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A Statistical Method for Characterizing CMOS Process Fluctuations in Subthreshold Current Mirrors 被引量:2
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作者 张雷 余志平 贺祥庆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期82-87,共6页
A novel method to characterize CMOS process fluctuations in subthreshold current mirrors (SCM) is reported. The proposed model is succinct in methodology and calculation complexity compared with previous statistical... A novel method to characterize CMOS process fluctuations in subthreshold current mirrors (SCM) is reported. The proposed model is succinct in methodology and calculation complexity compared with previous statistical models. However,it provides favorable estimations of CMOS process fluctuations on the SCM circuit, which makes it promising for engineering applications. The model statistically abstracts physical parameters, which depend on the IC process, into random variables with certain mean values and standard deviations, while aggregating all the random impacts into a discrete martingale. The correctness of the proposed method is experimentally verified on an SCM circuit implemented in an SMIC 0.18μm CMOS 1P6M mixed signal process with a conversion factor of 100 in an input range from 100pA to lμA. The pro- posed theory successfully predicts - 10% of die-to-die fluctuation measured in the experiment, and also suggests the -lmV of threshold voltage standard deviation over a single die,which meets the process parameters suggested by the design kit from the foundry. The deviations between calculated probabilities and measured data are less than 8%. Meanwhile, pertinent suggestions concerning high fluctuation tolerance subthreshold analog circuit design are also made and discussed. 展开更多
关键词 CMOS process fluctuations subthreshold current mirror random variable PROBABILITY discrete martingale
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A Novel Ultra Low Power High Performance Atto-Ampere CMOS Current Mirror with Enhanced Bandwidth 被引量:1
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作者 Seyed Javad Azhari Khalil Monfaredi Hassan Faraji Baghtash 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2010年第3期251-256,共6页
A novel CMOS atto-ampere current mirror (AACM) is proposed which reaches the minimum yet reported current range of 0.4 aA. Operation of this circuit is based on the source voltage modulation instead of the conventio... A novel CMOS atto-ampere current mirror (AACM) is proposed which reaches the minimum yet reported current range of 0.4 aA. Operation of this circuit is based on the source voltage modulation instead of the conventionally used gate voltage modulation which interestingly prevents usage of commonly required voltage shifting in those circuits. The proposed circuit has a simple structure prohibiting large chip area consumption which consumes extremely low power of 1.5 μW. It is thus the best choice for ultra low power low voltage (ULPLV) applications. By using a very simple frequency compensation technique, its bandwidth is widened to 15.8 kHz. Simulation results in SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation) 0.18 μm CMOS technology with Hspice are presented to demonstrate the validation of the proposed current mirror. 展开更多
关键词 Atto-ampere current mirror low voltage ultra low power.
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High-Performance CMOS Current Mirrors: Application to Linear Voltage-to-Current Converter Used for Two-Stage Operational Amplifier
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作者 Radwene Laajimi Mohamed Masmoudi 《Circuits and Systems》 2012年第4期311-316,共6页
This paper presents two schemes of high performance CMOS current mirror, one of them is used for operational tran-sconductance amplifier (OTA) in analog VLSI systems. The linearity, output impedance, bandwidth and acc... This paper presents two schemes of high performance CMOS current mirror, one of them is used for operational tran-sconductance amplifier (OTA) in analog VLSI systems. The linearity, output impedance, bandwidth and accuracy are the most parameters to determine the performance of the current mirror. Here a comparison of two architectures based on same architecture of the amplifier is presented. This comparison includes: linearity, output impedance, bandwidth and accuracy. These two circuits are validated with simulation in technology AMS 0.35 μm. An operational amplifier based on the adapted current mirror is proposed. Its frequency analysis with large bandwidth is validated with the same technology. 展开更多
关键词 Analog Circuits current Source current mirror Low VOLTAGE Operational TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER
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Very Low Power,Low Voltage,High Accuracy,and High Performance Current Mirror
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作者 Hassan Faraji Baghtash Khalil Monfaredi Ahmad Ayatollahi 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2011年第3期211-215,共5页
A novel low power and low voltage current mirror with a very low current copy error is presented and the principle of its operation is discussed. In this circuit, the gain boosting regulated cascode scheme is used to ... A novel low power and low voltage current mirror with a very low current copy error is presented and the principle of its operation is discussed. In this circuit, the gain boosting regulated cascode scheme is used to improve the output resistance, while using inverter as an amplifier. The simulation results with HSPICE in TSMC 0.18 μm CMOS technology are given, which verify the high performance of the proposed structure. Simulation results show an input resistance of 0.014 Ω and an output resistance of 3 GΩ. The current copy error is favorable as low as 0.002% together with an input (the minimum input voltage of Vin,min- 0.24 V) and an output (the minimum output voltage of Vout,min~ 0.16 V) compliances while working with the 1 V power supply and the 50 μA input current. The current copy error is near zero at the input current of 27 μA. It consumes only 76μW and introduces a very low output offset current of 50 pA. 展开更多
关键词 Index Terms--current mirror/source high accurate high output resistance low power low voltage.
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高精度电压电流转换电路中电流镜校准技术
5
作者 王巍 吴浩 +5 位作者 丁辉 夏旭 童涛 郭家成 王方 谢应涛 《微电子学与计算机》 2024年第6期95-102,共8页
电流镜输出误差主要由3个不同失配源造成:漏源电压(V_(DS)),阈值电压(V_(th)),跨导系数(β)。其中,第一项V_(DS)失配通常是由有限输出阻抗引起的确定性误差,该误差可以通过使用级联结构以及增益提升技术避免,后两项V_(th)和β失配是由... 电流镜输出误差主要由3个不同失配源造成:漏源电压(V_(DS)),阈值电压(V_(th)),跨导系数(β)。其中,第一项V_(DS)失配通常是由有限输出阻抗引起的确定性误差,该误差可以通过使用级联结构以及增益提升技术避免,后两项V_(th)和β失配是由工艺引起的随机性误差。为解决电流镜因工艺失配现象导致的电压电流(Voltage to Current)转换电路精度、线性度较差的问题,提出了一种动态元件匹配(Dynamic Element Match,DEM)以及修调技术(TRIM)相结合的电流镜校准方法,该方法使用TRIM技术将待校准输出电流镜支路和基准电流镜支路之间的误差电流,通过电容与MOS管转换成校准电流后反馈流入待校准输出电流镜支路完成校准,并通过DEM技术切换多条待校准输出电流镜支路完成校准的同时使输出误差平均化。本文采用SMIC 0.18μm BCD工艺对所提出的V-I转换电路进行了电路设计,仿真结果表明,V-I转换电路的输出电流的失配误差从0.12%下降到了0.03%,有效位数ENOB达到了11.2 bit,总谐波失真THD为−72.6 dB。 展开更多
关键词 动态元件匹配(DEM) TRIM技术 V-I变换 电流镜校准
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快速反射镜双线性插值标定技术
6
作者 王宇先 刘力双 +1 位作者 陈青山 刘洋 《激光杂志》 CAS 北大核心 2024年第1期54-58,共5页
为满足光电系统中对快速反射镜高指向精度的需求,对基于电涡流传感器测量的快速反射镜二维角度标定技术进行研究。分析了利用电涡流传感器进行二维角度测量的工作原理,设计了快速反射镜角度标定系统。对多项式拟合、双线性插值两种标定... 为满足光电系统中对快速反射镜高指向精度的需求,对基于电涡流传感器测量的快速反射镜二维角度标定技术进行研究。分析了利用电涡流传感器进行二维角度测量的工作原理,设计了快速反射镜角度标定系统。对多项式拟合、双线性插值两种标定模型进行了理论分析和实验测试。结果表明,在±1000″角度范围内,双线性插值法标定的误差在2″以内,比传统的多项式拟合法标定精度高。标定精度的提高对实现快速反射镜高精度指向具有十分重要意义。 展开更多
关键词 快速反射镜 系统标定 双线性插值 电涡流传感器
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tDCS联合MT对脑卒中患者上肢功能和日常生活活动能力康复效果的Meta分析 被引量:1
7
作者 侯兵 王金芝 +4 位作者 赵越 王睿月 张晓雪 陈琳渝 窦娜 《华北理工大学学报(医学版)》 2024年第2期138-144,共7页
目的系统评价经颅直流电刺激(tDCS)联合镜像疗法(MT)对脑卒中患者上肢功能和日常生活活动能力的康复效果。方法计算机检索PubMed、Web of Science、The Cochrane library、Embase、中国知网、万方、维普和中国生物医学文献数据库,收集... 目的系统评价经颅直流电刺激(tDCS)联合镜像疗法(MT)对脑卒中患者上肢功能和日常生活活动能力的康复效果。方法计算机检索PubMed、Web of Science、The Cochrane library、Embase、中国知网、万方、维普和中国生物医学文献数据库,收集所有经tDCS联合MT治疗脑卒中患者上肢障碍的随机对照试验,检索时限从建库至2023年1月,由两名研究者独立提取数据。使用RevMan5.4软件进行Meta分析。评价主要结局指标:Fugl-Meyer上肢功能评定量表(FMA-UL)评分和改良Barthel指数量表(MBI)评分。次要结局指标:盒子积木测试(BBT)评分。结果共纳入7篇随机对照试验,包含379例患者。Meta分析结果显示,与单独tDCS组相比,联合组FMA-UL评分[MD=5.17,95%CI(3.80,6.54)]和MBI评分[MD=6.71,95%CI(4.61,8.80)]均显著提高;与单独MT组相比,联合组FMA-UL评分[MD=6.72,95%CI(3.67,9.76)]、MBI评分[MD=17.91,95%CI(2.49,33.33)]及BBT评分[MD=9.52,95%CI(3.30,15.74)]均显著提高。结论相较于单独使用tDCS或MT,tDCS联合MT改善脑卒中患者上肢运动功能和日常生活活动能力的疗效更显著。 展开更多
关键词 经颅直流电刺激 镜像疗法 脑卒中 META分析
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一种片上高稳定性RC振荡器设计
8
作者 郭宇鹏 陈磊 《电子设计工程》 2024年第19期16-21,26,共7页
基于片上系统对高稳定性时钟的需求,采用sk110 nm工艺设计了一款高稳定性RC振荡器。采用比较器失调电压消除结构、比较器延时测量电路以及斩波电流镜结构电路提高了RC振荡器的稳定性。使用Cadence Spectre工具进行仿真验证,结果表明在5 ... 基于片上系统对高稳定性时钟的需求,采用sk110 nm工艺设计了一款高稳定性RC振荡器。采用比较器失调电压消除结构、比较器延时测量电路以及斩波电流镜结构电路提高了RC振荡器的稳定性。使用Cadence Spectre工具进行仿真验证,结果表明在5 V电源电压、TT工艺角、27℃环境下,振荡器输出频率为119.4 kHz;在-40~125℃温度变化范围内,电源电压为5 V情况下,输出频率变化范围在±0.5%以内;在4.5~5.5 V电源电压变化范围内,温度为27℃情况下,输出频率变化范围在±0.25%以内,适合集成到片上系统中。 展开更多
关键词 RC振荡器 高稳定性 延时测量 失调电压 斩波电流镜
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深空探测中磁强计在轨标定研究进展
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作者 王国强 《地球与行星物理论评(中英文)》 2024年第5期563-582,共20页
磁场测量是深空探测的重要任务之一,高精度的磁场测量对研究行星宜居性、空间等离子体环境等具有重要意义.磁通门磁强计是空间探测任务中最广泛使用的仪器之一.然而其磁补偿会随时间缓慢变化,因此,在卫星飞行期间需要定期对磁强计的磁... 磁场测量是深空探测的重要任务之一,高精度的磁场测量对研究行星宜居性、空间等离子体环境等具有重要意义.磁通门磁强计是空间探测任务中最广泛使用的仪器之一.然而其磁补偿会随时间缓慢变化,因此,在卫星飞行期间需要定期对磁强计的磁补偿实施在轨标定.本文综述了基于空间物理现象对星载磁强计实施在轨标定的方法.根据计算磁补偿的方式,这些方法可分为两类.第一类方法通过公式计算磁补偿,如基于阿尔芬波动特征的Belcher方法、Hedgecock方法和Davis-Smith方法,以及一维和三维磁镜模方法;这类方法中,Davis-Smith方法被认为是计算磁补偿的最优方法.第二类方法通过概率获取磁补偿的最优解,该类方法被称为新一代在轨标定技术,目前已发展出六种算法;该技术可使用阿尔芬波动、磁镜结构和电流片中的一种或多种现象来实施在轨标定,另外,该技术也可以使用足够数据量(如4小时)的任意行星际磁场数据来计算磁补偿.与Davis-Smith方法相比,新一代在轨标定技术具有很好的兼容性(可同时使用不同的物理现象)和拓展性.除了太阳风,该技术还能在火星磁鞘中实施在轨标定.目前,该技术已为“天问一号”环绕器的磁场数据提供标定服务. 展开更多
关键词 深空探测 磁强计 磁补偿 在轨标定 行星际磁场 阿尔芬波 磁镜结构 电流片
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NEW DARK CURRENT SUPPRESSION CMOS READOUT CIRCUIT WITH NOVEL CDS STRUCTURE FOR LARGE FORMAT QWIP FPA
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作者 ZhangZhi YuanXianghui +1 位作者 HuangYoushu LuGuolin 《Journal of Electronics(China)》 2004年第5期384-391,共8页
A new Dark Current Suppression (DCS) CMOS readout circuits for large format Quantum-Well-Infrared Photo-detector (QWIP) Focal-Plane-Array (FPA) with novel Correlated-Double-Sampling (CDS) structure based on dynamic so... A new Dark Current Suppression (DCS) CMOS readout circuits for large format Quantum-Well-Infrared Photo-detector (QWIP) Focal-Plane-Array (FPA) with novel Correlated-Double-Sampling (CDS) structure based on dynamic source-follower are proposed, which can overcome the drawbacks of the present techniques, such as sensitive to the non-uniformity of the QWIP materials, poor readout noise features, low frame frequency, limited injection efficiency and dynamic range, etc. The dummy is adopted to realize dark current suppression, while the cascode current mirror (with current ratio of 1:10) can increase charge sensitivity and reduce integration time. Through the novel CDS structure, the output waveform is boxcar, and the frame frequency is increased. Simulation results demonstrate that, in high background sense, the proposed DCS circuit can suppress the dark current, achieve good readout performance, such as low power consumption, high charge sensitivity, high resolution, large dynamic range, and insensitive to the non-uniformity of the QWIP materials. 展开更多
关键词 Dark current Suppression (DCS) Correlated-Double-Sampling (CDS) Quantum-Well-Infrared-Photo-detector(QWIP) Focal-Plane-Array (FPA) Dynamic source-follower Cas-code current mirror Fixed-pattern-noise
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Effect of Mirror Magnetic Field on Abnormal Glow Discharge of Four-Anode Device
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作者 袁忠才 时家明 +1 位作者 许波 马柳 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第4期446-449,共4页
Abstract In the four-anode device, the mirror magnetic field affects the characteristics of charged particles motion, so that the current-voltage relations of glow discharge are changed. Firstly, the discharge device ... Abstract In the four-anode device, the mirror magnetic field affects the characteristics of charged particles motion, so that the current-voltage relations of glow discharge are changed. Firstly, the discharge device is introduced, and the distribution of mirror magnetic field generated by the loops surrounding the discharge chamber is presented. Both the discharge current-voltage characteristics and the radial distributions of electron density are measured, respectively, with/without the magnetic field. When the discharge occurs in a 99.99% helium with a pressure ranging from 100 Pa to 800 Pa without magnetic field, the voltage, sustaining a certain abnormal glow discharge current, decreases with the increase in gas pressure. With a mirror magnetic field of certain intensity, the discharge voltage increases with the current in a rate slower than that without the magnetic field. Moreover, when the magnetic field intensity increases, the discharge voltage first decreases then increases. Simultaneously, the mirror magnetic field affects the moving characteristics of charged particles, and causes a more inhomogeneous electron density. 展开更多
关键词 current-voltage relations abnormal glow discharge four-anode device mirror magnetic field
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经颅直流电刺激联合镜像疗法治疗脑卒中后上肢运动功能障碍患者的效果 被引量:1
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作者 高政 张会慧 +2 位作者 杨婷 王恒 范吉法 《广西医学》 CAS 2023年第18期2191-2195,共5页
目的探讨经颅直流电刺激联合镜像疗法治疗脑卒中后上肢运动功能障碍患者的效果。方法将142例脑卒中后上肢运动功能障碍患者随机分为对照组和研究组,各71例。在常规康复治疗的基础上,对照组患者接受经颅直流电刺激治疗,研究组患者接受经... 目的探讨经颅直流电刺激联合镜像疗法治疗脑卒中后上肢运动功能障碍患者的效果。方法将142例脑卒中后上肢运动功能障碍患者随机分为对照组和研究组,各71例。在常规康复治疗的基础上,对照组患者接受经颅直流电刺激治疗,研究组患者接受经颅直流电刺激联合镜像疗法治疗,两组均治疗6周。比较两组患者治疗前后的中枢运动传导时间(CMCT)、运动诱发电位皮质潜伏期、Fugl-Meyer评估量表上肢部分(FMA-UE)评分、Barthel指数得分、Wolf运动功能测试(WMFT)量表评分及生活质量。结果治疗6周后,两组患者的运动诱发电位皮质潜伏期、CMCT较治疗前缩短,生活质量各维度评分较治疗前升高,且研究组患者上述指标优于对照组(P<0.05);治疗3周后、6周后,两组患者的FMA-UE评分、Barthel指数得分、WMFT量表评分较治疗前提高,且研究组患者的上述得分高于对照组(P<0.05)。结论经颅直流电刺激联合镜像疗法能够有效改善脑卒中后上肢运动功能障碍患者患侧脑皮质兴奋性,提高上肢运动功能、手活动功能、日常生活活动能力及生活质量。 展开更多
关键词 脑卒中 上肢运动功能障碍 经颅直流电刺激 镜像疗法 生活质量
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空间强约束条件下电涡流传感器特性影响分析 被引量:1
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作者 陈阳 吕勇 刘力双 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2023年第8期26-30,共5页
针对快速控制反射镜中电涡流传感器因空间强约束影响使用性能的问题,采用有限元分析方法,建立了基于快速控制反射镜的差动式电涡流传感器仿真模型,对涡流传感器被测面大小受限时的测量结果进行了仿真与分析。结果表明:当因快速控制反射... 针对快速控制反射镜中电涡流传感器因空间强约束影响使用性能的问题,采用有限元分析方法,建立了基于快速控制反射镜的差动式电涡流传感器仿真模型,对涡流传感器被测面大小受限时的测量结果进行了仿真与分析。结果表明:当因快速控制反射镜内部音圈电机和柔性支撑贴近电涡流传感器导致传感器的被测面半径从满足3倍测头半径压缩到1倍时,电涡流传感器的灵敏度降低了47%,非线性误差增大了96%。但电涡流传感器的测量值在量程范围内保持单调变化,对传感器非线性进行校正后仍可实现快速控制反射镜的角度测量。 展开更多
关键词 快速控制反射镜 电涡流传感器 空间强约束 有限元分析 灵敏度 非线性
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一种71 dB动态范围的低噪声可编程增益放大器 被引量:1
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作者 范佳航 罗萍 +1 位作者 张致远 龚正 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第4期547-552,共6页
介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的动态范围达71 dB、步长为1 dB的低噪声可编程增益放大器。为了克服传统的三运放仪表放大器共模输入范围受限的缺点,本设计采用了电流模架构,实现轨到轨的共模输入范围。内部运放采用斩波来减小其... 介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的动态范围达71 dB、步长为1 dB的低噪声可编程增益放大器。为了克服传统的三运放仪表放大器共模输入范围受限的缺点,本设计采用了电流模架构,实现轨到轨的共模输入范围。内部运放采用斩波来减小其失调电压和低频1/f噪声。增益控制由粗调级和精调级两部分来实现,粗调级将电压信号转换为电流信号,精调级将电流信号恢复为电压信号,最终实现宽范围和高精度。仿真结果表明,该设计总共实现了-3 dB~68 dB的增益范围和1 dB的步长;在48 dB增益下1 Hz到100 kHz的等效输入噪声为3.573μV,1 kHz处CMRR和PSRR分别为118.9 dB和120.6 dB。 展开更多
关键词 可编程增益放大器 斩波 双向电流镜 开关电阻网络
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一种新型电流镜运算跨导放大器的设计
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作者 赵媛 宋树祥 +3 位作者 刘振宇 岑明灿 蔡超波 蒋品群 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第2期67-75,共9页
针对传统低压微功耗电流镜运算跨导放大器存在低增益和小摆率的缺陷,设计了一款新型电流镜运算跨导放大器。在不影响电路的静态功耗和稳定性的基础上,该运算跨导放大器采用增益提高(gain-boosting,GB)结构,增大了电路的小信号增益;引入... 针对传统低压微功耗电流镜运算跨导放大器存在低增益和小摆率的缺陷,设计了一款新型电流镜运算跨导放大器。在不影响电路的静态功耗和稳定性的基础上,该运算跨导放大器采用增益提高(gain-boosting,GB)结构,增大了电路的小信号增益;引入开关型摆率增强(switched slew-rate enhancement,SSRE)结构,提高了电路的大信号摆率。基于UMC 0.11μm标准CMOS工艺进行电路设计和仿真。仿真结果表明:在1.2 V电源电压和10 pF负载电容下,与传统电流镜运算跨导放大器相比,设计的新型电流镜运算跨导放大器的增益提高了47 dB,正摆率提高了11.2倍,负摆率提高了12.4倍。 展开更多
关键词 增益提高 摆率增强 低功耗 低电压 电流镜 运算跨导放大器
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经颅直流电刺激联合镜像神经元康复训练系统对颅脑损伤后患者认知功能及神经因子水平的影响
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作者 钟小溪 高志云 王娟 《临床医学研究与实践》 2023年第28期66-69,共4页
目的探讨经颅直流电刺激联合镜像神经元康复训练系统对颅脑损伤后患者认知功能及神经因子水平的影响。方法选取2020年10月至2021年10月收治的80例颅脑损伤后患者为研究对象,根据随机数字表法将其分为对照组和观察组,各40例。对照组采用... 目的探讨经颅直流电刺激联合镜像神经元康复训练系统对颅脑损伤后患者认知功能及神经因子水平的影响。方法选取2020年10月至2021年10月收治的80例颅脑损伤后患者为研究对象,根据随机数字表法将其分为对照组和观察组,各40例。对照组采用常规康复训练干预,观察组在对照组基础上应用经颅直流电刺激联合镜像神经元康复训练系统干预。比较两组的干预效果。结果干预后,观察组的简易智力状态检查量表(MMSE)各维度评分及总分高于对照组(P<0.05)。干预后,观察组的神经元特异性烯醇化酶(NSE)、髓鞘碱性蛋白(MBP)水平低于对照组,神经生长因子(NGF)、脑源性神经营养因子(BDNF)水平高于对照组(P<0.05)。干预后,观察组的Fugl-Meyer量表上肢部分(FMA-UE)、改良Barthel指数(MBI)评分高于对照组(P<0.05)。结论经颅直流电刺激联合镜像神经元康复训练系统有助于改善颅脑损伤后患者的认知功能,调节神经因子水平,进一步改善肢体运动功能、日常生活能力,值得推广。 展开更多
关键词 经颅直流电刺激 镜像神经元康复训练系统 颅脑损伤
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磁铁在无限大薄导体板上方低速运动的磁阻尼探究
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作者 韩润泽 陈稼洲 +4 位作者 张婷 陈可鉴 李京祺 傅莉 景鹏飞 《大学物理》 2023年第3期50-54,共5页
本文基于麦克斯韦涡流镜像理论,定量计算了在无限大薄导体板上方低速运动的磁铁所受阻力的表达式,其正比于运动速度、磁矩的平方和导体板厚度,并以磁铁离导体板距离的4次方关系减小.用改进单摆法构建了磁单摆-铝箔系统进行实验,控制其... 本文基于麦克斯韦涡流镜像理论,定量计算了在无限大薄导体板上方低速运动的磁铁所受阻力的表达式,其正比于运动速度、磁矩的平方和导体板厚度,并以磁铁离导体板距离的4次方关系减小.用改进单摆法构建了磁单摆-铝箔系统进行实验,控制其他变量不变,改变磁铁离铝箔的最小距离并进行多次实验,发现理论与实验符合较好. 展开更多
关键词 涡流镜像理论 磁铁 铝箔 磁阻尼 改进单摆
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自适应光学波前校正器技术发展现状 被引量:46
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作者 林旭东 薛陈 +2 位作者 刘欣悦 王建立 卫沛锋 《中国光学》 EI CAS 2012年第4期337-351,共15页
波前校正器是自适应光学系统中的关键部件,相关技术已得到了多年的积累与发展。本文介绍了多种目前常用的波前校正器件,包括分离促动器连续表面变形镜、拼接子镜变形镜、薄膜变形镜、双压电片变形镜、微电子机械系统变形镜以及基于液晶... 波前校正器是自适应光学系统中的关键部件,相关技术已得到了多年的积累与发展。本文介绍了多种目前常用的波前校正器件,包括分离促动器连续表面变形镜、拼接子镜变形镜、薄膜变形镜、双压电片变形镜、微电子机械系统变形镜以及基于液晶技术的空间光调制器和自适应次镜等,给出了它们的实现方式及其基本工作原理,并从空间校正频率和校正速度等方面对各校正器的性能进行了比较。最后,总结了在新应用的需求下,波前校正器件的技术创新及发展趋势。 展开更多
关键词 自适应光学 波前校正器 变形镜 工作原理 现状
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低杂散锁相环中的电荷泵设计 被引量:11
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作者 薛红 李智群 +2 位作者 王志功 李伟 章丽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1988-1992,共5页
用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路,传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围,文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆... 用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路,传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围,文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配,从而降低了杂散。测试结果表明:电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.475mA,在0.3-1.6V输出电压范围内电流失配小于10mA,功耗为6.8mW。 展开更多
关键词 参考杂散 电流火配 电荷泵 运算放大器 自偏置电流镜
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一种新型电荷泵电路的设计 被引量:10
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作者 袁小云 张瑞智 王洪娜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第9期69-72,共4页
文章提出了一种新的全差分电荷泵结构,与传统电荷泵电路相比,这个电路具有输出范围大和无跳跃现象的优点,同时还可以有效地解决电荷泄漏和充放电失配等问题。
关键词 电荷泵电路 设计 电荷泄漏 差分电路 鉴频鉴相器 PLL IC
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