MEMS技术创新发展的热点。介绍了压电AlN MEMS在掺杂薄膜材料制备、新器件结构设计、新工艺、可靠性和应用创新等方面的最新进展,包含掺钪AlN薄膜研制、AlN薄膜多层结构、AlScN薄膜性能、AlN薄膜制备;体声波(BAW)谐振器与固体安装谐振器(SMR)、薄膜体声波谐振器(FBAR)和薄膜压电MEMS、轮廓模式谐振器(即兰姆波谐振器)、混合谐振器、AlN压电微机械超声换能器(PMUT)等结构创新;有利于CMOS集成,批量高可靠,压电AlN薄膜的晶圆量产,AlScN器件工艺优化;AlN MEMS热疲劳和抗辐照;谐振器与滤波器、能量收集器、物质和生物传感与检测、指纹传感器、图像器和麦克风、通信、微镜传感、柔性传感等方面研究成果。分析和评价了压电AlN MEMS关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT)
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膜片上薄膜体声波谐振器型微加速度计 被引量:4
10
作者 高杨 何婉婧 +2 位作者 李君儒 黄振华 蔡洵 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第2期262-269,共8页
针对"FBAR(薄膜体声波谐振器)-梁"结构悬臂梁厚度不足、"嵌入式FBAR"结构微加工工艺复杂的缺点,提出了新型"膜片上FBAR(FBAR-on-diaphragm)"结构的微加速度计。其弹性膜片由氧化硅/氮化硅复合薄膜构成,... 针对"FBAR(薄膜体声波谐振器)-梁"结构悬臂梁厚度不足、"嵌入式FBAR"结构微加工工艺复杂的缺点,提出了新型"膜片上FBAR(FBAR-on-diaphragm)"结构的微加速度计。其弹性膜片由氧化硅/氮化硅复合薄膜构成,既便于实现与硅微检测质量和FBAR的IC兼容集成加工,也利于改善微加速度计的灵敏度和温度稳定性。对由氧化硅/氮化硅双层复合膜片-硅检测质量惯性力敏结构和氮化铝FBAR检测元件集成的膜片上FBAR型微加速度计进行了初步的性能分析,验证了该结构的可行性。通过有限元模态分析和静力学仿真得出惯性加速度作用下膜片上FBAR结构的固有频率和弹性膜片上的应力分布;选取计算所得的最大应力作为FBAR中压电薄膜的应力载荷,结合依据第一性原理计算得到的纤锌矿氮化铝的弹性系数-应力关系,粗略估计了惯性加速度作用下氮化铝薄膜弹性系数的最大变化量;采用射频仿真软件,通过改变惯性加速度作用下弹性常数所对应的纵波声速,对比空载和不同惯性加速度作用下加速度计的谐振频率,得到加速度计的频率偏移特性和灵敏度。进一步分析仿真结果还发现:氧化硅/氮化硅膜片的一阶固有频率与高阶频率相隔较远,交叉耦合小;惯性加速度作用下,谐振频率向高频偏移,灵敏度约为数k Hz/g,其加速度-谐振频率偏移特性曲线具有良好的线性。 展开更多
关键词 微电子机械系统 薄膜体声波谐振器 微加速度计 灵敏度
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声体波谐振器压控振荡器 被引量:3
11
作者 王宗富 郑泽渔 +2 位作者 杨正兵 朱昌安 田亚睿 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第5期683-686,共4页
声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题。... 声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题。研制了中心频率2.1GHz的VCO振荡器,研究结果表明,其输出功率为5~10dBm,调谐范围为2.044‰,边带相噪为-143dBc/1Hz@1MHz。 展开更多
关键词 声体波 压控振荡器(VCO) 谐振器
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基于六端口反射计的体声波传感器读出电路 被引量:4
12
作者 黄振华 高杨 +1 位作者 蔡洵 赵俊武 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1066-1070,共5页
由于体声波传感器具有灵敏度高,准数字量输出,便于集成和工作频率高等特点,使其近几年迅速发展,且因为体声波传感器具有工作频率高的特点,导致其读出电路部分复杂,不易集成,致使体声波传感器的实用性不高。为推进体声波传感器的实用化,... 由于体声波传感器具有灵敏度高,准数字量输出,便于集成和工作频率高等特点,使其近几年迅速发展,且因为体声波传感器具有工作频率高的特点,导致其读出电路部分复杂,不易集成,致使体声波传感器的实用性不高。为推进体声波传感器的实用化,该文提出一种基于六端口反射计的体声波传感器读出电路代替使用矢量网络分析仪的原创性设想。采用Agilent公司的射频仿真软件Advanced Design System初步验证了基于六端口反射计的体声波传感器读出电路的可行性,并给出了满足薄膜体声波谐振器的射频输出信号检测要求的六端口网络的电路设计。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 体声波传感器 六端口网路 读出电路 片上矢量网络分析仪
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微声薄膜耦合谐振滤波器有限元建模与仿真 被引量:3
13
作者 杜波 马晋毅 +2 位作者 江洪敏 杨靖 徐阳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第5期672-675,共4页
针对一维等效电路仿真模型不能对滤波器振动模式进行仿真的局限性,建立了微声薄膜耦合谐振滤波器二维和三维的有限元模型,仿真分析了滤波器在对称谐振频率和反对称谐振频率下的振动模式,并通过频率响应分析得到了滤波器的S参数。仿真结... 针对一维等效电路仿真模型不能对滤波器振动模式进行仿真的局限性,建立了微声薄膜耦合谐振滤波器二维和三维的有限元模型,仿真分析了滤波器在对称谐振频率和反对称谐振频率下的振动模式,并通过频率响应分析得到了滤波器的S参数。仿真结果表明,采用有限元分析法可实现微声薄膜耦合谐振滤波器几何参数以及电极结构的优化设计。 展开更多
关键词 微声薄膜 耦合谐振滤波器 有限元
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S波段窄带带通体声波滤波器设计 被引量:4
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作者 高杨 赵坤丽 韩超 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期95-101,共7页
针对无人机测控应用设计了一种S波段窄带带通体声波(BAW)滤波器,其技术指标为:中心频率2.46 GHz,带宽41 MHz,带内插损大于-3 d B,带内纹波小于1 d B,带外抑制小于-40 d B@2.385 GHz和2.506 GHz。采用Mason模型设计了BAW滤波器中各薄膜... 针对无人机测控应用设计了一种S波段窄带带通体声波(BAW)滤波器,其技术指标为:中心频率2.46 GHz,带宽41 MHz,带内插损大于-3 d B,带内纹波小于1 d B,带外抑制小于-40 d B@2.385 GHz和2.506 GHz。采用Mason模型设计了BAW滤波器中各薄膜体声波谐振器(FBAR)的叠层结构;使用变迹法设计了各FBAR(电极)的形状;采用一种自行开发的自动布局方法得到紧凑的BAW滤波器布局;建立了BAW滤波器的声-电磁协同仿真模型,通过这种高保真的多物理场仿真方法对设计结果进行了性能验证。该设计流程是通用的,并且有两个特点:采用声-电磁协同仿真方法对设计阶段的BAW滤波器进行最终性能检验,可以及早发现并拒绝1D Mason模型过于乐观的设计;滤波器布局设计中采用了一种新的自动化布局方法,大大简化了在此阶段的反复尝试工作,也为声-电磁协同仿真模型输出了必需的面内结构信息。 展开更多
关键词 体声波 滤波器 薄膜体声波谐振器 变迹电极 声-电磁协同仿真 布局
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薄膜体声波谐振器的热学分析 被引量:2
15
作者 张睿 焦向全 +3 位作者 马晋毅 杜波 钟慧 石玉 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期1-4,共4页
采用有限元分析软件Comsol Multiphics构建谐振器三维模型,研究器件结构、材料对其热性能的影响。固态装配型谐振器(SMR)有更好的热传导能力与热应力稳定性。在SMR器件中增加一层SiO2,其最高稳态温度上升7℃。器件最高稳态温度随其谐振... 采用有限元分析软件Comsol Multiphics构建谐振器三维模型,研究器件结构、材料对其热性能的影响。固态装配型谐振器(SMR)有更好的热传导能力与热应力稳定性。在SMR器件中增加一层SiO2,其最高稳态温度上升7℃。器件最高稳态温度随其谐振区面积的减小而迅速增大。当器件换用高热导率材料时,器件最高稳态温度及其随热耗散功率增加而增大的幅度明显降低。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 有限元 热学分析 COMSOL 大功率
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体声波力传感器灵敏度的微分-综合分析法 被引量:3
16
作者 高杨 赵坤丽 赵俊武 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1-7,共7页
为了分析基于应力/应变效应的体声波(BAW)力传感器的敏感机理、准确计算其灵敏度,提出了一种用于BAW力传感器灵敏度分析的微分-综合分析法。该方法借鉴了微积分的原理,在Mason等效电路模型中将一个完整的BAW谐振器替换为多个谐振器微元... 为了分析基于应力/应变效应的体声波(BAW)力传感器的敏感机理、准确计算其灵敏度,提出了一种用于BAW力传感器灵敏度分析的微分-综合分析法。该方法借鉴了微积分的原理,在Mason等效电路模型中将一个完整的BAW谐振器替换为多个谐振器微元的并联,从而将谐振器有源区面积A上应力/应变场的有限元计算结果与压电薄膜材料的力学特性、谐振器微元的电声学特性关联起来;最后,在射频电路仿真软件中进行等效电路的综合,得到整个BAW谐振器在应力/应变场作用下的阻抗特性曲线及其串/并联谐振频率。当BAW谐振器微元的划分足够细密时,获得的灵敏度分析结果将足够精确。为了论证该方法的原理,给出了一个直观的校核案例。以一个嵌入式FBAR结构的四梁BAW加速度计表头为例,介绍了该方法用于BAW力传感器灵敏度分析的详细过程。虽然案例中只讨论了一种应力/应变型BAW力传感器的单一力敏机理,但该方法具有普适性。并且,当谐振器微元小到接近其压电材料晶格的尺度时,就能与压电薄膜的力-声-电特性的第一性原理计算结果关联起来,实现从微观材料特性到介观器件物理的多尺度计算。 展开更多
关键词 体声波 谐振器 力传感器 灵敏度 有限元 等效电路
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一款2.4 GHz WiFi频段FBAR带通滤波器设计 被引量:1
17
作者 唐小龙 刘娅 +7 位作者 蒋平英 张必壮 徐瑞豪 刘繁 张建清 司美菊 吕俊豪 杜雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期191-193,198,共4页
该文设计了一款2.4 GHz WiFi频段(2401~2483 MHz)薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason电路模型,在ADS中搭建了阶梯形滤波器电路;在HFSS中建立了封装结构和测试电路有限元电磁模型,并在ADS中完成了联合仿真设计。通过微机电系统... 该文设计了一款2.4 GHz WiFi频段(2401~2483 MHz)薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason电路模型,在ADS中搭建了阶梯形滤波器电路;在HFSS中建立了封装结构和测试电路有限元电磁模型,并在ADS中完成了联合仿真设计。通过微机电系统(MEMS)工艺制备与测试,滤波器在2401~2483 MHz频段的插入损耗≤2.2 dB。在2520~2900 MHz处,带外抑制≥40 dB,滤波器体积仅1.1 mm×0.9 mm×0.65 mm。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) WiFi频段 体声波(BAW) 滤波器 Mason模型
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体声波传感器的系统级行为仿真 被引量:2
18
作者 黄振华 高杨 蔡洵 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期183-185,188,共4页
为证明六端口网络可用于体声波(BAW)传感器读出电路,对包含薄膜体声波谐振器(FBAR)和微带六端口网络的BAW传感器最小系统建立等效电路模型。在ADS软件中对FBAR建立Mason等效电路模型和对微带六端口网络建立等效电路模型。微带六端口网... 为证明六端口网络可用于体声波(BAW)传感器读出电路,对包含薄膜体声波谐振器(FBAR)和微带六端口网络的BAW传感器最小系统建立等效电路模型。在ADS软件中对FBAR建立Mason等效电路模型和对微带六端口网络建立等效电路模型。微带六端口网络的端口1连接射频源,端口2与FBAR相连,其他4个端口分别连接4个50Ω的电阻用于读取功率;在Matlab软件中分别使用根心解法和平均解法对FBAR的反射系数进行求解,解得两条反射系数与频率曲线,分析得到了两种反射系数近似计算方法的优劣,并分析了六端口网络工作频带的增宽方法。仿真结果表明,微带六端口网络能准确测量出FBAR的反射系数与频率曲线,证明六端口网络可用于BAW传感器读出电路。 展开更多
关键词 体声波 体声波传感器 薄膜体声波谐振器 六端口网络 读出电路
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体声波双工器的优化设计方法 被引量:3
19
作者 高杨 蔡洵 黄振华 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期679-682,共4页
体声波(BAW)双工器中Rx滤波器对Tx滤波器的负载效应,会使Tx滤波器的插入损耗性能退化而带外抑制性能过剩,进而使得BAW双工器性能不佳。为了解决这一问题,提出了一种BAW双工器的优化设计方法。设置BAW双工器中Tx滤波器的串联薄膜体声波... 体声波(BAW)双工器中Rx滤波器对Tx滤波器的负载效应,会使Tx滤波器的插入损耗性能退化而带外抑制性能过剩,进而使得BAW双工器性能不佳。为了解决这一问题,提出了一种BAW双工器的优化设计方法。设置BAW双工器中Tx滤波器的串联薄膜体声波谐振器(FBAR)单元谐振区面积,及并联FBAR单元与串联FBAR单元谐振区面积比值为两组优化变量,通过牺牲Tx滤波器过剩带外抑制性能的方式,采用基于梯度的优化算法计算得到了两组优化变量的最终取值。以一个工作在FDD-LTE band 7的BAW双工器优化设计案例展示了该方法的应用流程。优化设计结果的仿真验证表明,Tx滤波器的插入损耗性能从2dB提升至1.1dB,带内波动性能从1dB提升至0.3dB。由此验证了该方法的可行性。 展开更多
关键词 体声波(BAW) 双工器 滤波器 负载效应 谐振区面积 优化变量
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AlN薄膜体声波梯形滤波器的制备与性能分析 被引量:1
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作者 熊娟 顾豪爽 +2 位作者 胡宽 吴小鹏 吴雯 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期833-835,共3页
用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性。讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响。以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网... 用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性。讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响。以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网络分析仪表征了器件的结构和传输响应特性,测试结果表明,所制备的滤波器结构完整,图形整齐,并得到滤波器的带宽为180MHz,带外衰减为-10.12dB,插入损耗为-5.15dB。 展开更多
关键词 滤波器 薄膜体声波谐振器 Mason模型 ALN
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