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GaAs亚微米自对准工艺技术研究
被引量:
2
1
作者
陈克金
顾炯
+2 位作者
盛文伟
毛昆纯
林金庭
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期161-167,共7页
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mm...
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。
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关键词
自对准
离子注入
平面工艺
砷化镓
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职称材料
VB GaAs抛光片几何参数控制技术研究
被引量:
1
2
作者
赵权
杨洪星
+2 位作者
李保军
吕菲
刘玉岭
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期964-966,共3页
在VB(垂直布里奇曼法)GaAs材料加工过程中,切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序对VB GaAs抛光片的几何参数有着不同程度的影响。通过试验对比,找出了影响不同几何参数指标的关键工艺,其中切割和化学腐蚀是控制VB GaAs晶片翘曲度的关键工艺...
在VB(垂直布里奇曼法)GaAs材料加工过程中,切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序对VB GaAs抛光片的几何参数有着不同程度的影响。通过试验对比,找出了影响不同几何参数指标的关键工艺,其中切割和化学腐蚀是控制VB GaAs晶片翘曲度的关键工艺,而抛光是控制VB GaAs总厚度变化和总指示读数的关键工艺。研究表明,通过调整切割速度、化学腐蚀速率和抛光速率等工艺参数,能够有效地控制VB GaAs抛光片的几何参数。
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关键词
几何参数
控制技术
VB
gaas
抛光片
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职称材料
一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术
3
作者
廖龙忠
周国
+2 位作者
毕胜赢
付兴中
张力江
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第4期311-315,共5页
随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3D集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正...
随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3D集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正面互连压点转移到背面,研究适用砷化镓薄片的晶圆级键合技术,开发出两片式砷化镓面对背的晶圆级堆叠工艺技术,堆叠成品率达到90%以上。利用这项工艺,将砷化镓数字电路堆叠到低噪声放大器芯片上,形成了Ka波段幅相多功能电路,测试在32~38 GHz频段内,接收端增益大于21.5 dB,噪声小于4 dB,移相精度小于4°;发射端增益大于23 dB,输出功率大于25 dBm(输入功率10 dBm),移相精度小于4°。
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关键词
晶圆级堆叠技术
3D集成
砷化镓穿孔技术
幅相多功能电路
微波集成电路(MMICs)
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职称材料
垂直互联结构的封装天线技术研究
4
作者
陈晨
尹春燕
+4 位作者
夏晨辉
尹宇航
周超杰
王刚
明雪飞
《电子与封装》
2023年第7期21-32,共12页
封装天线(AiP)是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术,在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装(FOWLP)中,采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构,助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔(TSV...
封装天线(AiP)是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术,在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装(FOWLP)中,采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构,助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔(TSV)、玻璃通孔(TGV)和塑封通孔(TMV)的制备方法,以及通过3种通孔技术实现的垂直互连结构在封装天线领域的应用。采用这3种垂直互连结构制备的封装天线能够实现三维集成,从而更进一步地缩小天线的整体封装体积。介绍了3种通孔的制备工艺,以及采用通孔技术的FOWLP工艺在封装天线领域的应用。明确了每一种垂直互连结构应用于AiP的优缺点,为FOWLP工艺在AiP领域中的技术开发和探索提供参考。
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关键词
扇出型晶圆级封装
垂直互连
通孔技术
封装天线
树脂通孔
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职称材料
基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
被引量:
2
5
作者
倪烨
徐浩
+3 位作者
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第S02期110-114,共5页
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出...
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。
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关键词
晶圆级封装
深孔刻蚀
硅通孔互联
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职称材料
微系统集成用倒装芯片工艺技术的发展及趋势
被引量:
11
6
作者
赵雪薇
阎璐
+2 位作者
邢朝洋
李男男
朱政强
《导航与控制》
2019年第5期11-21,39,共12页
倒装芯片(Flip Chip,FC)技术是一种应用广泛的集成电路电子封装技术。随着电子产品不断向小型化和多功能化方向升级,尤其是在微系统集成领域飞速发展的驱动下,FC技术也在不断发展以满足细节距和极细节距芯片的封装要求。同时,FC技术也...
倒装芯片(Flip Chip,FC)技术是一种应用广泛的集成电路电子封装技术。随着电子产品不断向小型化和多功能化方向升级,尤其是在微系统集成领域飞速发展的驱动下,FC技术也在不断发展以满足细节距和极细节距芯片的封装要求。同时,FC技术也在工业化的过程中追求着性能、成本和封装效率的平衡。将FC封装体分为芯片凸点、基板以及底填充材料三个主要部分,深入讨论了FC封装的主流工艺和新兴工艺,介绍了各个工艺的流程及优缺点。此外,还分析了FC封装体在热、力以及电载荷作用下的可靠性问题。
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关键词
倒装芯片技术
芯片凸点
硅通孔转接板
底填充
原文传递
题名
GaAs亚微米自对准工艺技术研究
被引量:
2
1
作者
陈克金
顾炯
盛文伟
毛昆纯
林金庭
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期161-167,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。
关键词
自对准
离子注入
平面工艺
砷化镓
Keywords
Self-aligned,Ion implantation,Planar
technology
,
gaas
wafer
s
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
VB GaAs抛光片几何参数控制技术研究
被引量:
1
2
作者
赵权
杨洪星
李保军
吕菲
刘玉岭
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期964-966,共3页
文摘
在VB(垂直布里奇曼法)GaAs材料加工过程中,切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序对VB GaAs抛光片的几何参数有着不同程度的影响。通过试验对比,找出了影响不同几何参数指标的关键工艺,其中切割和化学腐蚀是控制VB GaAs晶片翘曲度的关键工艺,而抛光是控制VB GaAs总厚度变化和总指示读数的关键工艺。研究表明,通过调整切割速度、化学腐蚀速率和抛光速率等工艺参数,能够有效地控制VB GaAs抛光片的几何参数。
关键词
几何参数
控制技术
VB
gaas
抛光片
Keywords
geometry parameter
controlling
technology
VB
gaas
polished
wafer
分类号
TN305.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术
3
作者
廖龙忠
周国
毕胜赢
付兴中
张力江
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第4期311-315,共5页
文摘
随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3D集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正面互连压点转移到背面,研究适用砷化镓薄片的晶圆级键合技术,开发出两片式砷化镓面对背的晶圆级堆叠工艺技术,堆叠成品率达到90%以上。利用这项工艺,将砷化镓数字电路堆叠到低噪声放大器芯片上,形成了Ka波段幅相多功能电路,测试在32~38 GHz频段内,接收端增益大于21.5 dB,噪声小于4 dB,移相精度小于4°;发射端增益大于23 dB,输出功率大于25 dBm(输入功率10 dBm),移相精度小于4°。
关键词
晶圆级堆叠技术
3D集成
砷化镓穿孔技术
幅相多功能电路
微波集成电路(MMICs)
Keywords
wafer
level stacking
technology
3D integration
through wafer vias technology of gaas
multi‑function chip with phase and amplitude control
MMICs
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
垂直互联结构的封装天线技术研究
4
作者
陈晨
尹春燕
夏晨辉
尹宇航
周超杰
王刚
明雪飞
机构
东南大学微电子学院
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2023年第7期21-32,共12页
文摘
封装天线(AiP)是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术,在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装(FOWLP)中,采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构,助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔(TSV)、玻璃通孔(TGV)和塑封通孔(TMV)的制备方法,以及通过3种通孔技术实现的垂直互连结构在封装天线领域的应用。采用这3种垂直互连结构制备的封装天线能够实现三维集成,从而更进一步地缩小天线的整体封装体积。介绍了3种通孔的制备工艺,以及采用通孔技术的FOWLP工艺在封装天线领域的应用。明确了每一种垂直互连结构应用于AiP的优缺点,为FOWLP工艺在AiP领域中的技术开发和探索提供参考。
关键词
扇出型晶圆级封装
垂直互连
通孔技术
封装天线
树脂通孔
Keywords
fan-out
wafer
-level packaging
vertical interconnection
through
-via
technology
antenna in package
through
mold via
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
TN453 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
被引量:
2
5
作者
倪烨
徐浩
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
机构
北京无线电测量研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第S02期110-114,共5页
文摘
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。
关键词
晶圆级封装
深孔刻蚀
硅通孔互联
Keywords
wafer
level package
deep etching
technology
through
silicon via
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
微系统集成用倒装芯片工艺技术的发展及趋势
被引量:
11
6
作者
赵雪薇
阎璐
邢朝洋
李男男
朱政强
机构
北京工业大学
北京航天控制仪器研究所
出处
《导航与控制》
2019年第5期11-21,39,共12页
文摘
倒装芯片(Flip Chip,FC)技术是一种应用广泛的集成电路电子封装技术。随着电子产品不断向小型化和多功能化方向升级,尤其是在微系统集成领域飞速发展的驱动下,FC技术也在不断发展以满足细节距和极细节距芯片的封装要求。同时,FC技术也在工业化的过程中追求着性能、成本和封装效率的平衡。将FC封装体分为芯片凸点、基板以及底填充材料三个主要部分,深入讨论了FC封装的主流工艺和新兴工艺,介绍了各个工艺的流程及优缺点。此外,还分析了FC封装体在热、力以及电载荷作用下的可靠性问题。
关键词
倒装芯片技术
芯片凸点
硅通孔转接板
底填充
Keywords
flip chip
technology
wafer
bumping
through
Silicon via interposer
underfill
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs亚微米自对准工艺技术研究
陈克金
顾炯
盛文伟
毛昆纯
林金庭
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994
2
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职称材料
2
VB GaAs抛光片几何参数控制技术研究
赵权
杨洪星
李保军
吕菲
刘玉岭
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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职称材料
3
一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术
廖龙忠
周国
毕胜赢
付兴中
张力江
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
4
垂直互联结构的封装天线技术研究
陈晨
尹春燕
夏晨辉
尹宇航
周超杰
王刚
明雪飞
《电子与封装》
2023
0
下载PDF
职称材料
5
基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
倪烨
徐浩
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
下载PDF
职称材料
6
微系统集成用倒装芯片工艺技术的发展及趋势
赵雪薇
阎璐
邢朝洋
李男男
朱政强
《导航与控制》
2019
11
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