TiO_(2)添加量对SiC多孔陶瓷物相组成及性能的影响

为制备同时具有高气孔率和高强度的硅结合SiC多孔陶瓷,以α-SiC粉、单质Si粉及TiO_(2)粉为主要原料,在氩气气氛下经1400℃保温3 h制备SiC多孔陶瓷,探究TiO_(2)添加量(加入质量分数分别为0、2%、4%、8%)对材料物相组成、显微形貌、孔径分布及主要物理性能的影响。结果表明:随TiO_(2)添加量的增加,单质Si的衍射峰逐渐消失,材料中检测到Ti_(3)O_(5)及TiSi_(2)物相,伴随着新相的生成,SiC颗粒间结合更加紧密,其显气孔率及平均孔径减小,力学性能显著提升。当TiO_(2)添加量为8%(w)时,材料具有优异的综合性能,其显气孔率、常温抗折强度及平均孔径分别为33.6%、29.6 MPa和0.27μm。

TiO_2压敏电阻的现状与展望

概括了TiO_2压敏电阻的发展与现状,详细讨论了微观结构、掺杂及工艺对TiO_2压敏陶瓷电学性能的影响。根据目前国內外市场状况及其发展趋势,发展多学科交叉研究、优选组分、改进工艺是进一步改善材料性能的关键。在新形势下,开发高质量、多功能TiO_2压敏电阻器,将极具市场前景和经济效益。

烧结温度对TiO_2压敏陶瓷性能的影响

Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结温度的升高,Ti O2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势。在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm-1,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104。

表面层对TiO_2压敏陶瓷电学性能的影响

用电子陶瓷工艺制备了(La,Sr)掺杂的TiO2压敏-电容双功能元件,其压敏电压(V1mA)为8～38V·mm-1,非线性系数为3～5.5,介电常数可达105。样品的压敏电压受表面层影响显著,随着厚度的减少,V1mA从27～38V·mm-1降至8～15V·mm-1,但非线性系数与介电常数受表面层的影响甚小,这主要与烧结后在冷却过程中,空气中的氧在样品表面沿晶界扩散所形成的表面"氧化层"有关。

纳米TiO_2添加剂对TiO_2压敏陶瓷性能的作用

为了改善TiO2压敏陶瓷材料的电学性能,通过添加少量的纳米TiO2,使其压敏电压有了明显的降低,非线性系数有了明显的提高,并对其原因进行了合理分析。结果表明,随着烧结温度的提高, 总趋势是压敏电压下降,非线性系数提高。当添加5％纳米TiO2并在1400℃烧结时,样品显示出较好的压敏特性:V1mA=4．66V／mm,a=4．73和εr=1．1 9×104。

工艺和添加剂对TiO_2功能陶瓷材料性能的影响

研究了工艺和添加剂对ＴｉＯ２功能陶瓷材料性能的影响．发现提高烧结温度和延长保温时间有利于降低材料的压敏电压和使表观介电常数升高．当烧结温度在１２５０℃至１３００℃之间时，可使材料具有较大的非线性系数．添加剂中Ｂｉ２Ｏ３的含量增加，也会降低材料的压敏电压．适量的ＭｎＯ２含量则有利于提高其非线性系数．

TiO_2压敏陶瓷的工艺改进

从粉体制备、造粒、成型和烧结制度等方面讨论了TiO2压敏陶瓷的制备工艺。根据使用要求及发展趋势,开发新工艺、进一步提高产品性能对促进电子材料的发展具有重要意义。

石英砂对TiO_2压敏陶瓷性能的影响

本文主要研究SiO2对TiO2压敏陶瓷电性能的影响,并对其原因进行了分析。结果表明:通过掺入SiO2可以有效调控TiO2陶瓷的压敏特性,使TiO2压敏陶瓷具有良好的电性能。

TiO_2压敏陶瓷的研究进展

TiO2压敏陶瓷的压敏电压低、非线性系数高、介电常数大、制备工艺简单,在电子、通信、航天航空等高新技术产业的低压保护中具有广阔的应用前景。主要从粉体制备工艺、叠层方式烧结、烧结氛围、烧结温度及保温时间、掺杂物质及浓度等方面归纳总结了TiO2压敏陶瓷的研究状况,并展望了其今后的研究趋势。

TiO_2压敏陶瓷电性能的研究现状

综述了粉体尺寸、烧结温度、保温时间、掺杂剂的选择及含量等对TiO_2压敏陶瓷压敏电压、非线性系数、介电损耗和介电常数等电性能以及晶体微观结构影响的研究现状,并指出TiO_2压敏陶瓷在小型化和多功能化等方面的发展是今后重要的研究方向。

基于氮化硅基材的微结构高反射镀膜实验和模拟研究

高温透波材料在航空航天飞行器的天线罩上有着广泛应用,随着激光武器的发展,对天线罩的激光防护性能提出了更高的要求。碳化硅陶瓷材料凭借其优异的机械性能和介电性能,已经成为透波材料的研究热点。本文针对碳化硅陶瓷的激光防护需求,对其表面进行微结构设计以及镀膜处理,通过增强激光发射,提高了抗激光损伤的能力。通过设计加工出微棱镜结构,增强材料对入射光的散射,模拟结果显示不同角度的入射光均从各个方向被反射,减少了陶瓷基体对激光的吸收。实验中采用二氧化钛对陶瓷表面镀膜,大幅提高了材料对于532 nm波长激光的反射能力,反射率从不到10%提升到70%以上。

SiO_(2)掺杂对ZnO-Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷电学性能的影响

在ZnO-Bi_(2)O_(3)-MnO_(2)-Cr2O_(3)基础上掺杂不同含量的SiO_(2),采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能。利用电容-电压特性法测试其晶界参数。结果表明:在频率10 kHz附近时,由于极化跟不上外电场变化,相对介电常数急速下降,同时产生相应的损耗峰。随着SiO_(2)掺杂量的增加,损耗角正切(tanδ)先降低后升高,在掺杂量为0时最高,1.0%(摩尔分数)时最低,SiO_(2)的掺杂明显降低了在10^(5)Hz附近的tanδ值。非线性系数(α)随着SiO_(2)掺杂量的增加先增加后减小,在SiO_(2)掺杂量为1.0%时,样品α值达到43.36,晶界势垒高度φ_(b)在10 kHz时为1.98 eV,施主浓度低至2.97×10^(24)m^(-3),同时漏电流I_(L)为0.31μA/cm^(2)。