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In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长
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作者 祝进田 杨树人 +5 位作者 陈佰军 胡礼中 王本中 刘宝林 王志杰 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第1期80-82,共3页
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到... 本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱. 展开更多
关键词 三甲基镓 三乙基铟 量子阱
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