随着人们进入信息时代,半导体技术快速发展,对薄膜晶体管(Thin film transistor,简称TFT)的性能要求逐渐提高.IGZO由于具有较高的载流子迁移率、相对良好的均匀性等优势而受到广泛关注;而传统的真空技术制备薄膜晶体管,因制备工艺复杂...随着人们进入信息时代,半导体技术快速发展,对薄膜晶体管(Thin film transistor,简称TFT)的性能要求逐渐提高.IGZO由于具有较高的载流子迁移率、相对良好的均匀性等优势而受到广泛关注;而传统的真空技术制备薄膜晶体管,因制备工艺复杂、制备成本高等问题,在快速发展的信息时代逐渐显露出局限性,本文采用制备工艺更为简单的溶液法在Si/SiO_(2)基底上制备IGZO有源层薄膜,并测试不同退火温度(450℃,550℃,650℃)条件下对薄膜性能的影响.结果表明,适当提高退火温度可以有效改善IGZO-TFT器件的电学性能,本实验测试得出:当溶液法制备薄膜在550℃退火温度下退火器件性能最优,溶液法制备的器件电流开关闭达到105,器件性能相对比较稳定.展开更多
研究了6世代线生产的A产品边角白点不良问题。首先针对不良进行实物分析,然后利用Minitab软件的二元逻辑回归方法进行了数据分析,最后通过不同的工艺试验条件对不良进行改善。实验结果表明:不良区域封框胶被金属走线遮挡,遮挡比例是边...研究了6世代线生产的A产品边角白点不良问题。首先针对不良进行实物分析,然后利用Minitab软件的二元逻辑回归方法进行了数据分析,最后通过不同的工艺试验条件对不良进行改善。实验结果表明:不良区域封框胶被金属走线遮挡,遮挡比例是边角白点不良的重要影响因素;TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)进一步分析发现不良区有更高含量的封框胶成分(丙烯酸类、双酚A类)。封框胶被金属走线遮挡,造成该区域封框胶固化不完全,导致封框胶成分析出溶入液晶,继而影响液晶正常偏转,产生边角白点不良。通过调整边角处的封框胶画法,可以有效降低不良率。实验改善了边角白点不良,为A产品的顺利量产打下了坚实基础。展开更多
文摘随着人们进入信息时代,半导体技术快速发展,对薄膜晶体管(Thin film transistor,简称TFT)的性能要求逐渐提高.IGZO由于具有较高的载流子迁移率、相对良好的均匀性等优势而受到广泛关注;而传统的真空技术制备薄膜晶体管,因制备工艺复杂、制备成本高等问题,在快速发展的信息时代逐渐显露出局限性,本文采用制备工艺更为简单的溶液法在Si/SiO_(2)基底上制备IGZO有源层薄膜,并测试不同退火温度(450℃,550℃,650℃)条件下对薄膜性能的影响.结果表明,适当提高退火温度可以有效改善IGZO-TFT器件的电学性能,本实验测试得出:当溶液法制备薄膜在550℃退火温度下退火器件性能最优,溶液法制备的器件电流开关闭达到105,器件性能相对比较稳定.
文摘研究了6世代线生产的A产品边角白点不良问题。首先针对不良进行实物分析,然后利用Minitab软件的二元逻辑回归方法进行了数据分析,最后通过不同的工艺试验条件对不良进行改善。实验结果表明:不良区域封框胶被金属走线遮挡,遮挡比例是边角白点不良的重要影响因素;TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)进一步分析发现不良区有更高含量的封框胶成分(丙烯酸类、双酚A类)。封框胶被金属走线遮挡,造成该区域封框胶固化不完全,导致封框胶成分析出溶入液晶,继而影响液晶正常偏转,产生边角白点不良。通过调整边角处的封框胶画法,可以有效降低不良率。实验改善了边角白点不良,为A产品的顺利量产打下了坚实基础。