三(二乙胺基)氯化硅烷的合成

随着半导体集成电路技术的发展,器件表面钝化保护膜的重要性日益显著。氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料之一,发展低温的热化学气相沉积(CVD)工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的趋势,而开发新的硅源、氮源前驱体是实现低温淀积氮化硅薄膜的有效途径。设计了一种新的低温CVD氮化硅薄膜的有机硅源前驱体——三(二乙胺基)氯化硅烷,以四氯化硅和乙二胺为原料,在氮气气氛下,研究了原料预处理、二乙胺用量、反应温度和反应时间等工艺因素对合成收率的影响。最佳工艺条件下,收率达77.4%,并利用核磁共振、元素分析及红外光谱表征了产物的组成及结构。