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Application of Energy Saving Technology in Trichlorosilane Distillation Purification Process
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作者 Qie Siyuan Pang Weiwei +1 位作者 Zhao Ming Huang Zheqing 《China Petroleum Processing & Petrochemical Technology》 SCIE CAS 2019年第3期94-102,共9页
The trichlorosilane(TCS)purification process consumes a significant amount of energy to achieve the high purity requirement for TCS quality(99.9999%).This work proposed a series of energy saving technology to enhance ... The trichlorosilane(TCS)purification process consumes a significant amount of energy to achieve the high purity requirement for TCS quality(99.9999%).This work proposed a series of energy saving technology to enhance the TCS purification process,including the conventional process,the conventional process coupled with heat-pump(HP),the multi-effect distillation process,and the dividing-wall columns process.All proposed schemes have been conceptually constructed by Aspen Plus.The design and optimization of the processes have been performed by the sensitivity analysis and the response surface methodology.Moreover,the energy consumption and total annual cost(TAC)for these schemes were discussed.The simulation results show that the TAC of the conventional process coupled with the integrated heat pump can reduce 50.5%of energy consumption as compared with the conventional process;the double-effect and three-effect processes can save 15.6%and 33.8%of energy consumption,respectively;the dividing wall column process and that coupled with the heat pump process can reduce by 22.3%and 48.1%of energy consumption,respectively.It can be found that the operating cost can be saved by using the heat pump technology,while the capital cost increases due to the investment in the compressor,when the processes coupled with the heat pump are used.These results demonstrate that the conventional process coupled with the HP technology has advantages over other distillation schemes for TCS purification in terms of the energy saving and economic effects. 展开更多
关键词 trichlorosilane distillation PURIFICATION ENERGY SAVING technology PROCESS simulation
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Simulation of Reactive Distillation Process for Monosilane Production via Redistribution of Trichlorosilane
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作者 孙帅帅 黄国强 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期287-293,共7页
The reactive distillation process for producing high purity monosilane via trichlorosilane redistribution reaction was simulated. Rigorous RadFrac block was employed in Aspen Plus simulation package. Accurate results ... The reactive distillation process for producing high purity monosilane via trichlorosilane redistribution reaction was simulated. Rigorous RadFrac block was employed in Aspen Plus simulation package. Accurate results could be given when the chemical kinetics was taken into account in the equilibrium stage model. A single column process was used for the verification of previous studies. The results showed that 99.9% purity monosilane could be achieved in the reactive distillation. A pumparound block was employed to reduce the condenser duty with inexpen-sive coolant. The effects of operating pressure, feed stage location, liquid holdup per stage and pumparound location were also investigated. The energy consumption was limited, but the refrigerant temperature was too low, which is the fatal disadvantage. Therefore, a double columns process was developed to increase the condenser tem-perature. The simulation results demonstrated that a reasonable temperature could be achieved by varying the recycle stream location. 展开更多
关键词 reactive distillation reaction kinetics trichlorosilane redistribution pumparound monosilane
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电子级多晶硅原料中痕量硼磷杂质的脱除研究进展 被引量:1
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作者 闫可欣 姜洪涛 +3 位作者 高维群 郭晓晖 孙伟振 赵玲 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期83-94,共12页
三氯氢硅和氢气中痕量硼磷杂质的含量是影响多晶硅品质的主要因素。提高硼磷杂质的脱除效率有利于电子级多晶硅的大规模生产,实现我国能源信息产业升级。综述了三氯氢硅和氢气中硼磷杂质脱除方法的研究进展,重点介绍了各类提纯方法的特... 三氯氢硅和氢气中痕量硼磷杂质的含量是影响多晶硅品质的主要因素。提高硼磷杂质的脱除效率有利于电子级多晶硅的大规模生产,实现我国能源信息产业升级。综述了三氯氢硅和氢气中硼磷杂质脱除方法的研究进展,重点介绍了各类提纯方法的特点。其中,反应-吸附-精馏耦合技术集合了精馏法和化学提纯法的优点,是三氯氢硅精制过程中最具有发展前景的方法;吸附法凭借其负载的活性物质对硼磷杂质的高选择性,成为氢气精制最常使用的工艺。最后,系统探讨了吸附剂结构特点及与吸附性能的构效关系,在此基础上总结并展望了多晶硅原料中硼磷杂质脱除面临的挑战和发展方向。 展开更多
关键词 硼磷杂质 吸附 蒸馏 反应精馏 三氯氢硅
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三氯氢硅精馏过程的模拟与优化 被引量:14
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作者 李群生 白洁 +1 位作者 郭增昌 王宝华 《北京化工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期1-5,共5页
采用化工流程模拟软件,对三氯氢硅精馏的双塔流程进行了模拟计算,在产品质量达到工艺要求的基础上,对精馏过程各塔的主要参数进行了分析优化。计算得到预分离塔的最适宜进料板位置、回流比、塔顶采出量分别为6、18、250kg/h,三氯氢硅塔... 采用化工流程模拟软件,对三氯氢硅精馏的双塔流程进行了模拟计算,在产品质量达到工艺要求的基础上,对精馏过程各塔的主要参数进行了分析优化。计算得到预分离塔的最适宜进料板位置、回流比、塔顶采出量分别为6、18、250kg/h,三氯氢硅塔的最适宜进料板位置、回流比、塔顶采出量分别为12、5、2453kg/h,并且最适宜的进料温度范围为25~35℃。将优化后的参数应用到实际设计和生产中,三氯氢硅塔塔顶产品各组分含量的模拟结果与工业数据基本一致,三氯氢硅纯度大于0.999。 展开更多
关键词 三氯氢硅 精馏 模拟优化 工业应用
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氯化硅烷的相对挥发度及分离 被引量:4
5
作者 伍钦 蔡梅琳 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期57-60,49,共5页
研究氯化氢硅精馏分离中相对挥发度随温度的变化关系,所得表达式与实验数据吻合很好;导出了三氯化硼-三氯氢硅、三氯氢硅-四氯化硅二元系汽液平衡关系,并在给定浓度下用计算机计算精馏理论板数随回流比的变化关系,最佳回流比控制... 研究氯化氢硅精馏分离中相对挥发度随温度的变化关系,所得表达式与实验数据吻合很好;导出了三氯化硼-三氯氢硅、三氯氢硅-四氯化硅二元系汽液平衡关系,并在给定浓度下用计算机计算精馏理论板数随回流比的变化关系,最佳回流比控制在8附近。 展开更多
关键词 三氯氢硅 四氢化硅 精馏 分离 氯化硅烷
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多晶硅生产中三氯氢硅精馏节能工艺 被引量:25
6
作者 黄国强 石秋玲 王红星 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2601-2605,共5页
简述了多晶硅行业概况和差压耦合蒸馏节能技术。详述了一种高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺,利用高压塔塔顶蒸汽作为低压塔塔釜再沸器热源,实现了能量的集成与过程优化。运用化工模拟软件PRO/Ⅱ8.1模拟了两塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工... 简述了多晶硅行业概况和差压耦合蒸馏节能技术。详述了一种高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺,利用高压塔塔顶蒸汽作为低压塔塔釜再沸器热源,实现了能量的集成与过程优化。运用化工模拟软件PRO/Ⅱ8.1模拟了两塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺和三塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺的设计参数。结果显示,两塔耦合三氯氢硅一次收率为92.0%,理论节能50.1%;三塔耦合三氯氢硅一次收率为92.0%,理论节能66.7%,效果更好。该技术已成功实现工业化,可使精馏单元实际能耗平均降低40%~60%,同时大幅减少了设备投资。 展开更多
关键词 多晶硅 高纯三氯氢硅 差压 热耦合 节能
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热泵精馏在三氯氢硅提纯过程中的模拟 被引量:13
7
作者 黄国强 赵虎勇 孙帅帅 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1448-1452,共5页
运用化工模拟软件Aspen Plus,选用NRTL-RK物性模型和RADFRAC精馏模型,对三氯氢硅精馏塔的两种热泵流程进行了模拟计算,分别是塔顶气体直接压缩式和塔釜液体闪蒸再沸式热泵精馏。对比热泵精馏流程和常规精馏流程,结果表明:对三氯氢硅提... 运用化工模拟软件Aspen Plus,选用NRTL-RK物性模型和RADFRAC精馏模型,对三氯氢硅精馏塔的两种热泵流程进行了模拟计算,分别是塔顶气体直接压缩式和塔釜液体闪蒸再沸式热泵精馏。对比热泵精馏流程和常规精馏流程,结果表明:对三氯氢硅提纯而言,塔釜液体闪蒸再沸式热泵流程更有利。本研究采用双塔串行流程提纯三氯氢硅,运用塔釜液体闪蒸再沸式热泵精馏技术,优化后的主要操作参数为:T1塔回流比20,节流阀压力180 kPa,压缩机出口压力309 kPa;T2塔回流比5,节流阀压力227 kPa,压缩机出口压力310 kPa。优化后三氯氢硅的一次收率为88.75%,纯度超过99.9999%;在处理量相同情况下,与常规精馏相比,能耗费用节约82%。 展开更多
关键词 三氯氢硅 热泵精馏 节能 ASPEN PLUS
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国内三氯氢硅精馏节能技术应用进展 被引量:6
8
作者 张远弟 谢刚 俞小花 《化学工业与工程技术》 CAS 2013年第4期62-65,共4页
综述了系统耦合节能技术在国内三氯氢硅精馏工艺中的应用现状。介绍和分析了多效精馏、热泵精馏、热耦合精馏、差压耦合精馏及其有机结合在三氯氢硅精馏节能降耗方面的应用现状。讨论了三氯氢硅精馏节能技术的发展趋势,并指出系统耦合... 综述了系统耦合节能技术在国内三氯氢硅精馏工艺中的应用现状。介绍和分析了多效精馏、热泵精馏、热耦合精馏、差压耦合精馏及其有机结合在三氯氢硅精馏节能降耗方面的应用现状。讨论了三氯氢硅精馏节能技术的发展趋势,并指出系统耦合节能技术的大力实施是我国多晶硅行业追赶国际先进水平的有效途径。 展开更多
关键词 多晶硅 三氯氢硅 精馏 节能技术
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尾气回收料精馏工艺的模拟研究 被引量:2
9
作者 张远弟 谢刚 侯彦青 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期152-155,共4页
为了降低改良西门子法精馏过程的能耗,模拟和优化了尾气回收料精馏过程中脱重-脱轻和脱轻-脱重2种工艺路线,比较了2种工艺路线的综合热负荷。结果表明,脱重-脱轻工艺脱轻塔的总热负荷小于脱轻-脱重工艺的脱轻塔的总热负荷,进料1时小了约... 为了降低改良西门子法精馏过程的能耗,模拟和优化了尾气回收料精馏过程中脱重-脱轻和脱轻-脱重2种工艺路线,比较了2种工艺路线的综合热负荷。结果表明,脱重-脱轻工艺脱轻塔的总热负荷小于脱轻-脱重工艺的脱轻塔的总热负荷,进料1时小了约43 k W,进料2时小了约34 k W,进料3时小了14 k W。脱重-脱轻工艺的脱重塔的总热负荷则明显大于脱轻-脱重工艺的脱重塔的总热负荷,进料1时高出约50 k W,进料2时高出约41 k W,进料3时高出约34 k W。对于尾气回收料精馏而言,脱重-脱轻工艺的综合热负荷大于脱轻-脱重工艺的综合热负荷,脱轻-脱重工艺是更好的精馏工艺路线。原因是,相对于脱轻-脱重工艺,脱重-脱轻工艺脱重塔需要处理的物料流量更大,塔顶温度要更低。 展开更多
关键词 多晶硅 三氯氢硅 精馏 模拟和优化
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氢化料精馏工艺的模拟研究 被引量:1
10
作者 张远弟 谢刚 侯彦青 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期144-147,共4页
针对改良西门子法精馏过程能耗较高的问题,模拟和优化了四氯化硅氢化料精馏过程中脱轻-脱重和脱重-脱轻2种工艺路线,比较2种了工艺路线的综合热负荷。结果表明,在相同进料组成、操作压力、分离要求前提下,脱轻-脱重工艺的综合热负荷明... 针对改良西门子法精馏过程能耗较高的问题,模拟和优化了四氯化硅氢化料精馏过程中脱轻-脱重和脱重-脱轻2种工艺路线,比较2种了工艺路线的综合热负荷。结果表明,在相同进料组成、操作压力、分离要求前提下,脱轻-脱重工艺的综合热负荷明显大于脱重-脱轻工艺的综合热负荷,进料1时高出19%,进料2时高出24%,进料3时高出20.1%,平均高出21%。原因是与脱重-脱轻工艺中脱轻塔相比,脱轻-脱重工艺中脱轻塔需要处理的物料流量大,而且其塔底温度要更高一些,导致后一个塔的总热负荷明显高于前一个塔的总热负荷。 展开更多
关键词 多晶硅 三氯氢硅 精馏 模拟和优化
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两种工业合成单硅烷的工艺介绍 被引量:2
11
作者 卢培浩 吴克杰 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期52-55,共4页
单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,详细介绍了硅化镁法和还原法制备SiH4的工艺。硅化镁法的优点是工艺简单、成熟,原料易得;其缺点是分离和回收液氨时能耗大,S... 单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,详细介绍了硅化镁法和还原法制备SiH4的工艺。硅化镁法的优点是工艺简单、成熟,原料易得;其缺点是分离和回收液氨时能耗大,SiH4收率相对较低。还原法的优点是可实现连续化生产、反应易于控制。 展开更多
关键词 单硅烷 硅化镁法 还原法 四氯硅烷:三氯硅烷
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三氯氢硅精馏提纯塔的?分析
12
作者 章莉 杨永亮 +1 位作者 张升学 姜利霞 《有色冶金节能》 2019年第4期15-17,22,共4页
基于[火用]分析方法,运用Aspen Plus流程计算软件对三氯氢硅提纯的常规精馏塔和耦合精馏塔进行[火用]计算,并采用能量分析方法和分析方法评估精馏塔的用能情况,得到精馏提纯过程的能量分布和[火用]分布,然后进一步分析精馏塔各部分[火用... 基于[火用]分析方法,运用Aspen Plus流程计算软件对三氯氢硅提纯的常规精馏塔和耦合精馏塔进行[火用]计算,并采用能量分析方法和分析方法评估精馏塔的用能情况,得到精馏提纯过程的能量分布和[火用]分布,然后进一步分析精馏塔各部分[火用]损分布。计算结果表明,精馏提纯塔的再沸器和冷凝器[火用]损较大,可通过适当降低冷热物料的温差减少[火用]损。 展开更多
关键词 三氯氢硅 精馏提纯 耦合 [火用]分析
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四组分隔板塔用于三氯氢硅分离的模拟研究 被引量:2
13
作者 王素贤 何银凤 +2 位作者 高亚丽 王燕 朱怀工 《化学工业与工程》 CAS CSCD 2018年第5期72-79,共8页
对用于四组分分离的Kaibel隔板塔和完全热耦合隔板塔4-DWC在多晶硅还原工段中分离三氯氢硅的应用进行了模拟研究。首先,将不同结构的复杂塔简化为在热力学上等效的简单塔序列流程,利用简捷法设计计算得到初值;再利用严格模拟进行参数优... 对用于四组分分离的Kaibel隔板塔和完全热耦合隔板塔4-DWC在多晶硅还原工段中分离三氯氢硅的应用进行了模拟研究。首先,将不同结构的复杂塔简化为在热力学上等效的简单塔序列流程,利用简捷法设计计算得到初值;再利用严格模拟进行参数优化和模拟计算。结果表明:与常规三塔顺序分离流程相比,Kaibel隔板塔可节约能耗26.43%,4-DWC节约能耗36%,设备数量大大减少。 展开更多
关键词 Kaibel隔板塔 完全热耦合 多晶硅 三氯氢硅
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高纯三氯氢硅精制技术研究进展 被引量:1
14
作者 刘见华 赵雄 +3 位作者 万烨 严大洲 赵宇 杨典 《有色冶金节能》 2017年第6期52-55,共4页
三氯氢硅是西门子法生产多晶硅、集成电路用硅基电子气体和有机硅的重要原材料。随着光伏和集成电路的快速发展,制备高品质三氯氢硅已经成为一个研究热点,本文概述了精馏法、吸附法的机理及研究现状,重点介绍了反应精馏提纯三氯氢硅的... 三氯氢硅是西门子法生产多晶硅、集成电路用硅基电子气体和有机硅的重要原材料。随着光伏和集成电路的快速发展,制备高品质三氯氢硅已经成为一个研究热点,本文概述了精馏法、吸附法的机理及研究现状,重点介绍了反应精馏提纯三氯氢硅的研究现状和制备方法,并对高纯三氯氢硅提纯的前景进行了分析和展望。 展开更多
关键词 三氯氢硅 反应精馏 提纯 吸附
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先进控制在三氯氢硅精馏过程中的应用 被引量:2
15
作者 陈峰 张伟国 +2 位作者 李志刚 张毅楠 云苏和 《化工自动化及仪表》 CAS 2016年第10期1021-1027,1032,共8页
以三氯氢硅精馏工序为应用试点,设计实现了先进控制和优化技术,开发了三氯氢硅精馏过程先进控制系统。应用结果表明:先进控制系统投运后,从过程控制与优化的角度进一步提高了三氯氢硅精馏过程的自动化水平,产品质量和收率得到提高,生产... 以三氯氢硅精馏工序为应用试点,设计实现了先进控制和优化技术,开发了三氯氢硅精馏过程先进控制系统。应用结果表明:先进控制系统投运后,从过程控制与优化的角度进一步提高了三氯氢硅精馏过程的自动化水平,产品质量和收率得到提高,生产过程安全平稳,实现了三氯氢硅精馏过程的精细化控制。 展开更多
关键词 三氯氢硅精馏过程 先进控制 DCS系统 以太网
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分离三氯氢硅中甲基二氯硅烷的研究进展 被引量:1
16
作者 杨典 王芳 +3 位作者 万烨 孙强 张征 时庆合 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期30-33,72,共5页
三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量会严重影响多晶硅的品质,控制三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量对多晶硅的品质具有重要意义。重点介绍了三氯氢硅中甲基二氯硅烷的深度去除方法,包括常规精馏法、吸附法、反应精馏法和萃取精馏法。对比分析了... 三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量会严重影响多晶硅的品质,控制三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量对多晶硅的品质具有重要意义。重点介绍了三氯氢硅中甲基二氯硅烷的深度去除方法,包括常规精馏法、吸附法、反应精馏法和萃取精馏法。对比分析了上述方法的优缺点,其中吸附法、反应精馏法是分离甲基二氯硅烷行之有效的方法,萃取精馏法也是分离甲基二氯硅烷的重要研究方向,并对这些工艺的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 三氯氢硅 甲基二氯硅烷 吸附 反应精馏 萃取精馏
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三氯氢硅节能精馏工艺模拟研究 被引量:1
17
作者 韩金豆 梁世民 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期207-210,共4页
将差压热集成技术和热泵精馏技术用于三氯氢硅精馏工段,利用模拟软件Aspen Plus,热力学模型采用NRTL-RK进行优化模拟计算。结果显示,与常规精馏工艺相比,差压热集成工艺可以降低加热能耗47%、冷量消耗45%。热泵精馏工艺可以降低加热能耗... 将差压热集成技术和热泵精馏技术用于三氯氢硅精馏工段,利用模拟软件Aspen Plus,热力学模型采用NRTL-RK进行优化模拟计算。结果显示,与常规精馏工艺相比,差压热集成工艺可以降低加热能耗47%、冷量消耗45%。热泵精馏工艺可以降低加热能耗50%、冷量能耗50%,增加的压缩机功率为73.5kW。 展开更多
关键词 多晶硅 三氯氢硅 热泵精馏 差压热集成
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三氯氢硅歧化法多晶硅生产工艺的热力学分析 被引量:4
18
作者 武珠峰 郭小红 +1 位作者 范协诚 银波 《世界有色金属》 2017年第6期118-121,共4页
根据反应平衡时体系Gibbs自由能最小原理,对歧化法生产硅烷的过程进行了模拟分析,得出了不同条件下反应的平衡转化率及适宜的操作条件,依据计算结果设计了三氯氢硅歧化法生产硅烷的四塔流程,并且对三氯氢硅歧化反应精馏塔,二氯二氢硅歧... 根据反应平衡时体系Gibbs自由能最小原理,对歧化法生产硅烷的过程进行了模拟分析,得出了不同条件下反应的平衡转化率及适宜的操作条件,依据计算结果设计了三氯氢硅歧化法生产硅烷的四塔流程,并且对三氯氢硅歧化反应精馏塔,二氯二氢硅歧化反应精馏塔进行了详细的灵敏度分析,得到了最优的过程参数,根据优化过程参数操作后,硅烷的单程实收率达到9.45%。 展开更多
关键词 三氯氢硅 歧化反应 反应精馏
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浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除 被引量:1
19
作者 何鹏 杨洋 《世界有色金属》 2022年第16期144-147,共4页
多晶硅企业生产中,从工业硅不可避免的引入碳杂质,在氯硅烷体系中以甲基取代基的形式体现,在氢气中以甲烷、一氧化碳或二氧化碳体现,最终,以代位碳(碳化硅)的形式体现。随着N型单晶硅的和半导体晶硅的发展,研究碳杂质的分布和去除已是... 多晶硅企业生产中,从工业硅不可避免的引入碳杂质,在氯硅烷体系中以甲基取代基的形式体现,在氢气中以甲烷、一氧化碳或二氧化碳体现,最终,以代位碳(碳化硅)的形式体现。随着N型单晶硅的和半导体晶硅的发展,研究碳杂质的分布和去除已是多晶硅企业科技进步的重点。 展开更多
关键词 甲基氯硅烷 三氯氢硅 四氯化硅 取代反应
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氢热等离子体还原四氯化硅制备三氯氢硅的能耗分析 被引量:8
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作者 黄志军 覃攀 +5 位作者 吴青友 李育亮 王子松 尚书勇 戴晓雁 印永祥 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期769-772,共4页
利用40 kW直流氢热等离子体氢化还原改良西门子(Siemens)法生产多晶硅工艺的副产物SiCl4,制备了SiHCl3(Trichlorosilane,TCS)。在等离子体放电功率和H2体积流量不变的条件下,考察了n(H2):n(SiCl4)摩尔比对SiHCl3单程收率和单位产品能耗... 利用40 kW直流氢热等离子体氢化还原改良西门子(Siemens)法生产多晶硅工艺的副产物SiCl4,制备了SiHCl3(Trichlorosilane,TCS)。在等离子体放电功率和H2体积流量不变的条件下,考察了n(H2):n(SiCl4)摩尔比对SiHCl3单程收率和单位产品能耗的影响。结果表明:当n(H2):n(SiCl4)=3.5时,SiHCl3最高单程收率可达62.1%,但其单位产品能耗较高[3.83(kW·h)/kg(TCS)];当n(H2):n(SiCl4)=2时,SiHCl3单程收率为41.5%,单位产品能耗最低为3.21(kW·h)/kg(TCS)。根据热等离子体相关理论以及实验结果,对热等离子体氢化SiCl4反应机理进行分析,提出可通过改善反应器结构、调控进料比例和优化反应工艺等方式进一步降低单位产品能耗。 展开更多
关键词 四氯化硅 热等离子体 三氯氢硅 多晶硅 能耗
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