The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films

Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships among the important electrical parameters of the samples with different thickness SiO2-Si3N4 films,such as threshold voltage,breakdown voltage,and on-state resistance in accumulated dose,are discussed.The total dose experiment results show that the breakdown voltage and the on-state resistance barely change with the accumulated dose.However,the relationships between the threshold voltages of the samples and the accumulated dose are more complex,and not only positively drift,but also negatively drift.At the end of the total dose experiment,we select the group of samples which have the smaller threshold voltage shift to carry out the single event effect studies.We find that the samples with appropriate thickness ratio SiO2-Si3N4 films have a good radiation-hardening ability.This method may be useful in solving both the SEGR and the total dose problems with the composite SiO2-Si3N4 films.

用新需要系数法求计算负荷

介绍新需要系数法,把常用的需要系数法和利用系数法统一到一个计算公式中;利用原需要系数法的方便和习惯,引入修正系数α后实质上变成了利用系数法,既避免了求有效台数的繁琐,又克服了凭经验选择K_(ΣP)的不确定性;利用α值表和K_x、cosφ、tanφ表,可以方便地求出干线、变电所、配电所至各级配电点的负荷,整个计算一次完成。

用新二项式法求计算负荷的偏差

通过实例分析比较,指出新二项式法相对于利用系数法,偏差控制在±10%范围内的概率接近100%。验证了电气负荷计算新方法的有效性和可靠性。

用综合系数法求计算负荷

介绍计算供电负荷的综合系数法(实属简化的利用系数法),把利用系数K_1和计算范围内的功率比P_5/P_n(最大5台设备功率之和P_5与总功率P_n的比值)综合在一个计算公式中。根据这个计算公式,可以计算出各种计算范围内(配电支线、车间干线和变电所至全厂)各级配电点的负荷,整个计算一次完成。由于用电设备组的K_1变化范围比较小,容易确定,因此综合系数法比新需要系数法更实用。

用新二项式法求计算负荷

介绍计算供电负荷的新二项式法。新二项式中的第一项是计算范围内用电设备的平均负荷,而另一项是计算范围内5台容量最大的用电设备投入运行时增加的附加负荷CP_5。由于计算系数C随计算范围内利用系数Kl的大小变化而变化,因此它不同于过去所用的二项式法。由于C是K_l的单值函数,C-K_l表中的C值有3位有效数字,新二项式法的查表精度高,而且C值的变化范围很小(0. 129~0. 302),所以新二项式法的计算精度很高。