600V的TrenchStop^TM IGBT

新的600VTrenchStop^TM 1GBT在提高能量使用效率上创造了一个里程碑。它将英飞凌公司杰出的trench技术fieldstop技术完美结合。在不增加开关能量损失的情况下，将饱和电压显著地减少到标准NPT1GBTs所提供的饱和电平以下。

SOT-723封装功率MOSFET为空间受限的便携式电子应用

生产商：安森美（ON） SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体领先业内的Trench技术来取得能够和SC-89或SC-75等大上许多封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。