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一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器
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作者 张键 胡辉勇 +1 位作者 周远杰 何峥嵘 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第6期527-532,共6页
基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入... 基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。 展开更多
关键词 低失调电压 低输入偏置电流 高精度 结型场效应管输入放大器
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一种三电平高压变频器IGBT驱动电路的实现 被引量:2
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作者 梁中华 欧立生 +1 位作者 关新 成燕 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2002年第4期309-312,共4页
三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管(IGBT)驱动电路有特殊的要求,比如:高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求.采用美国UNITRODE公司生产的UC3726/3727驱动IGBT芯片对,两芯片可组合使用,从而... 三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管(IGBT)驱动电路有特殊的要求,比如:高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求.采用美国UNITRODE公司生产的UC3726/3727驱动IGBT芯片对,两芯片可组合使用,从而可以达到理想的驱动效果.测试结果表明了该方法的可行性. 展开更多
关键词 IGBT 驱动电路 三电平高压变频器 绝缘门极双极性晶体管 UC3726芯片 UC3727芯片
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60GHz宽带功率放大器设计 被引量:1
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作者 李凌云 叶禹 +2 位作者 汪书娜 佟瑞 孙晓玮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期24-27,共4页
随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升,现有的无线接入技术基本都处于百兆量级,已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求,利用60GHz频段进行通信已经成为... 随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升,现有的无线接入技术基本都处于百兆量级,已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求,利用60GHz频段进行通信已经成为一个重要的技术途径。利用成熟的0.15μm赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一个工作在60GHz频段的中功率宽带放大器,频率覆盖50~64GHz,增益12dB,线性输出功率14dBm,饱和输出功率16.5dBm,功率附加效率为12%。性能与65nmCMOS工艺设计芯片相当,但前期系统验证和芯片开发阶段的投入成本远低于65nmRFCMOS,适用于前期系统验证工作。 展开更多
关键词 功率放大器 射频(RF) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 宽带 无线通信
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热电制冷器电源的研究 被引量:1
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作者 翟建勇 冯卓民 +2 位作者 张哲 陈敏 钱照明 《机电工程》 CAS 2008年第8期53-55,共3页
针对光纤耦合半导体激光器热电制冷器,采用同步Buck变换器设计了其供电电源,并采用了直接电流控制以减少电路的浪涌电流。实际电路采用了完全瓷片电容解决方案以减少电路的纹波电流,使得供电电源具有效率高、体积小、成本低等特点。实... 针对光纤耦合半导体激光器热电制冷器,采用同步Buck变换器设计了其供电电源,并采用了直接电流控制以减少电路的浪涌电流。实际电路采用了完全瓷片电容解决方案以减少电路的纹波电流,使得供电电源具有效率高、体积小、成本低等特点。实验结果证明,该供电电源的电流纹波能够满足TEC的要求。 展开更多
关键词 热电制冷器 BUCK变换器 直接电/流控制 金属氧化物半导体场的应晶体管
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无刷电动舵机功率驱动电路发热特性分析 被引量:3
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作者 高智刚 李朋 +1 位作者 周军 邓涛 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期153-158,共6页
针对小型大功率无刷电动舵机由于大电流、高功率密度引起的散热困难问题,开展其功率驱动电路发热特性研究。根据所使用的H-PWM-L-ON型半桥调制模式,分析了IGBT三相桥式功率逆变电路的功率损耗,基于RC热网络模型方法建立了该电路的热传... 针对小型大功率无刷电动舵机由于大电流、高功率密度引起的散热困难问题,开展其功率驱动电路发热特性研究。根据所使用的H-PWM-L-ON型半桥调制模式,分析了IGBT三相桥式功率逆变电路的功率损耗,基于RC热网络模型方法建立了该电路的热传导模型,并使用英飞凌FS50R06W1E3型功率模块开展了功率驱动电路发热特性仿真分析和实验验证。结果表明,所给出的功率驱动电路功率损耗分析结果合理可信,通过该热传导模型可有效计算功率器件工作温度。在无刷电动舵机设计过程中,可使用此方法进行功率器件工作温度计算,在确保低于最高工作结温的情况下提高可用输出功率。 展开更多
关键词 无刷电动舵机 功率损耗 发热特性 热传导模型
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一种微机电源的LDO设计与实现 被引量:1
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作者 胡玫 王永喜 刘保录 《工业仪表与自动化装置》 2014年第2期21-22,28,共3页
针对微机电源稳压性能较差的缺点,设计一款输出电压为5 V,最大输出电流为1 A的低压差线性稳压器( LDO)。通过选择误差放大器、反馈电阻网络、大功率N沟道MOS管作为调整管;采用具有过温、限流保护功能的芯片和外围电路构成基准源电路... 针对微机电源稳压性能较差的缺点,设计一款输出电压为5 V,最大输出电流为1 A的低压差线性稳压器( LDO)。通过选择误差放大器、反馈电阻网络、大功率N沟道MOS管作为调整管;采用具有过温、限流保护功能的芯片和外围电路构成基准源电路,改善了稳压器的线性调整率。测试结果表明,室温下输入电压为5.5~25 V时,输出电压稳定在5 V,负载为5Ω时电压调整率为0.6%,显示出良好的稳压性能。 展开更多
关键词 低压差 线性稳压器 基准源 误差放大器 调整管
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高κ栅介质肖特基源、漏极Ge-pMOSFET的电学特性
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作者 卢启海 韩根亮 +3 位作者 吴志国 郑礴 宋玉哲 强进 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期404-409,共6页
利用紫外曝光光刻技术和精简的半导体加工工艺,用一步光刻制备了以HfO_2为高κ栅介质,NiGe为肖特基源、漏极的Ge-pMOSFET器件,并在栅极中引入厚度1 nm的Si层对HfO_2和Ge接触界面进行了钝化处理.器件的电学特性测试结果表明,Si钝化效果显... 利用紫外曝光光刻技术和精简的半导体加工工艺,用一步光刻制备了以HfO_2为高κ栅介质,NiGe为肖特基源、漏极的Ge-pMOSFET器件,并在栅极中引入厚度1 nm的Si层对HfO_2和Ge接触界面进行了钝化处理.器件的电学特性测试结果表明,Si钝化效果显著,不仅可确保HfO_2有较高的κ值(22),约为钝化前(κ=10)的两倍,还提高了器件的开启速度和开关比;器件亚阈值摆幅降低为钝化前的50%,开关比从钝化前的105提高至770,提高了约7倍,表明Si钝化是提高器件性能的关键.探讨了Ge-pMOSFET器件呈现双极性的原因,认为肖特基源、漏极在正向栅压下易击穿是导致该现象的主要因素. 展开更多
关键词 Ge晶体管 Si钝化 转移特性 输出特性 双极性晶体管
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碳化硅功率器件在电力电子中的应用 被引量:2
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作者 潘三博 黄军成 刘建民 《上海电机学院学报》 2013年第3期107-112,共6页
从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiC JFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiC JEFT功率开关器... 从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiC JFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiC JEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiC JFET器件。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基二极管 结型场效应功率晶体管 开关特性
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Effect of Screw-Dislocation on Electrical Properties of Spiral-Type Bi2Se3 Nanoplates
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作者 Yu-kun Wu A-wei Zhuang +3 位作者 Chun-miao Ye Jie Zeng Nan Pan Xiao-ping Wang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2016年第6期687-692,I0001,共7页
We systematically investigated the electrical nanoplates through field effect transistor and properties of spiral-type and smooth Bi2Se3 conductive atomic force microscopy (CAFM) measurement. It is observed that bot... We systematically investigated the electrical nanoplates through field effect transistor and properties of spiral-type and smooth Bi2Se3 conductive atomic force microscopy (CAFM) measurement. It is observed that both nanoplates possess high conductivity and show metallic-like behavior. Compared to the smooth nanoplate, the spiral-type one exhibits the higher carrier concentration and lower mobility. CAFM characterization reveals that the conductance at the screw-dislocation edge is even higher than that on the terrace, implying that the dislocation can supply excess carriers to compensate the low mobility and achieve high conductivity. The unique structure and electrical properties make the spiral-type Bi2 Se3 nanoplates a good candidate for catalysts and gas sensors. 展开更多
关键词 Bi2Se3 nanoplates Screw-dislocation Electrical properties Field effect tran-sistor Conductive atomic force microscopy
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微波功率管测量的微波辐射分析与防护
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作者 朱震宇 《电子质量》 2012年第10期71-74,共4页
该文介绍了微波辐射防护的理论知识和安全标准,以及微波功率管测量系统的配置和测量流程。对测量系统的微波电磁辐射进行了分析,列举了在微波功率管测试工作中采取的一些防护措施和测评结果,阐述了使用程控化测量系统对微波辐射防护的... 该文介绍了微波辐射防护的理论知识和安全标准,以及微波功率管测量系统的配置和测量流程。对测量系统的微波电磁辐射进行了分析,列举了在微波功率管测试工作中采取的一些防护措施和测评结果,阐述了使用程控化测量系统对微波辐射防护的益处。 展开更多
关键词 微波辐射 微波辐射防护 微波功率管
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