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Effects of N_2/O_2 flow rate on the surface properties and biocompatibility of nano-structured TiO_xN_y thin films prepared by high vacuum magnetron sputtering
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作者 Sehrish Saleem R.Ahmad +6 位作者 Uzma Ikhlaq R.Ayub Jin Wei Hong Xu Rui Zhen Li Peng Hui Khizra Abbas Paul K.Chu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期321-326,共6页
NiTi shape memory alloys(SMA) have many biomedical applications due to their excellent mechanical and biocompatible properties. However, nickel in the alloy may cause allergic and toxic reactions, which limit some a... NiTi shape memory alloys(SMA) have many biomedical applications due to their excellent mechanical and biocompatible properties. However, nickel in the alloy may cause allergic and toxic reactions, which limit some applications. In this work, titanium oxynitride films were deposited on NiTi samples by high vacuum magnetron sputtering for various nitrogen and oxygen gas flow rates. The x-ray diffraction(XRD) and x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) results reveal the presence of different phases in the titanium oxynitride thin films. Energy dispersive spectroscopy(EDS) elemental mapping of samples after immersion in simulated body fluids(SBF) shows that Ni is depleted from the surface and cell cultures corroborate the enhanced biocompatibility in vitro. 展开更多
关键词 titanium oxynitride films magnetron sputtering biocompatibility
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Microstructure and optoelectronic properties of galliumtitanium-zinc oxide thin films deposited by magnetron sputtering 被引量:6
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作者 陈首部 陆轴 +3 位作者 钟志有 龙浩 顾锦华 龙路 《Optoelectronics Letters》 EI 2016年第4期280-284,共5页
Gallium-titanium-zinc oxide(GTZO) transparent conducting oxide(TCO) thin films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering. The dependences of the microstructure and optoelectronic prope... Gallium-titanium-zinc oxide(GTZO) transparent conducting oxide(TCO) thin films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering. The dependences of the microstructure and optoelectronic properties of GTZO thin films on Ar gas pressure were observed. The X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) results show that all the deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and have a preferred orientation along the c-axis perpendicular to the substrate. With the increment of Ar gas pressure, the microstructure and optoelectronic properties of GTZO thin films will be changed. When Ar gas pressure is 0.4 Pa, the deposited films possess the best crystal quality and optoelectronic properties. 展开更多
关键词 Conductive films Gallium alloys magnetron sputtering MICROSTRUCTURE Oxide films Scanning electron microscopy SUBSTRATES titanium oxides X ray diffraction Zinc Zinc oxide
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Carbon-Doped Titanium Oxide Films by DC Reactive Magnetron Sputtering Using CO_2 and O_2 as Reactive Gas
3
作者 Dong Xie Feng Wen +5 位作者 Wenmao Yang Xueyuan Li Yongxiang Leng Guojiang Wan Hong Sun Nan Huang 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第2期239-244,共6页
CO2 and O2 were employed as reactive gases to fabricate carbon-doped titanium oxide films using DC reactive magnetron sputtering. Microstructure, composition and optical band gap of the films were investigated by X-ra... CO2 and O2 were employed as reactive gases to fabricate carbon-doped titanium oxide films using DC reactive magnetron sputtering. Microstructure, composition and optical band gap of the films were investigated by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, and UV-visible spectrophotometer, respectively. The results showed that carbon-doped titanium monoxide films (C-TiO) with a carbon concentration of 5.8 at.% were obtained in an AffCO2 mixed atmosphere. However, carbon-doped futile and anatase (C-TiO2) with a carbon concentration of about 1.4 at.% were obtained in an Ar/CO2/O2 mixed atmosphere. The optical band gaps of C-TiO and C-TiO2 were about 2.6 and 2.9 eV, respectively. Both of them were narrower than that of pure TiO2 films. Films with narrowed optical band gap energy are promising in promoting their photo-catalytic activity. 展开更多
关键词 Carbon-doped titanium oxide films Optical band gap DC reactive magnetron sputtering
原文传递
退火对钛合金钽涂层力学及生物性能的影响
4
作者 廖士铸 张颂红 +4 位作者 宋振纶 杨丽景 杨驰 郑吉驷 周政印 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期184-192,共9页
目的 针对钛合金(TC4)在骨植入、骨替换方面因受体液腐蚀及骨骼之间的相互摩擦使改性涂层容易遭受破坏导致有毒金属离子的释放,通过退火提高TC4表面钽涂层的力学性能和生物相容性能。方法 采用磁控溅射技术在TC4基体上沉积钽涂层,并在... 目的 针对钛合金(TC4)在骨植入、骨替换方面因受体液腐蚀及骨骼之间的相互摩擦使改性涂层容易遭受破坏导致有毒金属离子的释放,通过退火提高TC4表面钽涂层的力学性能和生物相容性能。方法 采用磁控溅射技术在TC4基体上沉积钽涂层,并在不同的热处理温度650、750、850℃下退火5 h,使用扫描电子显微镜、能谱仪、XRD、划痕仪、摩擦磨损试验机、电化学工作站和生物毒性实验对Ta涂层的组织形貌、力学性能及生物性能进行测试与表征。结果 所制备的Ta涂层组织较致密,在一定的退火温度下,组织结构变得更加致密。在退火温度650℃时的硬度值(16.68 GPa)和弹性模量值(208.90 GPa)最高,这是由于产生较强的β-Ta峰,使硬度值显著提高。经750℃退火后,涂层具有最大的结合强度(20.82N),优异的耐腐蚀性,摩擦曲线波动最小、最平稳且平均摩擦系数值(COF)最小。这是由于涂层与基体之间的元素相互扩散,降低了界面应力,促进了结合强度的提高。这有利于提高涂层的致密度,可降低涂层表面的微孔缺陷,阻碍腐蚀溶液通过涂层的路径作用,从而提高基体的耐腐蚀性。同时有效避免了涂层大面积脱落,减少了摩擦表面积,也提高了涂层的摩擦性能。在750℃和850℃退火温度下钽涂层的KRGR>80%,表现出良好的生物相容性。结论 经退火后的钽涂层组织更加致密,结合强度更高,耐磨性、耐腐蚀性、生物相容性更好。 展开更多
关键词 TC4钛合金 磁控溅射 退火 结合强度 Ta涂层 生物相容性
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钽掺杂含量对类金刚石薄膜力学性能及生物相容性的影响
5
作者 李东昕 王静静 +4 位作者 宓保森 马迅 陈天驹 刘平 李伟 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期208-222,共15页
目的探索钽(Ta)掺杂类金刚石(DLC)薄膜的结构转变规律,并提升其力学性能、摩擦性能及生物相容性能。方法采用非平衡性磁控溅射镀膜技术,在0~0.5 kW功率下,制备了不同Ta掺杂含量的DLC薄膜。对其微观形貌、组织成分、摩擦性能、力学性能... 目的探索钽(Ta)掺杂类金刚石(DLC)薄膜的结构转变规律,并提升其力学性能、摩擦性能及生物相容性能。方法采用非平衡性磁控溅射镀膜技术,在0~0.5 kW功率下,制备了不同Ta掺杂含量的DLC薄膜。对其微观形貌、组织成分、摩擦性能、力学性能以及生物相容性进行了详细表征。结果钽的掺入提升了碳的沉积速率,导致薄膜厚度增加,薄膜中sp3-C含量随Ta掺杂量的增加先升高后降低。在Ta-0.2 kW及以上的DLC薄膜中出现了TaC晶体和Ta—Ta纳米团簇,这导致薄膜表面粗糙度先增后减。与未掺杂的DLC薄膜相比,掺杂Ta的DLC薄膜的膜基结合力从10 N提高到25 N,断裂韧性从0.6 MPa·m^(1/2)提高到1.6 MPa·m^(1/2)以上,干摩擦因数从0.45降低到0.1~0.15,湿摩擦因数0.35降低至约0.1,干摩擦磨损率从4500×10^(-6)mm^(3)/(N·m)降低至7×10^(-6)mm^(3)/(N·m)以下,湿摩擦磨损率更是降低到1×10^(-6)mm^(3)/(N·m)。但掺杂Ta的DLC薄膜的弹性模量有所降低,润湿性也略有下降,硬度并没有太大改变。此外,掺杂Ta的薄膜还表现出了良好的诱导羟基磷灰石形成能力,生成的羟基磷灰石层的钙磷原子比(Ca/P)介于1.4~1.65,接近人体的Ca/P比例,并且无论掺杂还是未掺杂的薄膜均未显示出细胞毒性。结论钽的掺入显著提升了DLC薄膜的膜基结合力、断裂韧性、摩擦磨损性能和促进羟基磷灰石形成能力。因此,这种薄膜具有作为生物保护层应用于植入体表面的潜力。在Ta-0.4 kW时,Ta-DLC薄膜展现出了最佳的综合性能。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 磁控溅射 钽掺杂 摩擦磨损性能 生物相容性
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磁控溅射制备铝、钛掺杂钽氮化合物薄膜的微观结构与电学性能研究
6
作者 杨曌 曾璇 +4 位作者 李依麟 沈琦 宁洪龙 沓世我 姚日晖 《材料研究与应用》 CAS 2024年第1期150-156,共7页
采用反应射频磁控溅射法,在Al_(2)O_(3)陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,... 采用反应射频磁控溅射法,在Al_(2)O_(3)陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,TaN薄膜的粗糙度逐渐增大,晶体结构逐渐向非晶转变;Al元素掺杂时,当Al靶掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜电阻率由0.88 mΩ·cm增至82.72 mΩ·cm;Ti元素掺杂时,当Ti靶掺杂功率由0 W升至70 W,电阻率由1.03 mΩ·cm降至0.32 mΩ·cm。此时,随着Al和Ti靶材掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜的TCR值分别从-1313×10^(-6)℃^(-1)逐渐负偏至-3831×10^(-6)℃^(-1)和从-1322×10^(-6)℃^(-1)正偏至-404×10^(-6)℃^(-1)。该研究为溅射制备掺杂TaN薄膜提供了深刻的理论和实验基础。 展开更多
关键词 TAN 磁控溅射 铝掺杂 钛掺杂 微结构 电性能 薄膜 制备工艺
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紧凑型氘氘中子发生器中钛自成靶实验研究
7
作者 冯子楠 徐伟 +8 位作者 李旭 吴亮亮 孟献才 王纪超 钱玉忠 王维海 耿成龙 梁立振 胡纯栋 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期922-928,共7页
靶作为氘氘中子发生器关键部件之一,其性能直接影响了中子发生器的中子产额及其稳定运行。文章从钛自成靶的设计、制备、表征及测试四个方面系统的介绍了中子发生器中靶的关键技术实验研究。首先,为满足靶的温度控制需求,采用无氧铜作... 靶作为氘氘中子发生器关键部件之一,其性能直接影响了中子发生器的中子产额及其稳定运行。文章从钛自成靶的设计、制备、表征及测试四个方面系统的介绍了中子发生器中靶的关键技术实验研究。首先,为满足靶的温度控制需求,采用无氧铜作为靶基底材料,并在其内部开设套环式主动水冷回路。通过ANSYS热工模拟靶在加速器运行时的表面温升情况,并利用电子枪轰击测试靶表面实际温度变化情况。模拟和测试结果表明,在中子发生器运行期间,靶表面温度可以有效控制在200℃以内。随后,利用直流磁控溅射技术在无氧铜靶衬底表面制备微米级高纯靶膜。并且,利用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪和划痕仪研究了靶膜表面的微观结构、成分及膜基结合力。结果表明利用磁控溅射制备的钛膜表面十分均匀紧凑,以六方晶系结构的α-Ti沉积在靶衬底表面,钛膜与基底的膜基结合力为0.22 N。最后,在感应耦合型中子发生器中子产额达到了1.25×10^(8)n/s,电子回旋共振中子发生器中子产额达到了1.75×10^(8)n/s,都实现了稳定运行5 h。 展开更多
关键词 中子发生器 自成靶 磁控溅射 钛膜
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在PMMA上低温沉积TiO_(2)薄膜的光学性能及显微结构
8
作者 纪建超 颜悦 +3 位作者 陈宇宏 哈恩华 郝常山 雷沛 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期7-12,共6页
采用直流脉冲磁控溅射的方法,在有机玻璃(聚甲基丙烯酸甲酯,PMMA)上沉积了TiO_(2)薄膜。研究了氧气比例、真空度等参数对TiO_(2)薄膜的结构及光学性能的影响。借助椭圆偏振光测试仪、X射线衍射(XRD)仪、分光光度计、原子力显微镜(AFM)... 采用直流脉冲磁控溅射的方法,在有机玻璃(聚甲基丙烯酸甲酯,PMMA)上沉积了TiO_(2)薄膜。研究了氧气比例、真空度等参数对TiO_(2)薄膜的结构及光学性能的影响。借助椭圆偏振光测试仪、X射线衍射(XRD)仪、分光光度计、原子力显微镜(AFM)等表征手段,分析了薄膜的光学特性、元素组成、结晶性能、及显微结构。结果表明,随氧气比例的增加,薄膜的沉积速率降低,沉积的薄膜的粒径变大,薄膜趋于疏松;在光学性能方面表现为随氧气比例的增加,折射率递减,但可见光透过率增加,反射率谱线出现红移;根据折射率计算的薄膜堆积密度分别为0.95、0.93、0.87、0.88、0.78,与氧气比例反向变化;根据光谱计算的薄膜禁带宽度在3.12~3.14 eV之间,与氧气比例反向变化;随工作真空度的降低,薄膜的沉积速率先升后降,薄膜趋于疏松,折射率下降,根据折射率计算的薄膜堆积密度为0.96、0.95、0.90、0.89、0.88、0.88、0.87,真空度对薄膜可见光透过率具有正向影响,对薄膜的禁带宽度有反向影响,禁带宽度在3.13~3.16 eV之间;本文沉积的TiO_(2)薄膜为无定形态,氧气比例与真空度的变化对其结晶性基本无影响。 展开更多
关键词 聚甲基丙烯酸甲酯 二氧化钛 薄膜 磁控溅射 光学性能 显微结构
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Preparation of TiO_2 nanotube on glass by anodization of Ti films at room temperature 被引量:3
9
作者 汤育欣 陶杰 +3 位作者 张焱焱 吴涛 陶海军 朱亚蓉 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2009年第1期192-198,共7页
In order to fabricate titania nanotubes on glass substrate, Ti thin films (700-900 nm) were first deposited by radio-frequency(RF) magnetron sputtering and then anodized in an aqueous HF electrolyte solution at room t... In order to fabricate titania nanotubes on glass substrate, Ti thin films (700-900 nm) were first deposited by radio-frequency(RF) magnetron sputtering and then anodized in an aqueous HF electrolyte solution at room temperature. The morphology and structure of the nanotubes were identified by means of field emission scanning electron microscopy(FE-SEM) and X-ray diffractometry(XRD). The effects of anodization parameters (concentration of electrolyte, applied voltage) on nanotube morphology were comprehensively investigated. The results show that the dense and crystalline Ti film can be obtained on the unheated glass substrate under the sputtering power of 150 W, and the anodization current and voltage play significant roles in the formation of titania nanotube with different tube sizes. 展开更多
关键词 射频磁控溅射技术 金属学 金属材料 合金
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磁控溅射技术制备氮化钛薄膜的研究进展 被引量:2
10
作者 高正源 杨栋 +2 位作者 孙程锦 卢再亮 孙鹏飞 《热加工工艺》 北大核心 2023年第8期6-11,共6页
氮化钛薄膜具有出色的涂层性能,如高硬度、低电阻率和良好的耐蚀耐磨性等,在汽车、航空航天和生物医学中有着广泛的应用。磁控溅射技术因其成本低、沉积速率高以及绿色环保等优势,成为氮化钛薄膜制备的主要技术之一。综述了磁控溅射工... 氮化钛薄膜具有出色的涂层性能,如高硬度、低电阻率和良好的耐蚀耐磨性等,在汽车、航空航天和生物医学中有着广泛的应用。磁控溅射技术因其成本低、沉积速率高以及绿色环保等优势,成为氮化钛薄膜制备的主要技术之一。综述了磁控溅射工艺参数对氮化钛薄膜择优取向、晶粒大小、膜层厚度、相组成和力学性能等的影响规律和作用机制。另外,还讨论了掺杂元素的种类、浓度和不同的退火温度对氮化钛薄膜组织结构与性能的影响。最后,提出了磁控溅射制备氮化钛薄膜的研究难点,并展望了未来磁控溅射技术制备氮化钛薄膜的发展方向。 展开更多
关键词 磁控溅射 氮化钛薄膜 溅射参数 择优取向 力学性能
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钒含量对磁控溅射TiAlVN薄膜性能的影响
11
作者 陆昆 赵立军 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第3期35-39,共5页
采用磁控溅射法在不同V靶功率下制得一系列不同V含量的TiAlVN膜。通过能谱分析、X射线衍射、硬度测量和高温退火研究了V原子分数对Ti Al VN膜成分、晶相结构、硬度和抗高温氧化性能的影响。结果表明,不同V含量的TiAlVN膜均为面心立方结... 采用磁控溅射法在不同V靶功率下制得一系列不同V含量的TiAlVN膜。通过能谱分析、X射线衍射、硬度测量和高温退火研究了V原子分数对Ti Al VN膜成分、晶相结构、硬度和抗高温氧化性能的影响。结果表明,不同V含量的TiAlVN膜均为面心立方结构,呈TiN(111)面择优取向。随V原子分数的增大,TiAlVN膜的硬度增大,抗高温氧化性能变差。当V原子分数为16.96%(即磁控溅射的V靶功率为60 W)时,TiAlVN膜的硬度最高(为31.67 GPa),抗高温氧化性能较好。 展开更多
关键词 磁控溅射 钛-铝-钒氮化物膜 组织结构 硬度 抗高温氧化性
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石墨表面磁控溅射钛膜的结构与工艺参数研究 被引量:1
12
作者 杨岭 潘应君 +1 位作者 郑世恩 朱星宇 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2023年第3期11-17,共7页
为解决石墨表面制备的不粘涂层结合力低的问题,可采用钛薄膜作为过渡层以提高结合力。本文采用磁控溅射技术在石墨基片表面制备钛薄膜,通过优化溅射工艺参数,提高钛薄膜的附着力。通过正交试验设计研究溅射功率、溅射气压和沉积时间对... 为解决石墨表面制备的不粘涂层结合力低的问题,可采用钛薄膜作为过渡层以提高结合力。本文采用磁控溅射技术在石墨基片表面制备钛薄膜,通过优化溅射工艺参数,提高钛薄膜的附着力。通过正交试验设计研究溅射功率、溅射气压和沉积时间对钛薄膜组织结构、表面粗糙度以及附着力的影响。利用扫描电镜(SEM)等分析了钛薄膜的微观形貌、物相结构及表面粗糙度,进行划格试验评估了薄膜的附着力。研究得到优化工艺参数为:溅射功率200 W,溅射气压1.2 Pa,沉积时间50 min。薄膜微观呈现岛状结构,颗粒尺寸约150 nm。钛薄膜为密排六方α-Ti结构,沿(002)晶面择优生长,这可能与石墨基体的片层状结构有关。溅射工艺参数的优化可以有效提高钛薄膜与石墨基体的附着力。 展开更多
关键词 磁控溅射 钛薄膜 石墨 工艺参数 附着力 粗糙度
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TiO薄膜的制备及电输运性质 被引量:1
13
作者 蔡文博 杨洋 李志青 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第22期262-269,共8页
利用磁控溅射技术,通过改变氧分压在MgO (001)单晶基片上外延生长了一系列TiO薄膜,并对薄膜的结构、价态和电输运性质进行了系统研究. X射线衍射结果表明,所制备的薄膜具有岩盐结构,沿[001]晶向外延生长. X射线光电子能谱结果表明,薄膜... 利用磁控溅射技术,通过改变氧分压在MgO (001)单晶基片上外延生长了一系列TiO薄膜,并对薄膜的结构、价态和电输运性质进行了系统研究. X射线衍射结果表明,所制备的薄膜具有岩盐结构,沿[001]晶向外延生长. X射线光电子能谱结果表明,薄膜中Ti元素主要以二价形式存在.所有样品均具有负的电阻温度系数,高氧分压下制备的薄膜表现出绝缘体的导电性质,低温下电阻与温度的关系遵从变程跳跃导电规律.低氧分压下制备的薄膜具有金属导电性质,并具有超导电性,超导转变温度最高可达3.05 K.所有样品均具有较高的载流子浓度,随着氧分压的降低,薄膜的载流子类型由电子主导转变为空穴主导.氧含量的降低可能加强了TiO中Ti—Ti键的作用,从而使低氧分压下制备的样品显现出与金属Ti相似的电输运性质,薄膜超导转变温度的提升可能与晶体结构或电子结构突变相关联. 展开更多
关键词 钛氧化物薄膜 磁控溅射 电输运性质 超导电性
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Ti6Al4V表面增强CrN和TiN薄膜 被引量:1
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作者 司彪 时晓光 +3 位作者 孙琳凡 杜峰 张开策 周艳文 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期444-454,共11页
目的研究表面增强氮化铬(CrN)和氮化钛(TiN)薄膜与Ti6Al4V(TC4)基体的适应性。方法采用热丝增强等离子体磁控溅射技术,通过改变热丝放电电流,在TC4合金表面制备CrN、TiN薄膜。采用扫描电子显微镜、X–射线衍射仪、纳米压痕仪、洛氏硬度... 目的研究表面增强氮化铬(CrN)和氮化钛(TiN)薄膜与Ti6Al4V(TC4)基体的适应性。方法采用热丝增强等离子体磁控溅射技术,通过改变热丝放电电流,在TC4合金表面制备CrN、TiN薄膜。采用扫描电子显微镜、X–射线衍射仪、纳米压痕仪、洛氏硬度计和摩擦磨损测试仪分别表征薄膜的组织形貌、成分、相结构、内应力、纳米硬度、弹性模量及耐磨性。结果随着热丝放电电流从0 A增加至32 A,等离子体密度增大,薄膜表面形貌由较疏松的四棱锥形转变成致密球形,截面柱状晶排列更加致密;薄膜择优取向从低应变能的(111)取向转变为低表面能的(200)取向;无热丝放电时TiN薄膜内应力高于CrN薄膜,随着热丝放电电流的增大,TiN薄膜内应力逐渐低于CrN薄膜;并且随着热丝放电电流的增大,薄膜的弹性模量与硬度均增大,但相同试验条件下CrN薄膜的弹性模量与硬度均低于TiN薄膜;压痕检测结果表明,薄膜与基体结合完好;低载荷摩擦磨损检测结果表明,硬度及弹性模量较高的TiN薄膜磨损量最低。结论在相同等离子体密度能量轰击下,硬度和弹性模量较高的TiN薄膜内应力增幅较小;低载荷磨损时,弹性模量及硬度较高、内应力较低的TiN薄膜更适用于Ti6Al4V基体的增强改性。 展开更多
关键词 TC4钛合金 等离子体增强磁控溅射 等离子体密度 氮化物薄膜 低载荷摩擦
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双靶磁控溅射制备Ag-Ti薄膜及其去合金化初探
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作者 张奕雄 《当代化工》 CAS 2023年第11期2610-2613,2617,共5页
采用双靶磁控溅射技术通过调节靶材的溅射功率在表面氧化的Si(100)衬底上制备出了一系列不同Ag含量的Ag-Ti合金薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对薄膜的形貌、组成及晶体结构进行了分析,并对Ag-Ti薄膜的去合金化方法进行了初步探... 采用双靶磁控溅射技术通过调节靶材的溅射功率在表面氧化的Si(100)衬底上制备出了一系列不同Ag含量的Ag-Ti合金薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对薄膜的形貌、组成及晶体结构进行了分析,并对Ag-Ti薄膜的去合金化方法进行了初步探究。结果表明:通过低温双靶磁控溅射制备的Ag-Ti合金薄膜处于热力学不稳定状态且具有良好的成分均匀性,并且薄膜的厚度、含银量、晶粒尺寸及结晶度均随着银靶功率的提升而不断增加。此外,本研究首次发现,通过简单的硝酸和过氧化氢溶液处理,能够成功实现Ag-Ti薄膜的去合金化,且产物分别为多层级多孔银膜以及掺银的纳米多孔氧化钛薄膜,因而在表面增强拉曼散射、光催化、医用抗菌等领域具有潜在价值。 展开更多
关键词 双靶磁控溅射 Ag-Ti薄膜 去合金化 多孔银 多孔氧化钛
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射频磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜及其光致特性研究 被引量:22
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作者 沈杰 沃松涛 +2 位作者 崔晓莉 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期81-86,共6页
在室温下采用射频溅射法制备纳米TiO2 薄膜 ,并用XRD、AFM、Raman谱仪等手段研究了不同溅射气压及不同退火温度处理后薄膜的结构及其相应的亲水性、光催化能力。结果表明 :在室温下制备的薄膜为无定形结构 ,当退火温度超过4 0 0℃时转... 在室温下采用射频溅射法制备纳米TiO2 薄膜 ,并用XRD、AFM、Raman谱仪等手段研究了不同溅射气压及不同退火温度处理后薄膜的结构及其相应的亲水性、光催化能力。结果表明 :在室温下制备的薄膜为无定形结构 ,当退火温度超过4 0 0℃时转化为锐钛矿结构。在 4 0 0℃下退火 展开更多
关键词 射频溅射 磁控溅射 纳米TIO2薄膜 纳米二氧化钛薄膜 光致特性 溅射气压 退火温度
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Ag/Ni多层膜对钛合金微动磨损和微动疲劳抗力的影响 被引量:18
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作者 刘道新 王振亚 +2 位作者 张晓化 刘国华 唐宾 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期498-504,共7页
为了有效提高钛合金耐微动磨损和抗微动疲劳性能,且避免银脆隐患,在Ti811钛合金表面利用离子辅助磁控溅射沉积技术制备了不同调制周期的Ag/Ni金属多层膜,测试了多层膜的结构、结合强度、显微硬度和韧性,研究了不同调制周期的Ag/Ni多层... 为了有效提高钛合金耐微动磨损和抗微动疲劳性能,且避免银脆隐患,在Ti811钛合金表面利用离子辅助磁控溅射沉积技术制备了不同调制周期的Ag/Ni金属多层膜,测试了多层膜的结构、结合强度、显微硬度和韧性,研究了不同调制周期的Ag/Ni多层膜对钛合金基材微动磨损和微动疲劳抗力的影响,并与纯Ag膜和纯Ni膜进行了对比.结果表明:离子辅助磁控溅射技术可以制备出致密度高、晶粒细致、结合强度高的Ag/Ni多层膜,多层膜的硬度随多层膜调制周期的减小而提高,调制周期小于100 nm时呈现明显的超硬度现象.Ag/Ni多层膜具有良好的减摩润滑作用和抗疲劳性能,能够显著改善Ti811钛合金耐微动磨损和抗微动疲劳性能,改善效果随多层膜调质周期降低而增大. 展开更多
关键词 微动疲劳 微动磨损 多层膜 磁控溅射 钛合金
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NiTi形状记忆合金薄膜的残余应力 被引量:8
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作者 吴廷斌 漆璿 +4 位作者 王文杰 董荆山 江伯鸿 王莉 蔡炳初 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期436-439,共4页
采用 X射线掠射法和轮廓法 ,测量了单晶 Si基板上用磁控溅射法制备的 Ni Ti形状记忆合金薄膜的残余应力 ,分析了其与薄膜厚度以及晶化处理温度等工艺条件的关系 .结果表明 :该薄膜中的残余应力主要来源于薄膜同基板材料的膨胀系数和晶... 采用 X射线掠射法和轮廓法 ,测量了单晶 Si基板上用磁控溅射法制备的 Ni Ti形状记忆合金薄膜的残余应力 ,分析了其与薄膜厚度以及晶化处理温度等工艺条件的关系 .结果表明 :该薄膜中的残余应力主要来源于薄膜同基板材料的膨胀系数和晶格参数不匹配 ;薄膜厚度越大 ,残余应力越小 ;晶化处理温度对因热胀系数差异带来的热拉应力因马氏体相变而致的相变压应力均有不同程度的影响 . 展开更多
关键词 形状记忆合金 薄膜 残余应力 膨胀系数 晶格参数 晶化处理
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制备工艺对WO_3/TiO_2薄膜可见光催化活性的影响 被引量:11
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作者 张琦 李新军 +2 位作者 李芳柏 王良焱 梁园园 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1299-1303,共5页
采用磁控溅射技术在浸渍提拉法制得的TiO2 薄膜上溅射WO3 层 ,通过不同制备工艺控制W在TiO2晶体中的分布。UV VIS透射光谱表明 ,在可见光范围内溅射有WO3 层的薄膜有不同程度的吸收光谱红移现象。并理论计算出带隙能 ,溅射WO3 层使薄膜... 采用磁控溅射技术在浸渍提拉法制得的TiO2 薄膜上溅射WO3 层 ,通过不同制备工艺控制W在TiO2晶体中的分布。UV VIS透射光谱表明 ,在可见光范围内溅射有WO3 层的薄膜有不同程度的吸收光谱红移现象。并理论计算出带隙能 ,溅射WO3 层使薄膜的带隙能变小。甲基橙光催化降解实验表明 ,以焙烧—溅射—热处理 5h工艺制备的WO3 /TiO2 薄膜可见光活性最佳 ,W从薄膜表面到内层的浓度递减分布。讨论了不同制备工艺引起的W在薄膜内部的不同分布对光催化活性的影响。 展开更多
关键词 制备工艺 WO3/TiO2薄膜 可见光催化活性 二氧化钛 磁控溅射 氧化钨 半导体
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直流反应磁控溅射方法制备碳掺杂TiO_2薄膜及其可见光活性 被引量:24
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作者 朱蕾 崔晓莉 +2 位作者 沈杰 杨锡良 章壮健 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1662-1666,共5页
室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入... 室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入有利于TiO_2薄膜的晶格生长,并随靶中碳面积的增加,薄膜的结晶度也相应提高.由透射光谱计算得到的禁带宽度表明,靶中碳和钛的面积比为0.05时,薄膜的禁带宽度由纯TiO_2薄膜的3.4 eV减小到3.1 eV.光电测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳的引入可以提高薄膜的光电响应,面积比为0.10时,可见光下0 V时薄膜的光电流密度为0.069μA·cm^(-2);但碳和钛的面积比增加到0.16时,测得的薄膜光电响应异常. 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射法 碳/钛镶嵌靶 碳掺杂的二氧化钛薄膜 光电化学
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