基于氮化铝HTCC的表面Cu互连制备技术

针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和剥离强度测试仪分析和研究了界面的微观结构和力学性能。研究结果表明:与氮化铝/钛钨(TiW)/Cu相比,氮化铝/钛(Ti)/Cu界面的缺陷更少,金属Ti的黏附性能更优,拉脱断裂面在陶瓷基板上。当采用厚度为400 nm的Ti作为黏附层时,表面金属化剥离强度高达592 MPa,实现了高界面结合力,保证了产品封装性能的稳定性。

Electrical and Corrosion Properties of Titanium Aluminum Nitride Thin Films Prepared by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

Titanium-aluminum-nitride（TiAlN） films were grown by plasma-enhanced atomic layer deposition（PEALD）on 316 L stainless steel at a deposition temperature of 200 °C. A supercycle, consisting of one AlN and ten TiN subcycles, was used to prepare TiAlN films with a chemical composition of Ti（0.25）Al（0.25）N（0.50）. The addition of AlN to TiN resulted in an increased electrical resistivity of TiAlN films of 2800 μΩ cm, compared with 475 μΩ cm of TiN films, mainly due to the high electrical resistivity of AlN and the amorphous structure of TiAlN. However, potentiostatic polarization measurements showed that amorphous TiAlN films exhibited excellent corrosion resistance with a corrosion current density of 0.12 μA/cm^2, about three times higher than that of TiN films, and about 12.5 times higher than that of 316 L stainless steel.

用铝合金中间层连接Si_3N_4和低碳钢

利用Thermorestor-W焊接热模拟试验机,采用适当的焊接参数和工艺,能够用铝合金中间层固相扩散连接Si_3N_4和低碳钢。在连接温度下,铝合金Si_3N_4进入孔洞中形成机械连接,而铝合金与Si_3N_4连接的主要机理是铝与Si_3N_4发生固相反应生成AlN。当温度大于530℃时,铝合金/Si_3N_4界面Al,Si扩散层厚度基本上不随温度升高而变化。Si_3N_4/铝合金/低碳钢接头的剪切强度取决于铝合金/钢界面强度,且随扩散连接温度上升而增加。

现代镀覆技术第二部分——化学镀镍(续5)

给出了适用于压铸锌合金、镁合金、钛合金、粉末冶金、铝合金、陶瓷、碳纤维、永磁体等材质工件的化学镀镍工艺。

植保无人机用锂电池的开发

对植保无人机配套动力电源的使用工况、技术参数及指标进行研究分析,通过对镍钴锰–中空碳微球电极体系、涂炭铝箔和陶瓷隔膜等材料的应用,定制开发了植保无人机专用3.7 V 22 Ah三元锂离子电池。经检测,项目产品的倍率性能、荷电保持能力及容量恢复性能、循环性能明显提升,且热失控等安全性风险显著降低。

无机纳米粒子在环氧树脂增韧改性中的应用

对近年来国内采用无机纳米粒子,如二氧化硅,层状硅酸盐粘土,碳酸钙,二氧化钛,三氧化二铝,氧化锌,石墨烯等增韧环氧树脂的研究进展作了综述。

无压烧结制备Ti–Al–C系三元层状陶瓷

以TiC粉、Al粉、Ti粉为原料,采用无压烧结工艺制备高纯Ti–Al–C三元层状陶瓷,探究了烧结温度、烧结时间、烧结助剂等对Ti–Al–C系三元层状陶瓷制备的影响。结果表明:在一定范围内提高烧结温度和烧结时间能减少杂质相的产生,不添加助剂情况下在1 400℃下保温3 h能得到80%(质量分数)以上的Ti–Al–C系三元层状陶瓷,该条件下掺入少量Si粉或Sn粉能得到高纯Ti–Al–C系三元层状陶瓷。TiC、Al、Ti和Si质量比为2.0:1.2:1.0:0.1的原料粉末在1 400℃保温3 h能得到纯度99%以上的Ti3AlC2陶瓷,TiC、Al、Ti和Sn质量比为2.0:1.2:1.0:0.1与TiC、Al、Ti和Sn质量比为1.0:1.2:1.0:0.1的原料粉末在1 400℃保温3 h均能制备出纯度99%的以Ti3AlC2为主晶相的Ti3AlC2/Ti2AlC复相陶瓷。