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IC制备中钨插塞CMP技术的研究
被引量:
2
1
作者
李薇薇
周建伟
+1 位作者
尹睿
刘玉岭
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期26-28,22,共4页
对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化(CMP)的原理及工艺进行了分析,对钨抛光浆料的组成成分进行了研究,开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料,并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望。
关键词
钨
化学机械全局平面化
抛光浆料
碱性
下载PDF
职称材料
GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析
被引量:
1
2
作者
韩力英
牛新环
+1 位作者
贾英茜
刘玉岭
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期447-450,469,共5页
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程...
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程中表面质量的影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响抛光质量的主要因素,确定了获得较高去除速率和较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数。
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关键词
特大规模集成电路
多层布线
钨插塞
化学机械抛光
粗糙度
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职称材料
ULSI多层互连中W-CMP速率研究
被引量:
1
3
作者
张进
刘玉岭
+2 位作者
申晓宁
张伟
苏艳勤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期737-740,共4页
随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,...
随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液。实验证明,抛光液流量为150mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5mL/L,活性剂为5mL/L,H2O2质量浓度为20mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化。最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望。
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关键词
集成电路互连
化学机械抛光
钨插塞
抛光液
抛光速率
下载PDF
职称材料
钨CMP中碱性抛光液组分间化学作用及其影响
被引量:
2
4
作者
贾英茜
牛新环
王现彬
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第5期334-338,共5页
CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为氧化剂、有机碱为pH调节剂的钨碱性抛光液组分之间的化学相互作用进行理论分析。纳米SiO2表面存在不饱和...
CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为氧化剂、有机碱为pH调节剂的钨碱性抛光液组分之间的化学相互作用进行理论分析。纳米SiO2表面存在不饱和的羟基,和有机碱之间存在化学反应,在抛光过程中不仅起机械研磨的作用,同时以化学抛光作用对抛光产生影响。有机碱和H2O2之间的氧化还原反应会使抛光液中的OH-含量发生变化,氧化能力降低,从而影响钨的抛光速率。
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关键词
化学机械抛光(
cmp
)
碱性抛光液
钨插塞
pH值
抛光速率
下载PDF
职称材料
W-Mo合金CMP工艺参数的影响与优化研究
5
作者
边征
王胜利
+1 位作者
刘玉岭
肖文明
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期146-149,共4页
简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法...
简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法对抛光液pH值、抛光压力和抛光盘转速三个重要因素进行了优化设计,得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光参数。实验分析表明,当抛光液pH值为11,抛光压力为80 kPa,抛光盘转速60 r/min时,可以获得较高的去除速率。
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关键词
W-Mo合金
化学机械抛光
田口方法
去除速率
下载PDF
职称材料
GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究
被引量:
2
6
作者
林娜娜
邢哲
+2 位作者
刘玉岭
孙鸣
刘利宾
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期33-36,41,共5页
钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理;接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂...
钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理;接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂对W-CMP速率的影响。最后通过正交优化实验,确定抛光液最优配比为V(纳米SiO2水溶胶)∶V(去离子水)=1∶1,氧化剂体积分数为20 mL/L,pH调节剂体积分数为4 mL/L,表面活性剂体积分数为20 mL/L时,此时抛光液的pH值为10.36,获得的去除速率为85 nm/min,表面粗糙度为0.20 nm。
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关键词
钨插塞
化学机械抛光
碱性抛光液
去除速率
表面粗糙度
下载PDF
职称材料
ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺
被引量:
8
7
作者
贾英茜
刘玉岭
+2 位作者
牛新环
刘博
孙鸣
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期397-401,共5页
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分...
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分析机理,并简单介绍了各种互联材料常用的抛光液及抛光液的组分,对抛光液作了简单的对比。针对传统CMP过程存在的问题,分析了皮带式和固定磨料的CMP技术。
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关键词
化学机械抛光
多层互连
抛光液
二氧化硅
铜
钨
下载PDF
职称材料
镶嵌钨的化学机械抛光的研究
被引量:
2
8
作者
刘玉岭
杨鸿波
+1 位作者
檀柏梅
梁存龙
《半导体杂志》
2000年第4期40-45,50,共7页
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
关键词
ULSI
化学机械抛光
钨
集成电路
下载PDF
职称材料
纳米级三氧化二铝对碱性钨抛光液的影响
被引量:
2
9
作者
夏显召
刘玉岭
+1 位作者
王娟
魏文浩
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第1期64-68,共5页
研究了纳米级三氧化二铝颗粒的加入对以二氧化硅为磨料的碱性钨抛光液的影响。首先用单一因素法分析了三氧化二铝与二氧化硅质量比对原有碱性钨抛光液的去除速率的影响,以及氧化剂体积分数和pH值对抛光液去除速率的影响,取最优值,然后...
研究了纳米级三氧化二铝颗粒的加入对以二氧化硅为磨料的碱性钨抛光液的影响。首先用单一因素法分析了三氧化二铝与二氧化硅质量比对原有碱性钨抛光液的去除速率的影响,以及氧化剂体积分数和pH值对抛光液去除速率的影响,取最优值,然后对添加三氧化二铝抛光液抛光后晶圆表面粗糙度进行了测试分析。实验结果显示在三氧化二铝与二氧化硅质量比为1∶2,二氧化硅水溶胶与去离子水体积比为1∶1,氧化剂体积分数为2%,pH值为9时,去除速率达到175 nm/min,较原有碱性钨抛光液提高约1倍,表面粗糙度为2.24 nm,能满足实际生产要求。
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关键词
纳米
碱性
三氧化二铝
钨抛光液
化学机械抛光(
cmp
)
下载PDF
职称材料
CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术
10
作者
张映斌
赵枫
李炳宗
《微细加工技术》
EI
2006年第2期1-4,24,共5页
介绍了深亚微米CMOS集成电路中研制的关键技术———钨化学机械抛光,比较了化学机械抛光技术与传统反应离子回刻法在金属层与层之间的垂直连接中的优缺点,并指出了钨化学机械抛光工艺中尚存的一些问题,最后对该工艺进行了总结与展望。
关键词
集成电路互连
钨化学机械抛光
钨插塞
凹陷
过蚀
钥孔现象
下载PDF
职称材料
题名
IC制备中钨插塞CMP技术的研究
被引量:
2
1
作者
李薇薇
周建伟
尹睿
刘玉岭
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期26-28,22,共4页
基金
河北省自然基金资助项目(599041)
文摘
对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化(CMP)的原理及工艺进行了分析,对钨抛光浆料的组成成分进行了研究,开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料,并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望。
关键词
钨
化学机械全局平面化
抛光浆料
碱性
Keywords
tungsten
cmp
slurry
alkalescence
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析
被引量:
1
2
作者
韩力英
牛新环
贾英茜
刘玉岭
机构
河北工业大学信息工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期447-450,469,共5页
基金
02国家重大专项(2009ZX02308)
国家自然科学基金联合基金资助项目(NSAF10676008)
教育部博士基金资助项目(20050080007)
文摘
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程中表面质量的影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响抛光质量的主要因素,确定了获得较高去除速率和较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数。
关键词
特大规模集成电路
多层布线
钨插塞
化学机械抛光
粗糙度
Keywords
GLSI
Multilevel metallization
tungsten
plug
cmp
Roughness
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
ULSI多层互连中W-CMP速率研究
被引量:
1
3
作者
张进
刘玉岭
申晓宁
张伟
苏艳勤
机构
河北工业大学微电子技术与材料研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期737-740,共4页
基金
国家重点自然科学基金资助项目(10676008)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050080007)
河北省重点学科冀教高资助项目(2001-18)
文摘
随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液。实验证明,抛光液流量为150mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5mL/L,活性剂为5mL/L,H2O2质量浓度为20mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化。最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望。
关键词
集成电路互连
化学机械抛光
钨插塞
抛光液
抛光速率
Keywords
IC interconnect
cmp
tungsten
plug
slurry
polishing rate
分类号
TN305.96 [电子电信—物理电子学]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
钨CMP中碱性抛光液组分间化学作用及其影响
被引量:
2
4
作者
贾英茜
牛新环
王现彬
机构
石家庄学院物理与电气信息工程学院
河北工业大学信息工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第5期334-338,共5页
基金
河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)
文摘
CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为氧化剂、有机碱为pH调节剂的钨碱性抛光液组分之间的化学相互作用进行理论分析。纳米SiO2表面存在不饱和的羟基,和有机碱之间存在化学反应,在抛光过程中不仅起机械研磨的作用,同时以化学抛光作用对抛光产生影响。有机碱和H2O2之间的氧化还原反应会使抛光液中的OH-含量发生变化,氧化能力降低,从而影响钨的抛光速率。
关键词
化学机械抛光(
cmp
)
碱性抛光液
钨插塞
pH值
抛光速率
Keywords
chemical mechanical polishing (
cmp
)
alkaline slurry
tungsten
plug
pH value
polishing rate
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
W-Mo合金CMP工艺参数的影响与优化研究
5
作者
边征
王胜利
刘玉岭
肖文明
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期146-149,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10676008)
河北省教育厅科学研究计划项目(2007429)
文摘
简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法对抛光液pH值、抛光压力和抛光盘转速三个重要因素进行了优化设计,得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光参数。实验分析表明,当抛光液pH值为11,抛光压力为80 kPa,抛光盘转速60 r/min时,可以获得较高的去除速率。
关键词
W-Mo合金
化学机械抛光
田口方法
去除速率
Keywords
tungsten
molybdenum alloys
cmp
Taguchi method
removal rate
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究
被引量:
2
6
作者
林娜娜
邢哲
刘玉岭
孙鸣
刘利宾
机构
河北工业大学微电子研究所
华润华晶微电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期33-36,41,共5页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
文摘
钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一。首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理;接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂对W-CMP速率的影响。最后通过正交优化实验,确定抛光液最优配比为V(纳米SiO2水溶胶)∶V(去离子水)=1∶1,氧化剂体积分数为20 mL/L,pH调节剂体积分数为4 mL/L,表面活性剂体积分数为20 mL/L时,此时抛光液的pH值为10.36,获得的去除速率为85 nm/min,表面粗糙度为0.20 nm。
关键词
钨插塞
化学机械抛光
碱性抛光液
去除速率
表面粗糙度
Keywords
tungsten
plug
chemical mechanical planarization (
cmp
)
alkaline slurry
remove rate
surface roughness
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺
被引量:
8
7
作者
贾英茜
刘玉岭
牛新环
刘博
孙鸣
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期397-401,共5页
文摘
介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分析机理,并简单介绍了各种互联材料常用的抛光液及抛光液的组分,对抛光液作了简单的对比。针对传统CMP过程存在的问题,分析了皮带式和固定磨料的CMP技术。
关键词
化学机械抛光
多层互连
抛光液
二氧化硅
铜
钨
Keywords
cmp
mutilevel interconnect
slurry
Si02
copper
tungsten
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
镶嵌钨的化学机械抛光的研究
被引量:
2
8
作者
刘玉岭
杨鸿波
檀柏梅
梁存龙
机构
河北工业大学天津
河北冀雅电子有限公司
出处
《半导体杂志》
2000年第4期40-45,50,共7页
基金
国家自然科学重大基金资助项目!( 698762 60 )
文摘
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
关键词
ULSI
化学机械抛光
钨
集成电路
Keywords
ULSI
cmp
Global planarization
Post
cmp
cleaning
tungsten
分类号
TN470.52 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
纳米级三氧化二铝对碱性钨抛光液的影响
被引量:
2
9
作者
夏显召
刘玉岭
王娟
魏文浩
机构
河北工业大学微电子技术与材料研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第1期64-68,共5页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
文摘
研究了纳米级三氧化二铝颗粒的加入对以二氧化硅为磨料的碱性钨抛光液的影响。首先用单一因素法分析了三氧化二铝与二氧化硅质量比对原有碱性钨抛光液的去除速率的影响,以及氧化剂体积分数和pH值对抛光液去除速率的影响,取最优值,然后对添加三氧化二铝抛光液抛光后晶圆表面粗糙度进行了测试分析。实验结果显示在三氧化二铝与二氧化硅质量比为1∶2,二氧化硅水溶胶与去离子水体积比为1∶1,氧化剂体积分数为2%,pH值为9时,去除速率达到175 nm/min,较原有碱性钨抛光液提高约1倍,表面粗糙度为2.24 nm,能满足实际生产要求。
关键词
纳米
碱性
三氧化二铝
钨抛光液
化学机械抛光(
cmp
)
Keywords
nanoscale
alkali
alumina
tungsten
poli-shing slurry
chemical mechanical poli-shing(
cmp
)
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术
10
作者
张映斌
赵枫
李炳宗
机构
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《微细加工技术》
EI
2006年第2期1-4,24,共5页
文摘
介绍了深亚微米CMOS集成电路中研制的关键技术———钨化学机械抛光,比较了化学机械抛光技术与传统反应离子回刻法在金属层与层之间的垂直连接中的优缺点,并指出了钨化学机械抛光工艺中尚存的一些问题,最后对该工艺进行了总结与展望。
关键词
集成电路互连
钨化学机械抛光
钨插塞
凹陷
过蚀
钥孔现象
Keywords
IC interconnection
tungsten cmp
tungsten
plug
dishing
erosion
key hole
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IC制备中钨插塞CMP技术的研究
李薇薇
周建伟
尹睿
刘玉岭
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
下载PDF
职称材料
2
GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析
韩力英
牛新环
贾英茜
刘玉岭
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
3
ULSI多层互连中W-CMP速率研究
张进
刘玉岭
申晓宁
张伟
苏艳勤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
4
钨CMP中碱性抛光液组分间化学作用及其影响
贾英茜
牛新环
王现彬
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015
2
下载PDF
职称材料
5
W-Mo合金CMP工艺参数的影响与优化研究
边征
王胜利
刘玉岭
肖文明
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
6
GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究
林娜娜
邢哲
刘玉岭
孙鸣
刘利宾
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
下载PDF
职称材料
7
ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺
贾英茜
刘玉岭
牛新环
刘博
孙鸣
《微纳电子技术》
CAS
2006
8
下载PDF
职称材料
8
镶嵌钨的化学机械抛光的研究
刘玉岭
杨鸿波
檀柏梅
梁存龙
《半导体杂志》
2000
2
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职称材料
9
纳米级三氧化二铝对碱性钨抛光液的影响
夏显召
刘玉岭
王娟
魏文浩
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013
2
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职称材料
10
CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术
张映斌
赵枫
李炳宗
《微细加工技术》
EI
2006
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