In_(0.49)Ga_(0.51)P中缺陷的俘获行为

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光电阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程．利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能为０．３７ｅＶ的缺陷，该缺陷的俘获势垒值介于１８０ｍｅＶ到２４０ｍｅＶ之间．该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动．在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效，俘获势垒为０．０６ｅＶ和０．４０ｅＶ的两个缺陷在俘获过程中被观测到。

等效深中心研究新方法—瞬态光霍耳和光电阻率谱

考虑到深中心俘获与发射载流子对自由载流子浓度的影响而对深中心俘获过程进行了推导与讨论，发展了以瞬态光霍耳谱测量和瞬态光电阻率谱测量为基础的两套新的深能级分析测试手段，并证明了其等效性。用此方法测量样品不需做结，且对大浓度的深中心也可不做任何修正，尤其适用于缺陷对载流子俘获机制的研究，因而弥补了深能级瞬态谱技术的不足。

MOCVD生长的未掺杂的In_(1-x)Ga_xP中的本征缺陷

利用深能级瞬态谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ）和瞬态光电阻率谱（ Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ）研究了利用金属有机物化学气相沉淀（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法生长的未有意掺杂的 Ｉｎ１－ ｘ Ｇａｘ Ｐ中缺陷对载流子的俘获和发射过程。利用 Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ测量观测到了一个激活能为０３５ ｅ Ｖ 的缺陷，由 Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ测量确定该缺陷的俘获势垒值介于１８０ ｍ ｅ Ｖ 到２４０ｍ ｅ Ｖ 之间。该缺陷的俘获势垒值的大的分布解释为缺陷周围原子重组的微观波动。同时在 Ｔ Ｐ Ｒ Ｓ测量中观测到俘获势垒为００６ ｅ Ｖ 和０４０ ｅ Ｖ 的两个缺陷。