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Ka-band broadband filtering packaging antenna based on through-glass vias (TGVs)
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作者 Zhen FANG Jihua ZHANG +8 位作者 Libin GAO Hongwei CHEN Wenlei LI Tianpeng LIANG Xudong CAI Xingzhou CAI Weicong JIA Huan GUO Yong LI 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》 SCIE EI CSCD 2023年第6期916-926,共11页
This work presents a novel design of Ka-band(33 GHz)filtering packaging antenna(FPA)that features broadband and great filtering response,and is based on glass packaging material and through-glass via(TGV)technologies.... This work presents a novel design of Ka-band(33 GHz)filtering packaging antenna(FPA)that features broadband and great filtering response,and is based on glass packaging material and through-glass via(TGV)technologies.Compared to traditional packaging materials(printed circuit board,low temperature co-fired ceramic,Si,etc.),TGVs are more suitable for miniaturization(millimeter-wave three-dimensional(3D)packaging devices)and have superior microwave performance.Glass substrate can realize 3D high-density interconnection through bonding technology,while the coefficient of thermal expansion(CTE)matches that of silicon.Furthermore,the stacking of glass substrate enables high-density interconnections and is compatible with micro-electro-mechanical system technology.The proposed antenna radiation patch is composed of a patch antenna and a bandpass filter(BPF)whose reflection coefficients are almost complementary.The BPF unit has three pairs ofλg/4 slots(defect microstrip structure,DMS)and twoλg/2 U-shaped slots(defect ground structure,DGS).The proposed antenna achieves large bandwidth and high radiation efficiency,which may be related to the stacking of glass substrate and TGV feed.In addition,the introduction of four radiation nulls can effectively improve the suppression level in the stopband.To demonstrate the performance of the proposed design,a 33-GHz broadband filtering antenna is optimized,debugged,and measured.The antenna could achieve|S11|<-10 dB in 29.4‒36.4 GHz,and yield an impedance matching bandwidth up to 21.2%,with the stopband suppression level at higher than 16.5 dB.The measurement results of the proposed antenna are a realized gain of~6.5 dBi and radiation efficiency of~89%. 展开更多
关键词 Filtering packaging antenna(FPA) through-glass vias(TGVs) 3D packaging devices Laser bonding
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3D封装玻璃通孔高频特性分析与优化
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作者 黄根信 黄春跃 +1 位作者 李鹏 谭丽娟 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期298-303,共6页
建立了3D封装玻璃通孔(TGV)电磁仿真分析模型,对TGV高频信号特性进行了分析,得到了回波损耗S11仿真结果,并研究了信号频率、通孔类型、通孔最大直径、通孔高度、通孔最小直径对S11的影响。选取TGV关键结构通孔最大直径、通孔高度、通孔... 建立了3D封装玻璃通孔(TGV)电磁仿真分析模型,对TGV高频信号特性进行了分析,得到了回波损耗S11仿真结果,并研究了信号频率、通孔类型、通孔最大直径、通孔高度、通孔最小直径对S11的影响。选取TGV关键结构通孔最大直径、通孔高度、通孔最小直径尺寸为设计参数,以TGV在信号频率10 GHz下的S11作为目标值,采用响应曲面法,设计17组试验进行仿真,并拟合了TGV S11与其关键结构参数的关系模型。结合遗传算法对拟合模型进行优化,得到TGV S11最优的组合参数:通孔最大直径65μm、通孔高度360μm、通孔最小直径尺寸44μm。对最优组合参数进行验证,发现最优参数组合仿真结果较基本模型S11减小了1.593 5 dB,实现了TGV的结构优化。 展开更多
关键词 玻璃通孔 高频特性 回波损耗 结构优化
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基于阴极往复运动的TGV电铸铜实心填充工艺
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作者 刘佳琪 詹晓非 +2 位作者 朱增伟 叶刚 夏晨辉 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期151-159,共9页
玻璃通孔(TGV)转接板因其具有优良的高频电学特性,在先进封装领域受到广泛关注。然而随着TGV深宽比的不断增加,采用传统的阴极定轴旋转式电铸工艺,其填充难度与成本将随之提高。为实现高深宽比TGV的无缺陷填充,减少电铸耗时和成本,提出... 玻璃通孔(TGV)转接板因其具有优良的高频电学特性,在先进封装领域受到广泛关注。然而随着TGV深宽比的不断增加,采用传统的阴极定轴旋转式电铸工艺,其填充难度与成本将随之提高。为实现高深宽比TGV的无缺陷填充,减少电铸耗时和成本,提出一种基于阴极往复运动的TGV无缺陷镀铜填充新工艺。在仿真和实验的基础上,系统研究了阴极运动方式对TGV孔内电铸液传质、离子浓度、填充速率的影响。仿真和实验结果均表明,采用阴极往复运动能有效地保证TGV孔内各处离子浓度分布的均匀一致性,减缓浓差极化,从而提高沉积速率及其上限值。在不含任何添加剂的体系中,同等沉积电位条件下平均填充速率从阴极定轴旋转式电铸工艺的6.1μm/h提高至9.2μm/h。当电位为0.5 V时,阴极往复运动方式下平均填充速率达到45.2μm/h,且电铸铜填充层中未发现孔隙缺陷。这为在无添加剂电铸铜体系中实现高深宽比TGV的无缺陷电铸铜填充提供了一种可行的低成本方案。 展开更多
关键词 玻璃通孔(TGV) 阴极往复运动 电铸铜 填充工艺 封装技术
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基于激光诱导改性法制备多孔径石英玻璃通孔的工艺研究
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作者 叶刚 柯峥 +1 位作者 夏晨辉 张志模 《中国集成电路》 2024年第7期66-69,共4页
玻璃转接板技术具有广泛的应用前景,该技术核心之一为玻璃通孔成形工艺。激光诱导改性法具有高效成孔、稳定性好、工艺简单等优点,被广泛应用。本文基于激光诱导改性法,获得了最大深宽比12:1、多种孔径尺寸的石英玻璃通孔。通过石英玻... 玻璃转接板技术具有广泛的应用前景,该技术核心之一为玻璃通孔成形工艺。激光诱导改性法具有高效成孔、稳定性好、工艺简单等优点,被广泛应用。本文基于激光诱导改性法,获得了最大深宽比12:1、多种孔径尺寸的石英玻璃通孔。通过石英玻璃通孔制备过程中激光参数对通孔制备工艺影响的研究,揭示了石英玻璃激光诱导改性过程,实验结果表明,单脉冲激光能量大小对通孔制备工艺的重要性更为突出,而激光总能量并不是决定性的因素。 展开更多
关键词 激光诱导改性 石英玻璃 玻璃通孔 激光能量 多孔径
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芯片三维互连技术及异质集成研究进展 被引量:8
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作者 钟毅 江小帆 +2 位作者 喻甜 李威 于大全 《电子与封装》 2023年第3期12-22,共11页
集成电路的纳米制程工艺逐渐逼近物理极限,通过异质集成来延续和拓展摩尔定律的重要性日趋凸显。异质集成以需求为导向,将分立的处理器、存储器和传感器等不同尺寸、功能和类型的芯片,在三维方向上实现灵活的模块化整合与系统集成。异... 集成电路的纳米制程工艺逐渐逼近物理极限,通过异质集成来延续和拓展摩尔定律的重要性日趋凸显。异质集成以需求为导向,将分立的处理器、存储器和传感器等不同尺寸、功能和类型的芯片,在三维方向上实现灵活的模块化整合与系统集成。异质集成芯片在垂直方向上的信号互连依赖硅通孔(TSV)或玻璃通孔(TGV)等技术实现,而在水平方向上可通过再布线层(RDL)技术实现高密度互连。异质集成技术开发与整合的关键在于融合实现多尺度、多维度的芯片互连,通过三维互连技术配合,将不同功能的芯粒异质集成到一个封装体中,从而提高带宽和电源效率并减小延迟,为高性能计算、人工智能和智慧终端等提供小尺寸、高性能的芯片。通过综述TSV、TGV、RDL技术及相应的2.5D、3D异质集成方案,阐述了当前研究现状,并探讨存在的技术难点及未来发展趋势。 展开更多
关键词 三维异质集成 先进封装 硅通孔 玻璃通孔 再布线层
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三维集成封装中光敏玻璃通孔制备工艺研究 被引量:1
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作者 王刚 叶刚 +2 位作者 李奇哲 周超杰 夏晨辉 《集成技术》 2023年第6期93-102,共10页
玻璃通孔转接板是一种典型的垂直传输结构,广泛应用于三维集成封装电路。根据射频信号对小直径、窄节距垂直通孔的使用需求,该文基于光敏玻璃衬底,采用紫外光曝光、热处理以及湿法刻蚀方法,获得了深宽比为8∶1,最小直径为25.68μm的玻... 玻璃通孔转接板是一种典型的垂直传输结构,广泛应用于三维集成封装电路。根据射频信号对小直径、窄节距垂直通孔的使用需求,该文基于光敏玻璃衬底,采用紫外光曝光、热处理以及湿法刻蚀方法,获得了深宽比为8∶1,最小直径为25.68μm的玻璃通孔。通过研究曝光量对光敏玻璃通孔制备工艺的影响,得到曝光过程中光敏玻璃的改性机理。实验结果表明,随着曝光量增加,通孔孔径增大;光敏玻璃改性过程是由表及里、由正面至背面的逐渐改性过程。这为玻璃通孔转接板的制备提供关键工艺支撑。 展开更多
关键词 玻璃通孔 三维集成 光敏玻璃 曝光 深宽比
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曝光时不同载具对光敏玻璃通孔工艺的影响 被引量:1
7
作者 刘书利 叶刚 +1 位作者 李奇哲 夏晨辉 《中国集成电路》 2023年第8期65-69,共5页
基于光敏玻璃,采用紫外光曝光、热处理以及湿法刻蚀方法制备出玻璃通孔,研究了曝光过程中不同反射率载具对玻璃通孔工艺的影响,揭示了光敏玻璃曝光时的改性过程。实验结果表明,曝光量相同时,反射率高的载具有益于玻璃通孔的制备。
关键词 光敏玻璃 玻璃通孔 载具 改性过程
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玻璃通孔的高频传输性能 被引量:3
8
作者 郭育华 王强文 +1 位作者 刘建军 王运龙 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第1期87-92,共6页
随着玻璃通孔(TGV)制作工艺的成熟,微波毫米波系统采用玻璃基板进行集成,其高频传输特性成为研究的重点。对玻璃通孔的互连设计、制作和传输性能进行研究。在玻璃基板上分别设计直通传输线和带两个TGV、等长传输线的TGV传输结构;通过激... 随着玻璃通孔(TGV)制作工艺的成熟,微波毫米波系统采用玻璃基板进行集成,其高频传输特性成为研究的重点。对玻璃通孔的互连设计、制作和传输性能进行研究。在玻璃基板上分别设计直通传输线和带两个TGV、等长传输线的TGV传输结构;通过激光改性、腐蚀扩孔和电镀填充的TGV工艺制作技术以及薄膜电路布线技术,在玻璃基板上制作直通传输线和TGV传输结构;采用矢量网络分析仪法分别测试直通传输线和TGV传输结构的插入损耗,计算得到单个TGV的插入损耗,结果显示在33~40 GHz频段内单个TGV插入损耗S_(21)≤0.2 dB,可以满足微波毫米波系统集成应用中对玻璃基板通孔的低传输损耗要求。 展开更多
关键词 玻璃通孔(TGV) 玻璃基板 高频传输 毫米波系统 插入损耗
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圆片级封装用玻璃通孔晶片的减薄工艺 被引量:1
9
作者 杨静 韩焕鹏 +2 位作者 杨洪星 王雄龙 张伟才 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第9期694-699,共6页
对圆片级封装用玻璃通孔(TGV)晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光(CMP)过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显著提高... 对圆片级封装用玻璃通孔(TGV)晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光(CMP)过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显著提高,用平面度测量仪测试该晶片研磨后的翘曲度与总厚度变化(TTV)值分别为7.149μm与3.706μm。CMP过程使得TGV晶片的表面粗糙度大幅度降低,经白光干涉仪测试抛光后TGV晶片的表面粗糙度为4.275 nm。通过该减薄工艺加工的TGV晶片能够较好满足圆片级封装时的气密性要求。 展开更多
关键词 玻璃通孔(TGV)晶片 机械研磨 化学机械抛光(CMP) 平整度 粗糙度
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面向TGV封装的纳米玻璃粉末回流工艺
10
作者 杜晓辉 刘帅 朱敏杰 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第7期562-567,共6页
基于玻璃通孔(TGV)技术的微电子机械系统(MEMS)封装可用于传感器无引线封装,研究了基于纳米玻璃粉末热回流工艺的新型TGV实现方法。采用球磨技术制备玻璃粉末,且通过研究干法和湿法球磨工艺,使粒径小于1μm的纳米玻璃粉末的分布占比之... 基于玻璃通孔(TGV)技术的微电子机械系统(MEMS)封装可用于传感器无引线封装,研究了基于纳米玻璃粉末热回流工艺的新型TGV实现方法。采用球磨技术制备玻璃粉末,且通过研究干法和湿法球磨工艺,使粒径小于1μm的纳米玻璃粉末的分布占比之和达到95.6%。将纳米玻璃粉末填充到硅槽里,再经过高温回流后,获得TGV结构。回流的玻璃用于粘接硅片样品,粘接强度超过7 MPa。纳米玻璃粉末在1000℃真空条件下保温4 h,回流的玻璃能够有效填充带硅柱的大平面凹槽和高深宽比凹槽。该工艺为玻璃微加工和无引线封装提供了新思路。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 无引线封装 玻璃通孔(TGV) 纳米玻璃粉末 回流
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基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究 被引量:14
11
作者 林来存 王启东 +4 位作者 邱德龙 伍恒 薛恺 于大全 曹立强 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期52-57,共6页
本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的... 本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7∶1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小. 展开更多
关键词 转接板技术 光敏玻璃 玻璃通孔 电流密度 填充工艺
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玻璃通孔三维互连镀铜填充技术发展现状 被引量:7
12
作者 纪执敬 凌惠琴 +3 位作者 吴培林 余瑞益 于大全 李明 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期42-61,共20页
随着摩尔定律的发展迟缓,微电子器件的高密度化、微型化对先进封装技术提出了更高的要求。中介层技术作为2.5D/3D封装中的关键技术,受到了广泛研究。按照中介层材料不同,主要分为有机中介层、硅中介层以及玻璃中介层。与硅通孔(through ... 随着摩尔定律的发展迟缓,微电子器件的高密度化、微型化对先进封装技术提出了更高的要求。中介层技术作为2.5D/3D封装中的关键技术,受到了广泛研究。按照中介层材料不同,主要分为有机中介层、硅中介层以及玻璃中介层。与硅通孔(through silicon via,TSV)互连相比,玻璃通孔(through glass via,TGV)中介层(interposer)因其具有优良的高频电学特性、工艺简单、成本低以及可调的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)等优点,在2.5D/3D先进封装领域受到广泛关注。然而玻璃的导热系数(约1 W·m^(-1)·K^(-1))与硅(约150 W·m^(-1)·K^(-1))相比要低很多,因此玻璃中介层存在着严重的散热问题。为得到高质量的TGV中介层,不仅需要高效低成本的通孔制备工艺,还需要无缺陷的填充工艺,目前玻璃中介层面临的挑战也主要集中在这两方面。本文首先介绍了TGV的制备工艺,如超声波钻孔(ultra-sonic drilling,USD)、超声波高速钻孔(ultra-sonic high speed drilling,USHD)、湿法刻蚀、深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching,DRIE)、光敏玻璃、激光刻蚀、激光诱导深度刻蚀(laser induced deep etching,LIDE)等。接着围绕TGV的无缺陷填充进行总结,概述了TGV的几种填充机理以及一些填充工艺,如bottom-up填充、蝶形填充以及conformal填充。然后对TGV电镀添加剂的研究进展进行了介绍,包括典型添加剂的作用机理以及一些新型添加剂的研究现状,最后并对TGV实际应用情况进行了简要综述。 展开更多
关键词 中介层 玻璃通孔 填充机理 填充工艺 添加剂
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高散热性能TGV转接板 被引量:4
13
作者 王强文 郭育华 +1 位作者 刘建军 王运龙 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第2期177-183,共7页
随着玻璃通孔(TGV)转接板在微波系统集成中的应用越来越广泛,其微波大功率应用情况下的散热性能成为研究重点。针对TGV转接板高效散热性能的要求,进行TGV散热结构的设计和性能分析。建立TGV转接板封装集成结构的有限元模型,设计TGV转接... 随着玻璃通孔(TGV)转接板在微波系统集成中的应用越来越广泛,其微波大功率应用情况下的散热性能成为研究重点。针对TGV转接板高效散热性能的要求,进行TGV散热结构的设计和性能分析。建立TGV转接板封装集成结构的有限元模型,设计TGV转接板铜柱阵列散热结构。通过TGV工艺制作TGV高密度阵列。在4.82~14.47 W功率范围内对TGV转接板的散热性能进行测试,相应的TGV散热结构区域的热流密度为40.03~120.18 W/cm^(2),测得热阻芯片表面温度高达54.0~126.5℃,低于微波功率芯片最高结温150℃,可以满足大功率微波系统集成高效散热的需求。 展开更多
关键词 微波系统集成 玻璃转接板 玻璃通孔(TGV) 散热 热导率
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面向TGV衬底的玻璃回流的流动建模 被引量:2
14
作者 胡启俊 周剑 +3 位作者 李文印 侯占强 肖定邦 吴学忠 《传感器与微系统》 CSCD 2017年第9期34-37,共4页
在微机电系统(MEMS)圆片级封装工艺中,为了给制作玻璃通孔(TGV)衬底的玻璃回流工艺提供理论指导意见,提出并建立了一个玻璃回流通用模型,研究槽深、槽宽、温度、时间参数对玻璃回流的影响,并推导出在一定槽宽,槽深,温度下的玻璃在微细... 在微机电系统(MEMS)圆片级封装工艺中,为了给制作玻璃通孔(TGV)衬底的玻璃回流工艺提供理论指导意见,提出并建立了一个玻璃回流通用模型,研究槽深、槽宽、温度、时间参数对玻璃回流的影响,并推导出在一定槽宽,槽深,温度下的玻璃在微细槽内流动长度随时间的变化关系。建立玻璃在微细槽内的数学流动模型,运用流体力学的知识,结合微细流体的特征,通过一系列理论分析、推导和简化运算,得出玻璃回流长度随时间等参数的理论变化公式。然后进行玻璃回流实验,当玻璃在恒温T0=800℃、槽宽2b=200μm、槽深L=1 000μm时,观察并记录玻璃在微细槽内流动长度随时间的变化。将理论回流曲线与实验数据点进行对比,结果表明:实验回流曲线与理论回流曲线趋势一致,且数值基本相符。证明了理论模型及其分析过程的正确性。表明理论分析模型对TGV玻璃回流工艺参数可提供一定的理论指导。 展开更多
关键词 玻璃通孔衬底 玻璃回流 理论模型 回流实验
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基于频域特性的玻璃过孔缺陷无损检测方法 被引量:2
15
作者 苏晋荣 王晓波 张文梅 《测试技术学报》 2019年第4期296-301,共6页
玻璃通孔(Through glass vias,TGV)因玻璃衬底损耗较低,成为一种比硅通孔(Through silicon vias,TSV)传输性能更优的三维集成电路技术,备受瞩目.而TGV加工过程中因精度不理想,热失配,过孔倾斜等原因易造成短路、开路等缺陷.因此,需要有... 玻璃通孔(Through glass vias,TGV)因玻璃衬底损耗较低,成为一种比硅通孔(Through silicon vias,TSV)传输性能更优的三维集成电路技术,备受瞩目.而TGV加工过程中因精度不理想,热失配,过孔倾斜等原因易造成短路、开路等缺陷.因此,需要有效的无损检测技术来提升产品收率.本文通过分析地-信号-信号-地(Ground-signal-signal-ground,GSSG)型玻璃过孔的频域传输特性及耦合特性,提炼出无损检测缺陷的方法.即根据S参数及|S21|和|S11|之差的特点,判断传输通道是否出现开路或短路缺陷;此外,还探索出当短路、开路缺陷同时出现时,判断缺陷相对位置的方法.最后探讨了如何利用|S11|和|S31|来定位开路点和短路点.为TGV的无损检测提供了一种有效、简便的方法. 展开更多
关键词 集成电路 玻璃过孔 开路 短路 无损检测
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基于TGV的射频无源器件的三维集成 被引量:7
16
作者 郭燕慧 张国华 王剑峰 《电子设计工程》 2019年第18期97-101,共5页
为了实现射频系统中对电感高品质因子的需求,介绍了一种新型的具有高品质因子的TGV三维电感结构,建立了TGV电感的物理模型,分析了不同结构参数对电感性能的影响,得到电感的品质因数约为80左右。采用这种高品质因子的TGV电感,结合平行平... 为了实现射频系统中对电感高品质因子的需求,介绍了一种新型的具有高品质因子的TGV三维电感结构,建立了TGV电感的物理模型,分析了不同结构参数对电感性能的影响,得到电感的品质因数约为80左右。采用这种高品质因子的TGV电感,结合平行平板电容器,设计了一款在玻璃介质中集成的耦合谐振带通滤波器,所设计的滤波器尺寸仅为0.68mm×1.07mm,带内插损小于2dB,面积小,性能优良,进一步验证了电感性能的优良。 展开更多
关键词 玻璃通孔 高品质因子 仿真验证 带通滤波器
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一种玻璃通孔晶片的研磨加工工艺
17
作者 杨静 王雄龙 +1 位作者 韩焕鹏 张伟才 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第10期943-948,共6页
以玻璃通孔(TGV)晶片在减薄过程中出现的边缘破损问题为研究点,对减薄工艺展开了深入研究。通过优化研磨工艺参数,实现了对覆盖TGV晶片表面的硅层及玻璃层的选择性控制,使研磨后的晶片厚度提升至350μm以上,晶片完好无破损;通过增加磨... 以玻璃通孔(TGV)晶片在减薄过程中出现的边缘破损问题为研究点,对减薄工艺展开了深入研究。通过优化研磨工艺参数,实现了对覆盖TGV晶片表面的硅层及玻璃层的选择性控制,使研磨后的晶片厚度提升至350μm以上,晶片完好无破损;通过增加磨削过程实现多余硅层的去除,有效避免了研磨过程中晶片与游星轮边缘的重复撞击对晶片造成的损伤。通过采取上述减薄方式,TGV晶片的边缘得到很好的保护,经过抛光验证,TGV晶片的边缘无破裂。分别采用微分干涉显微镜及白光干涉仪对TGV晶片的边缘及表面粗糙度进行观察与测试,结果表明,TGV晶片边缘光滑、平整,无破损,表面粗糙度为4.24 nm,满足后续使用要求。 展开更多
关键词 玻璃通孔(TGV)晶片 机械减薄 边缘质量 表面粗糙度 阳极键合
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基于光敏玻璃的高深径比微孔制作技术
18
作者 张健 李彦睿 +5 位作者 王文博 王春富 秦跃利 张湉 徐飞 何建 《电子工艺技术》 2022年第3期139-142,共4页
基于FOTURAN②Ⅱ型光敏玻璃基板,研究曝光烧结腐蚀、激光诱导腐蚀和激光诱导烧结腐蚀三种高深径比微孔制作技术,分别从微孔的圆度、侧壁倾角和深径比的角度分析,并与普通玻璃微孔制作进行对比。结果表明,曝光处理光敏玻璃获得的微孔圆... 基于FOTURAN②Ⅱ型光敏玻璃基板,研究曝光烧结腐蚀、激光诱导腐蚀和激光诱导烧结腐蚀三种高深径比微孔制作技术,分别从微孔的圆度、侧壁倾角和深径比的角度分析,并与普通玻璃微孔制作进行对比。结果表明,曝光处理光敏玻璃获得的微孔圆度较好,激光诱导可替代曝光烧结实现对光敏玻璃的变性,规避了玻璃的高温蠕变,提高了微孔位置精度。激光诱导腐蚀光敏玻璃获得的微孔深径比达8.9,侧壁倾角达89°。激光诱导腐蚀法适宜于多类玻璃材料,是一种制作高陡直度、高深径比玻璃微孔的新型制造技术,有利于提高玻璃转接板互连密度,促进微系统高密度集成。 展开更多
关键词 光敏玻璃 玻璃通孔 高深径比 激光诱导
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玻璃通孔技术研究进展 被引量:12
19
作者 陈力 杨晓锋 于大全 《电子与封装》 2021年第4期1-13,共13页
近年来,随着5G、可穿戴设备、智能手机、汽车电子、人工智能等新兴领域蓬勃兴起,集成电路应用正向着多元化应用方向发展,先进三维封装技术也逐渐成为实现电子产品小型化、轻质化、多功能化的重要手段。玻璃通孔(TGV)互连技术具有高频电... 近年来,随着5G、可穿戴设备、智能手机、汽车电子、人工智能等新兴领域蓬勃兴起,集成电路应用正向着多元化应用方向发展,先进三维封装技术也逐渐成为实现电子产品小型化、轻质化、多功能化的重要手段。玻璃通孔(TGV)互连技术具有高频电学特性优异、成本低、工艺流程简单、机械稳定性强等应用优势,在射频器件、微机电系统(MEMS)封装、光电系统集成等领域具有广泛的应用前景。综述了国内外高密度玻璃通孔制作、金属填充、表面高密度布线的研究进展,对玻璃通孔技术特点及其应用进行了总结。 展开更多
关键词 玻璃转接板 玻璃通孔 金属填充 高密度布线
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钾钠物质的量比对LAS光敏微晶玻璃介电性能的影响
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作者 张浩 朱永昌 +2 位作者 崔竹 韩勖 耿安东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期20-23,共4页
作为新型玻璃转接板的基板材料,光敏微晶玻璃的介电性能成为限制其发展的关键因素之一。为此,本研究通过熔融法制备出含有不同钾钠物质的量比的光敏微晶玻璃样品,借助网络矢量分析仪、拉曼光谱、红外光谱以及X射线衍射仪等分析钾钠物质... 作为新型玻璃转接板的基板材料,光敏微晶玻璃的介电性能成为限制其发展的关键因素之一。为此,本研究通过熔融法制备出含有不同钾钠物质的量比的光敏微晶玻璃样品,借助网络矢量分析仪、拉曼光谱、红外光谱以及X射线衍射仪等分析钾钠物质的量比对样品介电常数和介电损耗的影响。结果表明,钾钠物质的量比为0的样品(不含有K2O)具有最低的介电常数和介电损耗,分别为5.0和4.9×10-3(1GHz),这一研究表明增加Na2O对K2O的取代量可以使玻璃结构更加致密,降低玻璃极化和光敏玻璃陶瓷的介电常数和损耗。 展开更多
关键词 介电性能 光敏微晶玻璃 玻璃通孔 碱金属氧化物
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