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微模具重复利用的高深宽比铜微结构微电铸复制技术
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作者 苏少雄 孙云娜 +3 位作者 宋嘉诚 吴永进 姚锦元 丁桂甫 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期162-169,共8页
针对紫外线光刻、电铸成型和注塑(UV-LIGA)工艺的去胶难题,提出了一种以脱模代替去胶的改良工艺,用于批量制造高深宽比铜微结构。该工艺以可重复利用的硅橡胶软模具代替传统的SU-8光刻微模具,采用硅通孔(TSV)镀铜技术进行微电铸填充,然... 针对紫外线光刻、电铸成型和注塑(UV-LIGA)工艺的去胶难题,提出了一种以脱模代替去胶的改良工艺,用于批量制造高深宽比铜微结构。该工艺以可重复利用的硅橡胶软模具代替传统的SU-8光刻微模具,采用硅通孔(TSV)镀铜技术进行微电铸填充,然后通过直接脱模实现金属微结构的完全释放,既解决了去胶难题,又能够解决高深宽比微模具电铸因侧壁金属化导致的空洞包夹问题,同时可以大幅降低成套工艺成本。仿真和实验结果显示,热处理可以改善脱模效果,显著降低脱模损伤,支持微模具重复利用。采用初步优化的改良工艺已成功实现深宽比约3∶1的铜微结构的高精度复制。 展开更多
关键词 紫外线光刻、电铸成型和注塑(UV-LIGA)工艺 硅橡胶模具 硅通孔(TSV)镀铜 脱模 模具重复利用
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TMV POP热翘曲变形及可靠性 被引量:2
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作者 王红霞 王蓓 +3 位作者 冉红锋 颜志强 陆锋 谢海燕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期462-467,共6页
研究了穿透模塑通孔(TMV)结构的叠层封装(POP)热翘曲变形及可靠性。采用云纹干涉的方法测量了回流过程中POP上下层球形矩阵排列(BGA)的热翘曲变形。通过加速热循环(ATC)试验和四点弯曲循环试验,分别比较了不同组装工艺的POP BG... 研究了穿透模塑通孔(TMV)结构的叠层封装(POP)热翘曲变形及可靠性。采用云纹干涉的方法测量了回流过程中POP上下层球形矩阵排列(BGA)的热翘曲变形。通过加速热循环(ATC)试验和四点弯曲循环试验,分别比较了不同组装工艺的POP BGA在相同的热翘曲变形条件下的可靠性。结果表明,顶层BGA无论浸蘸助焊剂还是助焊膏均能得到优异的可靠性;但底层BGA在四点弯曲循环可靠性试验中,采用浸蘸助焊膏工艺的可靠性明显低于印刷工艺。此外,增加底部填充工艺需要采用热膨胀系数匹配的材料,否则会降低焊点的温度循环可靠性,加速其失效的进程。 展开更多
关键词 穿透模塑通孔叠层封装(TMV POP) 热翘曲 浸蘸助焊膏 加速热循环(ATC) 四点弯曲可靠性
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垂直互联结构的封装天线技术研究 被引量:1
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作者 陈晨 尹春燕 +4 位作者 夏晨辉 尹宇航 周超杰 王刚 明雪飞 《电子与封装》 2023年第7期21-32,共12页
封装天线(AiP)是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术,在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装(FOWLP)中,采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构,助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔(TSV... 封装天线(AiP)是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术,在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装(FOWLP)中,采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构,助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔(TSV)、玻璃通孔(TGV)和塑封通孔(TMV)的制备方法,以及通过3种通孔技术实现的垂直互连结构在封装天线领域的应用。采用这3种垂直互连结构制备的封装天线能够实现三维集成,从而更进一步地缩小天线的整体封装体积。介绍了3种通孔的制备工艺,以及采用通孔技术的FOWLP工艺在封装天线领域的应用。明确了每一种垂直互连结构应用于AiP的优缺点,为FOWLP工艺在AiP领域中的技术开发和探索提供参考。 展开更多
关键词 扇出型晶圆级封装 垂直互连 通孔技术 封装天线 树脂通孔
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新一代层叠封装(PoP)的发展趋势及翘曲控制 被引量:5
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作者 林伟 《中国集成电路》 2014年第3期46-52,共7页
便携式移动设备是当今半导体集成电路行业的主要发展动力。其对封装的挑战,除电性能的提高外,还强调了小型化和薄型化。层叠封装(PoP)新的趋势,包括芯片尺寸增大、倒装技术应用、超薄化等,进一步增加了控制封装翘曲的难度。超薄封装的... 便携式移动设备是当今半导体集成电路行业的主要发展动力。其对封装的挑战,除电性能的提高外,还强调了小型化和薄型化。层叠封装(PoP)新的趋势,包括芯片尺寸增大、倒装技术应用、超薄化等,进一步增加了控制封装翘曲的难度。超薄封装的翘曲大小及方向与芯片尺寸、基板和塑封层厚度,以及材料特性密切相关。传统的通用封装方案已不再适用,需要根据芯片设计及应用,对封装设计、材料等因素加以优化,才能满足翘曲控制要求。另外,基板变薄后,来自不同供应商的基板可能出现不同的封装翘曲反应,需要加强对基板设计公差及供应链的管控。 展开更多
关键词 层叠封装 穿塑孔 裸芯片穿塑孔 翘曲 热膨胀系数
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TXV Technology:The cornerstone of 3D system-in-packaging 被引量:3
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作者 ZHAO HeRan CHEN MingXiang +3 位作者 PENG Yang WANG Qing KANG Min CAO LiHua 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第9期2031-2050,共20页
System-in-packaging(Si P) can realize the integration and miniaturization of electronic devices and it is significant to continue Moore’s law.Through-X-via(TXV) technology is the cornerstone of 3 D-SiP,which enables ... System-in-packaging(Si P) can realize the integration and miniaturization of electronic devices and it is significant to continue Moore’s law.Through-X-via(TXV) technology is the cornerstone of 3 D-SiP,which enables the vertical stacking and electrical interconnection of electronic devices.TXV originated from through-hole(TH) in PCB substrates and evolved in different substrate materials,such as silicon,glass,ceramic,and polymer.This work provides a comprehensive review of four distinguishing TXV technologies(through silicon via(TSV),through glass via(TGV),through ceramic via(TCV),and through mold via(TMV)),including the fabrication mechanisms,processes,and applications.Every TXV technology has unique characteristics and owns particular processes and functions.The process methods,key technologies,application fields,and advantages and disadvantages of each TXV technology were discussed.The cutting-edge through-hole process and development direction were reviewed. 展开更多
关键词 through silicon via(TSV) through ceramic via(TCV) through glass via(TGV) through mold via(TMV) 3D packaging chip stacking interposer
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