用颗粒表面改性技术制备掺锰Y-BaTiO_3PTCR陶瓷

颗粒表面改性技术的主要原理是通过一定的处理方法，在粉体颗粒上包裹一层欲掺杂元素的可溶性盐，并通过煅烧合成，制得颗粒表面改性的粉体。这种技术作为晶界控制的尝试，是一种具有重大意义的新的陶瓷粉体制备技术。用这种技术制备的掺锰Ｙ－ＢａＴｉ３ＰＴＣＲ陶瓷比用传统固相法制备出的同种ＰＴＣＲ陶瓷。

射频前端CMOS有源混频器的设计

混频器是射频前端电路中的一个重要模块。设计了一个低电压高增益的下变频混频器,对混频器经典的吉尔伯特电路结构进行了改进,采用跨导系数修正技术、电流注入结构提高混频器的增益、噪声和线性度性能,并且在跨导级的漏极端口并联了一个电感,消除寄生电容,减小间接开关机理闪烁噪声。本电路采用TSMC 180 nm RF CMOS工艺,在1. 2 V的工作电压下,Cadence软件仿真验证表明,射频频率为2. 4 GHz,本振频率为2. 39 GHz,中频频率为10 MHz时,所设计的混频器的转换增益为28. 4 d B,噪声系数为8 d B,线性度(输入三阶交调点IIP3)为10 d Bm,功耗为6. 86 mW,混频器的整体性能指标均得到了提高,满足射频前端的应用需求。