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Periodic transparent nanowires in ITO film fabricated via femtosecond laser direct writing 被引量:3
1
作者 Qilin Jiang Long Chen +8 位作者 Jukun Liu Yuchan Zhang Shian Zhang Donghai Feng Tianqing Jia Peng Zhou Qian Wang Zhenrong Sun Hongxing Xu 《Opto-Electronic Science》 2023年第1期11-22,共12页
This paper reports the fabrication of regular large-area laser-induced periodic surface structures(LIPSSs)in indium tin oxide(ITO)films via femtosecond laser direct writing focused by a cylindrical lens.The regular LI... This paper reports the fabrication of regular large-area laser-induced periodic surface structures(LIPSSs)in indium tin oxide(ITO)films via femtosecond laser direct writing focused by a cylindrical lens.The regular LIPSSs exhibited good properties as nanowires,with a resistivity almost equal to that of the initial ITO film.By changing the laser fluence,the nanowire resistances could be tuned from 15 to 73 kΩ/mm with a consistency of±10%.Furthermore,the average transmittance of the ITO films with regular LIPSSs in the range of 1200-2000 nm was improved from 21%to 60%.The regular LIPSS is promising for transparent electrodes of nano-optoelectronic devices-particularly in the near-infrared band. 展开更多
关键词 transparent nanowires periodic surface nanostructures femtosecond laser direct writing ito film anisotropic electrical conductivity
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ITO透明导电薄膜厚度与光电性能的关系 被引量:16
2
作者 吴云龙 成惠峰 +3 位作者 余刚 王永斌 韩磊 付静 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期14-16,共3页
透明导电薄膜的厚度制约其光电性质。本研究利用磁控溅射技术制备了厚度变化范围为200-1500nm的ITO薄膜,探索了薄膜颜色、可见光透过率、面电阻与膜厚的关系。薄膜颜色随着膜厚的增加呈现有规律的变化,可见光透过率随薄膜厚度的增加而... 透明导电薄膜的厚度制约其光电性质。本研究利用磁控溅射技术制备了厚度变化范围为200-1500nm的ITO薄膜,探索了薄膜颜色、可见光透过率、面电阻与膜厚的关系。薄膜颜色随着膜厚的增加呈现有规律的变化,可见光透过率随薄膜厚度的增加而呈现振荡下降趋势,并出现了极大值(紫红色),振荡趋势可用多光束干涉解释;薄膜面电阻随膜厚的增加呈减小趋势,薄膜厚度为1387nm时,面电阻为1.3Ω/□,薄膜最小电阻率为1.8×10-4Ω.cm。文章给出了可以通过选择恰当的薄膜厚度,以尽可能满足透明导电薄膜面电阻、透过率两个相互矛盾的指标。 展开更多
关键词 ito 可见光透过率 面电阻 透明导电氧化物
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柔性衬底ITO透明导电薄膜的光电性能研究 被引量:14
3
作者 孙裔 刁训刚 +2 位作者 杨盟 武哲 舒远杰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期86-90,共5页
利用直流磁控溅射方法在柔性聚酯薄膜衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了氧含量、薄膜厚度、衬底负偏压对ITO薄膜的晶体结构和光电性能... 利用直流磁控溅射方法在柔性聚酯薄膜衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了氧含量、薄膜厚度、衬底负偏压对ITO薄膜的晶体结构和光电性能的影响,优化了柔性衬底ITO薄膜的制备工艺条件。制得样品的最佳可见光平均透过率为85.6%,方块电阻为6Ω/□。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 柔性衬底 ito透明导电薄膜
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ITO材料在减反射膜设计中的应用 被引量:10
4
作者 徐颖 高劲松 +2 位作者 王笑夷 陈红 王彤彤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1187-1189,共3页
改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的... 改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系,实验证明,膜层在可见光部分的透过率显著提高,剩余反射率明显下降,并得到了平均透过率为95.83%,最高透过率达到97.26%,方块电阻为13.2~24.6Ω/□的试验结果. 展开更多
关键词 ito透明导电膜 低压反应离子镀 方块电阻 减反射膜
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柔性聚酰亚胺(PI)衬底上ITO薄膜的生长及其透明导电性能影响机制研究 被引量:8
5
作者 赵佳明 边继明 +3 位作者 孙景昌 张东 梁红伟 骆英民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S4期644-647,共4页
采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征。结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO... 采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征。结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导电性能的影响机制。在优化的工艺条件下(溅射功率100W和沉积气压0.4Pa),制备了在可见光区平均透射率达86%、电阻率为3.1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO透明导电薄膜。 展开更多
关键词 磁控溅射 聚酰亚胺(PI) 柔性衬底 ito透明导电膜
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柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究 被引量:5
6
作者 马瑾 赵俊卿 +2 位作者 叶丽娜 田茂华 马洪磊 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期46-49,共4页
用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80~ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备的薄膜为多晶膜 ,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构 ,最佳取向为 (111)方向。薄膜在可见光区的最低电... 用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80~ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备的薄膜为多晶膜 ,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构 ,最佳取向为 (111)方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为 6 .6 3× 10 - 4Ω·cm ,透过率达到 82 %。 展开更多
关键词 柔性衬底 透明导电膜 ito薄膜 低温制备
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ITO:Mo透明导电薄膜的制备 被引量:4
7
作者 张春伟 王书昶 +2 位作者 刘振华 刘拥军 何军辉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期111-114,共4页
利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及... 利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。 展开更多
关键词 ito∶Mo 透明导电薄膜 PLD TCO
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低温沉积ITO透明导电膜的研究 被引量:3
8
作者 沈玫 纪建超 贺会权 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期17-19,共3页
通过探讨半导体氧化物ITO膜的透光和导电机理,用反应性直流磁控溅射的镀膜工艺,在有机玻璃上低温镀制(ITO)膜,研究ITO膜溅射工艺参数与透光和导电性能的关系,实现了在低温下镀制(ITO)膜的技术,其透光率≥80%以上,表面电阻≤30Ω/□。
关键词 透明导电膜 ito 磁控溅射
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低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜 被引量:2
9
作者 徐颖 高劲松 +2 位作者 王笑夷 陈红 冯君刚 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期669-671,共3页
溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率... 溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析,并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s,氧气流量为24cm3/min时,在波长为550nm处,方块电阻为20Ω,λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。 展开更多
关键词 低压反应离子镀 ito透明导电膜 透过率 方块电阻
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离子束辅助磁控溅射低温沉积ITO透明导电薄膜的研究 被引量:3
10
作者 望咏林 颜悦 +3 位作者 沈玫 贺会权 纪建超 张官理 《真空》 CAS 北大核心 2006年第4期7-9,共3页
本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明:当A r/O2辅助离子束能量为900 eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中IT... 本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明:当A r/O2辅助离子束能量为900 eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中ITO薄膜具有较低的电阻率。在聚碳酸酯(PC)基片上制备了平均可见光透过率81.0%、电阻率为5.668×10-4ohm cm、结构致密且附着力良好的ITO薄膜,基片无变形。 展开更多
关键词 低温沉积 离子束辅助沉积 磁控溅射 ito 透明导电薄膜
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ITO透明导电玻璃的除霜试验研究 被引量:4
11
作者 常天海 江豪成 +1 位作者 李育红 唐华 《真空与低温》 1999年第2期100-102,共3页
介绍了氧化钢锡(ITO)透明导电玻璃的除霜试验结果,并对YFO透明导电玻璃应用于汽车挡风玻璃的可能性进行了分析。
关键词 透明导电膜 ito 除霜试验 挡风玻璃
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用于液晶光阀空间光调制器的ITO透明导电膜的研制 被引量:2
12
作者 朱振才 顾培夫 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期39-42,共4页
本文介绍了ITO(Indium Tin Oxide)透明导电膜的制备工艺,对影响其光学和电学特性的因素作了分析。并讨论了透明导电的机理,在K9玻璃上制备的ITO透明导电膜,在500~600nm波长范围内,典型的峰值透过率为90%,面电阻为40~50Ω/□。用该技... 本文介绍了ITO(Indium Tin Oxide)透明导电膜的制备工艺,对影响其光学和电学特性的因素作了分析。并讨论了透明导电的机理,在K9玻璃上制备的ITO透明导电膜,在500~600nm波长范围内,典型的峰值透过率为90%,面电阻为40~50Ω/□。用该技术制备的样品作为透明电极,在液晶光阀空间光调制器中得到了应用。 展开更多
关键词 导电膜 工艺 液晶光阀 调制器
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ITO/Ag/ITO透明导电膜性能研究进展 被引量:3
13
作者 王孝丽 牛玉超 +3 位作者 肖辰 丁博森 刘相局 马晓宇 《山东建筑大学学报》 2015年第4期376-381,共6页
复合型透明导电膜ITO/Ag/ITO是一种极具发展潜力的高性能透明导电膜,其导电性远高于传统透明导电材料氧化铟锡(ITO),同时可大幅节约ITO膜中的稀缺元素In。文章阐述了ITO/Ag/ITO复合膜的设计原理及其设计中存在的问题,分析了ITO/Ag/ITO... 复合型透明导电膜ITO/Ag/ITO是一种极具发展潜力的高性能透明导电膜,其导电性远高于传统透明导电材料氧化铟锡(ITO),同时可大幅节约ITO膜中的稀缺元素In。文章阐述了ITO/Ag/ITO复合膜的设计原理及其设计中存在的问题,分析了ITO/Ag/ITO结构中底层ITO膜、外层ITO膜和Ag膜在膜系结构中的作用及其对ITO/Ag/ITO光学和电学性能的影响,阐明了Ag膜对ITO/Ag/ITO光学和电学性能的决定性作用,综述了对Ag膜进行退火处理、添加其他金属元素、引入超薄层等提高Ag膜沉积质量和性能的方法,展望了高性能ITO/Ag/ITO复合透明导电膜今后的研究方向。 展开更多
关键词 透明导电膜 ito/Ag/ito Ag膜 导电性 透过率
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直流磁控反应溅射沉积ITO透明导电膜的研究 被引量:5
14
作者 茅昕辉 陈国平 +2 位作者 陈公乃 张随新 张旭苹 《光电子技术》 CAS 1995年第1期72-78,共7页
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性。讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和透光率的影响。
关键词 ito 透明导电膜 磁控反应溅射
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基底加热温度对ITO薄膜的性能影响研究 被引量:3
15
作者 王欣月 张兆诚 +5 位作者 黎智杰 何婉婷 温锦秀 罗坚义 唐秀凤 王忆 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第5期858-865,共8页
氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛用作光电器件中的透明导电电极,其透光率、导电性、表面粗糙度、与基底的功函数匹配及其电流传输特性都会对光电器件的性能造成影响。本文采用射频(RF)磁控溅射方法制备ITO薄膜,系统研究了基底加热温度对其各方... 氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛用作光电器件中的透明导电电极,其透光率、导电性、表面粗糙度、与基底的功函数匹配及其电流传输特性都会对光电器件的性能造成影响。本文采用射频(RF)磁控溅射方法制备ITO薄膜,系统研究了基底加热温度对其各方面性能的影响,并确认了最佳基底温度。实验采用锡掺氧化铟陶瓷为靶材,组分摩尔比为m(In_(2) O_(3))∶m(SnO_(2))=90∶10。采用XRD、SEM对所制备的薄膜进行表征,系统分析不同基底温度对ITO薄膜结晶性能、形貌的影响;采用紫外可见分光光度计、霍尔效应测试仪、紫外光电子谱仪(UPS)、电流电压曲线系统研究了基底温度对薄膜光电特性、载流子浓度、薄膜功函数以及电流传输特性的影响。研究结果表明,基底温度200℃为最佳,此时ITO薄膜结晶良好、表面平整、可见光波段平均透过率超过80%,导电性能和电流传输特性均较佳,且薄膜组分与靶材组分一致。 展开更多
关键词 基底温度 ito透明导电薄膜 载流子浓度 光电特性 功函数
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多次纺丝与退火对ITO薄膜表面均匀性的影响 被引量:1
16
作者 常溪 杨立宁 齐海波 《石家庄铁道大学学报(自然科学版)》 2014年第2期100-104,共5页
通过多次纺丝与退火工艺在普通玻璃载玻片上制备ITO透明导电薄膜,研究了退火工艺对薄膜表面形貌的影响。结果表明:退火不仅提高了ITO颗粒的洁净程度,同时减小了其在薄膜表面的粒径分布。多次纺丝与退火可以提高ITO颗粒的覆盖密度,得到... 通过多次纺丝与退火工艺在普通玻璃载玻片上制备ITO透明导电薄膜,研究了退火工艺对薄膜表面形貌的影响。结果表明:退火不仅提高了ITO颗粒的洁净程度,同时减小了其在薄膜表面的粒径分布。多次纺丝与退火可以提高ITO颗粒的覆盖密度,得到致密性比较好、表面缺陷比较少、表面粗糙度比较小、均匀平整的透明导电薄膜。 展开更多
关键词 ito透明导电薄膜 多次电纺丝 退火 表面均匀性
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ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析 被引量:2
17
作者 范垂祯 谢舒平 杨得全 《真空与低温》 2001年第1期18-20,共3页
介绍了镀制 SiO2的 ITO透明导电薄膜的性能特点,描述了用 X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程,给出了实验结果。
关键词 ito透明导电薄膜 X射线光谱仪 深度剖面分析 二氧化硅玻璃 镀膜
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Ga_2O_3/ITO/Ga_2O_3深紫外透明导电膜的研究 被引量:1
18
作者 刘建军 闫金良 +1 位作者 石亮 李爱丽 《鲁东大学学报(自然科学版)》 2009年第4期344-346,共3页
采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计... 采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/Ga2O3(45nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质. 展开更多
关键词 Ga2O3陶瓷靶材 深紫外透明导电膜 Ga2O3/ito/Ga2O3膜 光电性质
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氯化物前驱体提拉制备ITO薄膜
19
作者 张鲁玉 刁训刚 +2 位作者 郝雷 张金伟 马荣 《有色金属》 CSCD 北大核心 2009年第4期51-55,共5页
以InC l3.4H2O和SnC l4.5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在S iO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜。采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱... 以InC l3.4H2O和SnC l4.5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在S iO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜。采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱特性。结果表明,薄膜的方块电阻与Sn掺杂量、提拉次数及热处理温度均有关。得到的最佳参数为Sn掺杂量10%(摩尔比)、5次提拉并干燥、500℃热处理1h(炉外空冷)。制得的最佳ITO薄膜方阻为240Ω/□,可见光平均透过率大于90%。 展开更多
关键词 关键词:无机非金属材料 ito 溶胶凝胶 提拉法 透明 导电
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非晶态ITO透明导电薄膜的制备及热处理晶化技术研究进展 被引量:10
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作者 李佳明 姜良宝 +5 位作者 陈牧 李晓宇 韦友秀 张晓锋 马一博 颜悦 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期24-35,共12页
透明导电氧化物薄膜已在液晶显示器、太阳能电池、电致变色窗、气体传感器、高层建筑物的幕墙玻璃、飞机和高速列车导热玻璃(防冰除雾)等领域得到广泛应用。为了制备高透光性、高导电性的氧化铟锡(ITO)透明导电氧化物薄膜,一般采用两种... 透明导电氧化物薄膜已在液晶显示器、太阳能电池、电致变色窗、气体传感器、高层建筑物的幕墙玻璃、飞机和高速列车导热玻璃(防冰除雾)等领域得到广泛应用。为了制备高透光性、高导电性的氧化铟锡(ITO)透明导电氧化物薄膜,一般采用两种途径:高温制备方法直接沉积出结晶态薄膜;室温下沉积出非晶薄膜后再进行热处理使其晶化。对于不耐高温的基底材料,研究快速热处理晶化方法具有重要的指导意义。该方法既能保证ITO薄膜的使用要求,又能降低晶化方法对基底产生的影响。根据不同的应用背景与使用要求,选择合适的制备方法与晶化方法,是获得高透光性、高导电性薄膜的关键。本文综述了目前国内外对ITO透明导电氧化物薄膜晶化方法的研究进展。通过对比不同的薄膜晶化方法的机理和优缺点,指出了红外晶化法、激光晶化法、闪光灯晶化法可以实现薄膜快速结晶。并且,采用上述方法处理,过程中基底温度低于薄膜温度,有望取代目前商业生产中使用的传统炉式晶化法,能够提高生产效率、节约生产成本、获得高质量、高性能的透明导电氧化物薄膜,适用范围更广。 展开更多
关键词 ito 透明导电氧化物 薄膜制备 热处理 晶化
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