基于ASL1000的Bandgap Trim 设计及其算法研究

在芯片生产过程中,由于工艺的影响,带隙基准电压V_(BG)会存在偏差。在芯片测试阶段,需要对V_(BG)进行trim修调,使其满足芯片参数要求。简要分析了带隙基准电压误差的来源,提出了一种E-Fuse修调电路,通过程序中的代码控制修调电阻的大小,使V_(BG)满足要求。同时,在该修调电路的基础上,采用了一种新型算法,使得测试芯片V_(BG)的时间缩短了近558 ms,减少了测试时间,降低了测试成本。

芯片ATE测试CP电修调的优化分析

阐述一种芯片ATE测试之CP电修调的测试优化方法,该方法使测试效率明显提高,极大程度降低芯片的测试成本,对测试机台的硬件要求不高,可以适用于各种不同测试平台的CP测试。

一种数字模块电源实现模拟trim功能的方法

数字模块电源和模拟模块电源的trim功能的实现方法是完全不同的,在客户实际应用中难以兼容。基于使数字trim兼容模拟trim的目的,在分析模拟硬件trim实现原理的基础上,推导出了一种检测trim比例的硬件电路,结合数字控制的特点,给出了对应的软件算法。通过软硬件结合,在以UCD3138数字控制器为核心的一个12 V输出模块电源上进行了实验验证。实验结果证明,数字trim方法实现了对模拟trim功能的完全兼容。

基于NVM修复的模拟电路Trimming技术

模拟电路Trimming技术用于改善工艺波动及版图失配带来的影响,提高电路精度,改善电路性能。介绍了Trimming对于芯片电路设计的意义,基于非易失性存储器(NVM)进行Trim-ming的三种方法:直接输出、内建测试与自校准,以及Trimming电路的设计要点。使用NVM修复的Trimming方式可以广泛应用于高精度的模拟电路设计中。

一种适用于DC/DC控制器的测试及修调电路设计

采用0.25μm BCD商用工艺,设计了一种适用于DC/DC控制器的测试及修调电路.该电路基于引脚功能复用的思胳,通过对特定引脚施加特定信号,在不影响控制器正常工作时的引脚信号状态的情况下,既能够在圆片级或封装后实现内部信号的读取以及参数指标的修调,又能够克服封装寄生效应对高电压精度以及大电流测试的影响,具有测试操作简单、测试成本低廉、测试范围广泛等优点.该电路缓解了传统PAD扎针加压方案在熔丝数量较多时突出的面积问题;解决了传统激光切割方案需要昂贵激光修调设备及编写ATE程序的成本问题;改善了两种传统修调方案均只能在圆片级测试,不适合高精度、大电流测试的应用问题.该电路内部结构包括寄存器时钟及数据输入电路、测试及修调使能电路、测试及修调阵列电路、测试数据输出电路.仿真结果表明,在DC/DC控制器开环状态下,通过配置特定端口的数据位,能够通过测试电路实现振荡器输出振荡信号等内部典型信号的输出,实现关键指标导通电阻的测试,通过修调电路实现关键参数基准电压精度的修调.

齐纳修调优化在ATE测试中的应用

阐述芯片设计制造中的齐纳修调(Zenor Trim)原理,探讨一种齐纳修调的自动化修调及优化方法,此方法适用于芯片ATE测试中的CP测试和FT测试。

单节锂离子电池保护电路的改进

提出了一种低成本的单节锂电池保护回路系统,采用0.6μm混合信号CMOS工艺和修调技术使芯片具有低功耗、高精度检测电压等特点.通过基准电路和取样电路设计的改进,使保护电路实现了多种保护功能,并且具有很高的检测电压精度.模拟结果表明,该电路在温度为25℃时过充电保护电压的检测精度达到了±25 mV,耗电流仅为3.5μA,满足高精度检测电压的要求.

一种电压基准高精度双向修调电路的设计

介绍了一种带隙基准电路及双向调节其精度的方法。该方法简单实用,实现了高精度调节,通过拉/灌电流对基准电压进行微调和粗调,且不影响基准电路的温度特性,最终达到高精度调节基准电压的目的。

基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准

工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZTC工作点对工艺偏差的敏感性,根据蒙特卡洛仿真结果,专门设计了熔丝修调电路,以保证电路的输出结果具有较高工艺稳定性。该电路在CSMC 0.18μm CMOS工艺平台进行了流片验证,芯片面积为0.0025 mm^(2)。结果表明该芯片在室温时能够稳定输出475.5 mV电压,在-40~125℃内,温度系数达到1.8×10^(-6)/℃,在10 kHz时电源抑制比达到-68.7 dB。

圆片测试中的熔丝修调方法研究

熔丝修调因工艺简单、速度快,被广泛用于混合信号电路芯片的圆片测试中,但其类型多样,控制电路繁琐,修调受电阻变化的影响且不可恢复,因此精度不易控制,测试效率低。针对此问题,提出一种对串行、并行结构通用的测试系统修调控制电路,展示了减小测试误差的计算方法,最后,改进了传统测试流程,提出了以合并测试步骤及并行测试为基础的简化方法。测试结果表明,该方法操作性强,能够有效提高测试效率和准确率。

一种新型液压锁紧装置的设计及结构特点

设计了一种用于高精度切边圆盘剪开口度调整的高稳定性液压锁紧装置,其结构紧凑、安装方便、易于维护且成本低廉,已在多套高精度切边圆盘剪中成功应用。

激光微加工技术在集成电路制造中的应用

激光微加工技术以非接触加工方式,高效率、无污染、高精度、热影响区小的优点在微电子集成电路制造中得到了广泛应用。介绍了在集成电路制造封装中采用的激光微调、激光打孔、激光清洗、激光柔性布线和激光微焊技术。

基于超分辨率快速测量的切边冲孔机误差补偿方法

在切边冲孔机长时间生产中,为了减小菲林形变引起的柔性电路板(FPC)冲切位置误差,利用目标冲切完成后的图像信息,测量金手指与冲切边缘间的距离,计算出系统误差并进行误差补偿。结果显示,经过误差补偿后,系统的冲切位置均方根误差在X与Y方向分别减小了41.6%与17.0%,系统的制程能力指数(CPK)达到1.611 8。利用菲林加大了FPC产品的外围尺寸,提高了产品的可利用面积,降低了生产成本。提出的超分辨率快速测量方法不需要对图像进行配准,可以将边缘位置定位误差由±0.5个像素降低为±0.25个像素。使用的误差补偿方法能够减小长时间生产所引起的冲切位置误差,设计的系统满足FPC的冲切精度要求。

节流阀式旁路节流调速回路动态特性分析及应用

运用经典控制理论分析节流阀式旁路节流调速回路动态特性,说明设计和使用此类型回路时应注意的一些问题。

一种用于温补晶振的EEPROM修调电路设计

设计了一种用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的数字修调电可擦除只读存储器(EEPROM)电路.该电路具有正常工作模式和RAM WRITE、EEPROM WRITE、EEPROM READ三种测试模式,用于TCXO中模拟补偿电压的修调.在SMIC 0.35μm工艺下,采用HSPICE工具对设计的电路进行了仿真与验证,结果表明该电路具有可靠性高和功耗低的优点.

一种可修调的高精度低温漂带隙基准电压源

设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现2阶曲率温度补偿,减小了基准电压的温漂;设计了电阻修调网络,保证了基准电压的高精度。电路基于标准双极工艺进行设计和制造,测试结果表明：在-55℃~125℃温度范围内,15V电源电压下,基准源输出电压为2.5（1±0.24%）V,温度系数为1.2×10-5/℃,低频时的电源电压抑制比为-102dB,静态电流为1mA,重载时输出电流能力为10mA。

一种应用于基准的双向修调电路

本文设计了一款双向修调电路,应用于高精度的LDO内部电压基准。突破常规的单向电阻修调方式,采用MOS开关控制的双向电阻实现双方向修调,能够很好地抵消生产工艺带来的正负偏差。基于0.35um CMOS工艺下,采用Cadence spectre进行后仿真,结果显示,修调前最差工艺角下的偏差高达-5%^+7%,在不增加额外功耗修调后的误差仅在±2%以内,性能显著。

一种基于标准工艺的熔丝修调电路设计

为了减小芯片生产过程对集成电路的影响,使生产芯片参数符合设计要求,分析现有修调技术特点,提出了一种基于标准工艺的金属熔丝修调电路,并成功应用到一个开关电源芯片中。其结构简单,成本低,可在标准工艺线上实现;在节约电路版图面积的同时,减小了电路的功耗。基于TSMC 0.5μm BCD工艺,通过Hspice仿真工具验证了电路功能的正确性,并完成电路版图设计,满足修调要求。

一种高精度低温度系数带隙基准源

通过相同材料电阻的比值来抵消带隙基准源的一阶温度系数来达到低温度系数,同时还设计了修调电路进一步提高基准电压的精度。采用0.8μm BiCMOS 9V工艺流片,带隙基准源面积为0.035 mm^2。结果表明:在-40℃~125℃范围内,基准电压的温度系数为11×10^(-6)/℃;电源电压在4.5 V^9.0 V范围内变化时,基准电压的变化量为0.4 m V,电源调整率为0.09 m V/V。

应用于TCXO的新型五次方电压发生器的设计

采用VIS 0.40μm BCD工艺,设计并实现了一种带有修调技术的应用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的新型五次方电压发生器电路,该五次方电压发生器电路主要由五次方电压产生电路与修调电路两部分构成。其中,五次方电压产生电路采用曲线拟合技术,相较于传统的乘法器级联结构具有更高的精度;新型修调电路用来改变五次方电压发生器的系数,采用双路开关技术提高了修调结果的精度。仿真结果显示,该五次方电压发生器的最大拟合误差为1.2%。测试结果显示,采用该新型五次方电压发生器电路设计的TCXO,其频率-温度稳定度达到(±0.45)×10^(-6),相位噪声为-135 d Bc/Hz@1 kHz,芯片面积为2 782μm×2 432μm。