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MULTIPLICITY OF POSITIVE SOLUTIONS FOR A CLASS OF CONCAVE-CONVEX ELLIPTIC EQUATIONS WITH CRITICAL GROWTH
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作者 廖家锋 蒲洋 唐春雷 《Acta Mathematica Scientia》 SCIE CSCD 2018年第2期497-518,共22页
In this article, the following concave and convex nonlinearities elliptic equations involving critical growth is considered,{-△u=g(x)|u|2*-2u+λf(x)|u|q-2u,x∈Ω u=0,x∈δΩ where Ω RN(N ≥ 3) is an op... In this article, the following concave and convex nonlinearities elliptic equations involving critical growth is considered,{-△u=g(x)|u|2*-2u+λf(x)|u|q-2u,x∈Ω u=0,x∈δΩ where Ω RN(N ≥ 3) is an open bounded domain with smooth boundary, 1 〈 q 〈 2, λ 〉 0. 2*= 2N/N-2 is the critical Sobolev exponent, f ∈L2*/2N/N-2 is nonzero and nonnegative, and g E (Ω) is a positive function with k local maximum points. By the Nehari method and variational method, k + 1 positive solutions are obtained. Our results complement and optimize the previous work by Lin [MR2870946, Nonlinear Anal. 75(2012) 2660-26711. 展开更多
关键词 Semilinear elliptic equations critical growth positive solutions Nehari method variational method
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Highly Oriented ZnO Rod Arrays on Si Substrates from Aqueous Solution 被引量:1
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作者 LIU Changsong LI Zhiwen ZHANG Qifeng 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2008年第2期189-193,共5页
Ordered zinc oxide (ZnO) rod arrays with very high orientation were fabricated on Si substrates by using a solution method. The substrate surfaces were functionalized by Self-Assembly Monolayers (SAMs). In the ver... Ordered zinc oxide (ZnO) rod arrays with very high orientation were fabricated on Si substrates by using a solution method. The substrate surfaces were functionalized by Self-Assembly Monolayers (SAMs). In the very early growth stage, the oriented ZnO crystals had already grown, which appeared to be the main reason why ZnO nanorods showed very high orientation. The un-dense and un-uniform SAMs provided a surface that was heterogeneous to ZnO nucleation. Consequently, highly oriented ZnO rods were selectively grown on the "coin-like" SAM-uncovered regions. The route developed here can provide some helpful information to control the nucleation and orientation of ZnO in aqueous solution. Also, the site-selective growth mechanisms can indicate a clue to grow patterned highly oriented ZnO nanorod arrays by the organic template. 展开更多
关键词 zinc oxide (ZnO) self assembly monolayers (SAMs) crystal growth NANOSTRUCTURES site-selective growth solution method
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基于溶液法制备卤化铅钙钛矿的直接型辐射探测器研究进展
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作者 秦峰 吴金杰 +4 位作者 邓宁勤 焦志伟 朱伟峰 汤显强 赵瑞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期554-571,共18页
X射线和γ射线探测在医学成像、安防检查、国土安全、无损检测等各个领域得到广泛应用,钙钛矿材料具有高辐射吸收系数、高载流子迁移率-寿命乘积、特殊的缺陷容忍特性而成为辐射探测器件优异的候选材料。溶液法在制备钙钛矿材料方面具... X射线和γ射线探测在医学成像、安防检查、国土安全、无损检测等各个领域得到广泛应用,钙钛矿材料具有高辐射吸收系数、高载流子迁移率-寿命乘积、特殊的缺陷容忍特性而成为辐射探测器件优异的候选材料。溶液法在制备钙钛矿材料方面具有显著的优势,溶液法的成本较低,能在低温或环境条件下制备,更易推行工业化生产,是未来优化材料体系,制备高质量、大尺寸晶体材料的关键技术。本文从溶液法制备卤化铅钙钛矿材料的角度出发,分析晶体生长及材料组成对辐射探测性能的影响,重点介绍从优化晶体生长质量和器件结构设计等方面提升辐射探测性能,最后总结钙钛矿材料在辐射探测领域面临的挑战,并展望了未来研究的发展方向,期望为钙钛矿材料在辐射探测领域走向工业化提供参考。 展开更多
关键词 晶体生长 卤化铅钙钛矿 溶液法 半导体器件 辐射探测器
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溶液空间限域法制备有机-无机杂化卤化铅钙钛矿单晶薄膜及其器件应用研究进展
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作者 张庆文 单东明 +1 位作者 张虎 丁然 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期572-584,共13页
近年来,有机-无机杂化卤化铅钙钛矿材料因其出色的光电特性在国际上备受瞩目,并已成功应用于太阳能光伏、光电探测、电致发光等多个领域。目前绝大部分器件研究都集中在钙钛矿多晶材料上,但钙钛矿单晶材料拥有更低的缺陷态密度、更高的... 近年来,有机-无机杂化卤化铅钙钛矿材料因其出色的光电特性在国际上备受瞩目,并已成功应用于太阳能光伏、光电探测、电致发光等多个领域。目前绝大部分器件研究都集中在钙钛矿多晶材料上,但钙钛矿单晶材料拥有更低的缺陷态密度、更高的载流子迁移率、更长的载流子复合寿命、更宽的光吸收范围,以及更高的稳定性等优异的性质,可有效减少载流子传输过程中的散射损失,以及在晶界处的非辐射复合,并抑制离子迁移所引起的迟滞效应。采用钙钛矿单晶薄膜作为器件有源层有望制备性能更高效且更稳定的钙钛矿光电器件。目前,已报道的多种钙钛矿单晶薄膜制备方法包括溶液空间限域法、化学气相沉积法、自上而下加工法等,其中溶液空间限域法的发展和应用最为广泛。本文聚焦利用溶液空间限域法制备高质量钙钛矿单晶薄膜的相关方法,以及钙钛矿单晶薄膜在光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管和发光二极管等相关器件应用中的研究进展,并对钙钛矿单晶薄膜及其光电器件的未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 钙钛矿半导体材料 溶液空间限域法 钙钛矿单晶薄膜 光电子器件 单晶薄膜生长
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顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展
5
作者 顾鹏 雷沛 +2 位作者 叶帅 胡晋 吴戈 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期741-759,共19页
因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前... 因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前电子器件对大尺寸、高质量和低成本SiC单晶衬底的迫切需求。顶部籽晶溶液(TSSG)法可以在更低的温度和近热力学平衡条件下实现SiC晶体制备,能够显著弥补PVT法的不足,正逐渐成为极具竞争力的低成本、高质量SiC单晶衬底创新技术之一。本文首先阐述了TSSG法生长SiC晶体的理论依据,并给出了各工艺环节要点,然后归纳了TSSG法生长SiC晶体的主要技术优势,梳理了国内外在该技术领域的研究现状并重点讨论了TSSG法生长SiC晶体关键技术问题、产生机制,以及可能的解决途径等。最后,对TSSG法生长SiC晶体的未来发展做出展望。 展开更多
关键词 第三代半导体 碳化硅单晶 顶部籽晶溶液法 晶体形貌 台阶聚集 溶剂包裹 人工智能
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A Two-Dimensional Computational Model for the Simulation of Dendritic Microstructure and Solute Distribution of Fe-0.04%C Alloys
6
作者 Min Zhang Qin Xue +1 位作者 Lulu Li Jihong Li 《World Journal of Engineering and Technology》 2017年第2期175-187,共13页
A new model of dendritic growth and solute distribution of Fe-0.04%C binary alloys was developed, which is based on the sharp interface model of dendritic growth. This innovative model improved the cellular automaton ... A new model of dendritic growth and solute distribution of Fe-0.04%C binary alloys was developed, which is based on the sharp interface model of dendritic growth. This innovative model improved the cellular automaton method, combined with the finite difference method, considered concentration field, temperature field and the shape of molten pool. This model simulated the growth morphologies of single equiaxial crystal, the relationship between tip growth velocity and time, multi-equiaxed crystals’ growth morphologies and solute distribution, the growth of columnar crystals, columnar-to-equiaxed transition after coupling temperature field, and compared with experimental results. The results indicate that crystallographic orientation has certain influence on dendritic morphologies, that the tip growth velocity tends to be stable with the extension of time in the end, that the shape of molten pool influences the growth morphologies of columnar crystals and that the solute mainly concentrates in dendritic roots and among grain boundaries. The simulated results are in accord with experimental results. 展开更多
关键词 Cellular Automaton-Finite DIFFERENCE (CA-FD) method DENDRITIC growth Style The solutE DISTRIBUTION The Temperature DISTRIBUTION
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掺杂溶质晶界偏析和溶质拖拽效应对纳米氧化铝生长行为影响的相场法模拟
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作者 石杰 唐赛 +3 位作者 姚树伟 伍超众 马运柱 刘文胜 《粉末冶金材料科学与工程》 2023年第4期305-314,共10页
采用相场模拟结合烧结实验,研究溶质元素晶界偏析影响下的纳米氧化铝晶粒生长行为及其动力学规律。通过在氧化铝多晶晶粒生长的相场模型中引入溶质拖拽效应,并将溶质拖拽强度与晶内溶质原子浓度和原子平衡偏聚比联系起来,研究不同溶质... 采用相场模拟结合烧结实验,研究溶质元素晶界偏析影响下的纳米氧化铝晶粒生长行为及其动力学规律。通过在氧化铝多晶晶粒生长的相场模型中引入溶质拖拽效应,并将溶质拖拽强度与晶内溶质原子浓度和原子平衡偏聚比联系起来,研究不同溶质原子在晶界上的平衡偏聚比和初始晶内溶质原子浓度时氧化铝晶粒的长大行为,并定量分析不同溶质拖拽强度下氧化铝晶粒的异常长大现象。通过比较晶粒的平均尺寸和形貌演变,证明相场模拟结果与实验中氧化镧掺杂的纳米氧化铝晶粒长大行为相吻合。结果表明:在极强溶质拖拽效应下,氧化铝晶粒的生长受到明显抑制,晶粒生长缓慢,而低溶质拖拽效应对氧化铝晶粒生长的抑制效果不明显。从模拟的微观组织演变结果上看,晶界偏析也有可能引发少数氧化铝晶粒的异常长大,特定晶粒在生长过程中可能克服溶质拖拽效应从而快速长大,造成材料性能的损失。 展开更多
关键词 相场法 溶质拖拽 晶粒长大 异常长大 氧化铝
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RTP电光晶体的生长及其器件性能研究
8
作者 石爽爽 师瑞泽 +3 位作者 王国影 肖亚波 王海丽 陈建荣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2151-2155,共5页
磷酸氧钛铷(RbTiOPO4,简称RTP)是综合性能优异的电光晶体,具有电光系数高、半波电压低、激光损伤阈值高、器件小巧、环境适应性强等优点,已成为新一代电光器件应用材料,非常适合用作电光开关、电光调制器等。激光系统的发展迫切需求更... 磷酸氧钛铷(RbTiOPO4,简称RTP)是综合性能优异的电光晶体,具有电光系数高、半波电压低、激光损伤阈值高、器件小巧、环境适应性强等优点,已成为新一代电光器件应用材料,非常适合用作电光开关、电光调制器等。激光系统的发展迫切需求更高功率、更高重复频率和更窄脉宽激光用高性能电光晶体,基于此,本文选用富Rb的高[Rb]/[P]摩尔比值生长体系,通过顶部籽晶熔盐法生长出高质量RTP晶体,测试了晶体或器件的光学均匀性、重复频率、插入损耗、消光比和抗激光损伤阈值,结果表明,该晶体的光学均匀性为7.3×10^(-6)cm^(-1),重复频率为501 kHz,插入损耗为0.49%,消光比为31.57 dB,激光损伤阈值为856 MW/cm^(2)。 展开更多
关键词 RTP 电光晶体 顶部籽晶熔盐法 光学均匀性 激光损伤阈值
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CLBO单晶生长及性能研究
9
作者 石爽爽 王国影 +2 位作者 肖亚波 王海丽 陈建荣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第12期2146-2150,共5页
CsLiB_(6)O_(10)(简称CLBO)是一种性能优良的紫外非线性光学晶体,特别适用于四倍频(266 nm)和五倍频(210 nm)的紫外大功率激光。本文采用顶部籽晶法成功生长出尺寸为120 mm×112 mm×62 mm的CLBO晶体,晶体外观完整,无开裂、散... CsLiB_(6)O_(10)(简称CLBO)是一种性能优良的紫外非线性光学晶体,特别适用于四倍频(266 nm)和五倍频(210 nm)的紫外大功率激光。本文采用顶部籽晶法成功生长出尺寸为120 mm×112 mm×62 mm的CLBO晶体,晶体外观完整,无开裂、散射等宏观缺陷。由该晶体切出五倍频CLBO晶体元件,对其进行了紫外-可见-近红外透过率、光学均匀性、弱吸收性能表征,结果显示,210~1800 nm的平均透过率超过90%,光学均匀性为3.8×10^(-5),1064 nm弱吸收为90×10^(-6)cm^(-1),表明该晶体紫外区透过率良好,光学均匀性高,弱吸收低,为后续相关激光应用研究奠定了基础。 展开更多
关键词 CsLiB_(6)O_(10) 非线性光学晶体 顶部籽晶法 透过率 光学均匀性 弱吸收
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KLi(HC_(3)N_(3)O_(3))·2H_(2)O晶体的电光效应和生长研究
10
作者 颜涛 范雨杰 +2 位作者 徐峰 陈昱 罗敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1302-1307,共6页
本文采用电光系数的粉末测试方法,探索发现了新型电光晶体KLi(HC_(3)N_(3)O_(3))·2H_(2)O。根据粉末样品的红外反射光谱和拉曼光谱,计算获得晶格振动对电光系数的贡献值,再加上粉末倍频效应推算的有效非线性光学系数,最终计算出KLi... 本文采用电光系数的粉末测试方法,探索发现了新型电光晶体KLi(HC_(3)N_(3)O_(3))·2H_(2)O。根据粉末样品的红外反射光谱和拉曼光谱,计算获得晶格振动对电光系数的贡献值,再加上粉末倍频效应推算的有效非线性光学系数,最终计算出KLi(HC_(3)N_(3)O_(3))·2H_(2)O的电光系数为2.37 pm/V,与商用电光晶体β-BBO相当。采用水溶液法进行晶体生长,测试不同原料生长晶体时的过热和过冷曲线,优化生长工艺,获得35 mm×25 mm×10 mm透明晶体。采用X射线定向技术辅以压电系数测量,确定了晶体形貌与各向异性生长速率的对应关系。 展开更多
关键词 KLi(HC_(3)N_(3)O_(3))·2H_(2)O 电光晶体 电光系数 水溶液法 红外反射光谱 拉曼光谱 晶体生长
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非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br的生长与光电性能研究
11
作者 刘青雄 王天予 +5 位作者 刘孚安 吴倩 尹延如 赫崇君 高泽亮 夏明军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1296-1301,共6页
采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进... 采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进行了系统的表征,受微观结构影响,压电常数各向异性较大,最大的压电常数d 33=6.69 pC/N。KBB晶体具有良好的激光频率变换、电光及压电性能,在光电子领域显示出潜在的应用前景。 展开更多
关键词 紫外非线性光学晶体 K_(3)B_(6)O_(10)Br 顶部籽晶溶液生长法 晶体生长 电光系数 压电性能
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The steady-state solution of dendritic growth from the undercooled binary alloy melt with the far field flow
12
作者 CHEN MingWen1,2, WANG ZiDong2 & XU JianJun2,3,4 1 School of Applied Sciences, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China 2 School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China +1 位作者 3 School of Mathematical Sciences, Nankai University, Tianjin 300071, China 4 Department of Mathematics and Statistics, McGill University, Montreal H3A 2K6, Canada 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第8期2280-2287,共8页
The steady-state dendritic growth from the undercooled binary alloy melt with the far field flow is considered. By neglecting the interface energy, interface kinetics and buoyancy effects in the system, we obtaine the... The steady-state dendritic growth from the undercooled binary alloy melt with the far field flow is considered. By neglecting the interface energy, interface kinetics and buoyancy effects in the system, we obtaine the steady-state solution for the case of the large Schmidt number, in terms of the multiple variable expansion method. The changes of the temperature and concentration fields, the morphology of the interface, the normalization parameter and the Peclet number of the system induced by uniform external flow are derived. The results show that, compared with the system of dendritic growth from undercooled pure melt, the convective flow in the system of growth from undercooled binary alloy has stronger effects on the morphology of the interface. Nevertheless, the shape of the interface still remains nearly a paraboloid. 展开更多
关键词 BINARY alloy MELT CONVECTION DENDRITIC growth interfaces STEADY-STATE solution multiple variable expansion method
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一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能 被引量:13
13
作者 陈建刚 郭常新 +1 位作者 张琳丽 胡俊涛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期59-65,共7页
用硝酸锌(Zn(NO3)2·4H2O)或醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)分别与六亚甲基四胺((CH2)6N4)以等浓度0.005mol/L配制成两种反应溶液,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒(长5—8μm,直径300-700nm)... 用硝酸锌(Zn(NO3)2·4H2O)或醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)分别与六亚甲基四胺((CH2)6N4)以等浓度0.005mol/L配制成两种反应溶液,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒(长5—8μm,直径300-700nm)。测量了样品的XRD和扫描电镜像。经XRD分析,所得样品均为纤锌矿的ZnO六角型晶体。扫描电镜(SEM)像表明,生长时间为3h或5h时,样品为细长条的棒状结构,长径比超过10:1;生长48h后的ZnO亚微米棒的一端被腐蚀成一定深度的ZnO亚微米管。用负离子配位四面体生长模型分析了ZnO亚微米棒的生长机理。ZnO亚微米棒退火前后的光致发光谱表明,退火处理后的发射谱中的紫外峰消失,而红色发光峰红移并且增强(峰值由630nm左右移到710nm),同时它的激发光谱中的室温激子激发峰也增强。 展开更多
关键词 氧化锌 光致发光 晶体生长 化学溶液法 纳米晶
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KDP/DKDP晶体生长的研究进展 被引量:18
14
作者 王波 房昌水 +6 位作者 王圣来 孙洵 顾庆天 许心光 李义平 刘冰 牟晓明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期247-252,共6页
采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKD... 采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。 展开更多
关键词 KDP/DKDP晶体 惯性约束核聚变 溶液晶体生长 传统降温法 “点籽晶”快速生长法
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中远红外非线性晶体材料CdSe生长及光学性能研究 被引量:9
15
作者 吴海信 黄飞 +3 位作者 倪友保 王振友 陈林 程干超 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期711-715,共5页
红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8~12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生... 红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8~12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生长出CdSe单晶,晶体棒毛坯尺寸达Φ19×70 mm;通过X射线粉末衍射、感应耦合等离子体质谱等对多晶原料进行成分分析,原料纯度可达5N;利用低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测了晶体的基本光学性能,3~20μm波段晶体平均吸收系数α约为0.08 cm^(-1),品质良好,已能满足激光实验要求。 展开更多
关键词 材料 CDSE 温度梯度熔体区熔法 单晶生长 非线性
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水浴法制备形貌可控的一维ZnO纳米和微米棒 被引量:3
16
作者 张琳丽 郭常新 +1 位作者 陈建刚 胡俊涛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2127-2132,共6页
用一步或两步简单的化学溶液法,以醋酸锌为原料,六亚甲基四胺或三乙醇胺为催化剂在玻璃衬底上生长出不同形貌的纳米和微米ZnO棒.探讨了反应液的酸碱度和反应液浓度对生成的ZnO棒形貌的影响,并分析了其生长机制.随着溶液浓度的增加,棒的... 用一步或两步简单的化学溶液法,以醋酸锌为原料,六亚甲基四胺或三乙醇胺为催化剂在玻璃衬底上生长出不同形貌的纳米和微米ZnO棒.探讨了反应液的酸碱度和反应液浓度对生成的ZnO棒形貌的影响,并分析了其生长机制.随着溶液浓度的增加,棒的长度与直径比减小,同时玻璃衬底上生长的ZnO棒从无序分布趋于垂直于衬底平行取向分布.随着pH值的改变,棒的形状由在弱酸性溶液中的细长棒状变为在弱碱性溶液中的圆头对称短棒;当碱性增大到一定程度时,可以生成颗粒状.通过控制一定的酸碱度和溶液浓度,可以得到规则的六角ZnO棒状阵列.测量了样品的XRD和扫描电镜像,并对其发光性能进行了测量分析.其中规则有序六角棒的发光光谱表明峰值在530nm,半高宽为220nm,可能是Vo+的电子和价带中的空穴辐射复合所致. 展开更多
关键词 ZnO 纳米棒 发光 化学溶液法 晶体生长
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掺镁近化学计量比LiTaO_3晶体的生长及光学性能(英文) 被引量:4
17
作者 赵业权 贾宝申 +2 位作者 张学锋 申岩 刘立人 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期995-997,共3页
在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体。对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定。结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱... 在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体。对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定。结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱。腐蚀晶片的晶相显微镜观察结果表明:掺镁近化学剂量比晶体的畴结构是较为规则的六边形;晶体的抗光致散射能力明显提高。 展开更多
关键词 钽酸锂晶体 化学计量比 顶部籽晶溶液生长 提拉法 吸收光谱
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一步水溶液法快速合成花状纳米ZnO及其表征 被引量:3
18
作者 胡进勇 黄欣 李平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期454-458,共5页
以Zn(NO3)2和NaOH为原料,采用一步水溶液法,不添加任何表面活性剂,在85℃条件下反应30 min制备出形貌规则、结晶良好的三维(3-D)花状ZnO纳米晶体。用X-射线衍射仪(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射... 以Zn(NO3)2和NaOH为原料,采用一步水溶液法,不添加任何表面活性剂,在85℃条件下反应30 min制备出形貌规则、结晶良好的三维(3-D)花状ZnO纳米晶体。用X-射线衍射仪(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等,分别对产物的结构和形貌进行了表征。通过对花状ZnO生长过程的研究,得出了其在液相中的生长机理。对样品的光致发光(PL)分析显示,Zn O在紫外光区有一个较强的发射,在可见光区有一个较宽的发射;通过在样品中掺杂少量过渡金属离子Co2+可有效屏蔽可见光区的缺陷发光。 展开更多
关键词 ZNO 溶液法 形成机理 光致发光
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溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体 被引量:20
19
作者 鲁智宽 高樟寿 +1 位作者 李义平 王灿 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期19-22,共4页
本文研究了溶液循环流动法生长大截面KDP晶体的工艺条件.发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热、流动体系的流量和生长相的温场.测定了不同条件下生长槽的温场,确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度... 本文研究了溶液循环流动法生长大截面KDP晶体的工艺条件.发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热、流动体系的流量和生长相的温场.测定了不同条件下生长槽的温场,确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度、加快晶体生长速度. 展开更多
关键词 磷酸二氢钾晶体 晶体生长 光学晶体 水溶液法
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晶种面织构对溶液化学法生长ZnO纳米棒的影响 被引量:4
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作者 赵娟 靳正国 刘晓新 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1643-1648,共6页
采用化学沉积法,在ZnO晶种面上研究了纳米棒于70℃过饱和硝酸锌/氢氧化钠溶液中的定向生长。通过sol-gel法在玻璃基底上引入了ZnO的晶种面,通过热处理温度、冷却方式和拉膜速度改变其织构,重点考察其对ZnO纳米棒生长形态的影响。采用XRD... 采用化学沉积法,在ZnO晶种面上研究了纳米棒于70℃过饱和硝酸锌/氢氧化钠溶液中的定向生长。通过sol-gel法在玻璃基底上引入了ZnO的晶种面,通过热处理温度、冷却方式和拉膜速度改变其织构,重点考察其对ZnO纳米棒生长形态的影响。采用XRD和SEM分析了不同晶种面以及相应棒晶的生长形态。结果表明,随热处理温度的提高,晶种长大,相应的棒晶直径从25nm增加到50nm,1.5h的生长棒长达约800nm。300 ̄400℃热处理、急冷或低的拉膜速度条件下制备的晶种面具有更高的晶体取向和较少的表面缺陷。从而导致生长面高的成核密度,使得ZnO纳米棒能够在垂直于基底的方向上择优生长。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 晶种面 溶液化学法 晶体生长
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