烧结温度对TiO_2压敏陶瓷性能的影响

Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结温度的升高,Ti O2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势。在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm-1,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104。

纳米TiO_2添加剂对TiO_2压敏陶瓷性能的作用

为了改善TiO2压敏陶瓷材料的电学性能,通过添加少量的纳米TiO2,使其压敏电压有了明显的降低,非线性系数有了明显的提高,并对其原因进行了合理分析。结果表明,随着烧结温度的提高, 总趋势是压敏电压下降,非线性系数提高。当添加5％纳米TiO2并在1400℃烧结时,样品显示出较好的压敏特性:V1mA=4．66V／mm,a=4．73和εr=1．1 9×104。

低压ZnO压敏电阻中Bi_2O_3-TiO_2相变过程的研究

在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究。发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界。而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界。通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释。

石英砂对TiO_2压敏陶瓷性能的影响

本文主要研究SiO2对TiO2压敏陶瓷电性能的影响,并对其原因进行了分析。结果表明:通过掺入SiO2可以有效调控TiO2陶瓷的压敏特性,使TiO2压敏陶瓷具有良好的电性能。

CeO_2掺杂TiO_2基压敏陶瓷的性能研究

该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响。结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7V/mm,非线性系数为3.8,漏电流为0.1A,且具有优的介电常数和介电损耗。

(Ca_(0.9375)Sr_(0.0625))_(0.25)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.75)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结

研究以氧化锂-氧化硼-二氧化硅-氧化钙-氧化铝(Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3,LBSCA)低熔点玻璃料为烧结助剂降低钙和锶复合掺杂钛酸锂钐[(Ca0.937 5Sr0.062 5)0.25(Li0.5Sm0.5)0.75TiO3,CSLST]微波介质陶瓷的烧成温度,探讨不同LBSCA掺量对CSLST陶瓷烧结行为和微波介电性能的影响规律。结果表明:当LBSCA的添加质量分数(下同)从0%到15%变化时,陶瓷的最佳烧成温度从1 200℃降低到900℃。LBSCA掺量为5%的陶瓷最佳烧成温度为1 000℃,此时陶瓷具有优异的微波介电性能:相对介电常数εr=84.74,品质因素与频率乘积Q×f=2 446 GHz,频率温度系数τf=-12.48×10-6/℃。LBSCA是理想的低温烧结CSLST陶瓷的烧结助剂。