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中性硅3s^23P^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3 ~3D_3~o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算
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作者 华心仲 蒋刚 +1 位作者 王潇 邓邦林 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期19-25,共7页
本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了^(29)Si的3s^23p^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3D_3~0跃迁能量和~3P_2,~3D_3~0超精细结构A常数以及Si同位素^(29)Si,^(30)Si和^(31)Si相对于^(28)Si在3s^23p^2 ~3P_2→3s3p^3 ~3D_3~0跃迁的同位素移... 本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了^(29)Si的3s^23p^2 ~3P_2,~1D_2→3s3p^3D_3~0跃迁能量和~3P_2,~3D_3~0超精细结构A常数以及Si同位素^(29)Si,^(30)Si和^(31)Si相对于^(28)Si在3s^23p^2 ~3P_2→3s3p^3 ~3D_3~0跃迁的同位素移动.通过尝试双电子激发(SD)和三电子激发(SDT),分别考虑VV相关,CV相关和CC相关产生各种不同的扩展组态波函数得到的计算结果和实验值的比较,推测了对于中性硅原子这两个组态,内壳层2p2s,1s电子活动到外壳层的概率较小,而3s3p壳层中的电子都比较活跃,但主要是在n=3,4的壳层内活动,活动到更高n壳层的概率则比较小. 展开更多
关键词 跃迁能量 超精细结构常数 同位素移动 组态相互作用 电子关联
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