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基于90nm工艺的8M闪存存储器的设计
1
作者
胡剑
张圣波
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期148-153,共6页
设计并实现了一款基于双位单元虚拟地架构的8 M嵌入式闪存存储器芯片,工作电压是单电源电压1.5V。由于虚拟地架构存储阵列存在侧边漏电流,为了减少灵敏放大器裕度损失,采用了读取电流保护技术。同时,采用了动态读取窗口跟踪参考电压产...
设计并实现了一款基于双位单元虚拟地架构的8 M嵌入式闪存存储器芯片,工作电压是单电源电压1.5V。由于虚拟地架构存储阵列存在侧边漏电流,为了减少灵敏放大器裕度损失,采用了读取电流保护技术。同时,采用了动态读取窗口跟踪参考电压产生电路来最大化灵敏放大器的裕度。采用华虹宏力标准90nm、4层多晶硅4层金属CMOS工艺。芯片尺寸是1.8mm2,读取速度可以达到40ns。
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关键词
双位单元
虚拟地
嵌入式闪存
参考电压产生电路
灵敏放大器
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职称材料
题名
基于90nm工艺的8M闪存存储器的设计
1
作者
胡剑
张圣波
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期148-153,共6页
基金
上海市青年科技启明星计划项目(16QB1401200)
文摘
设计并实现了一款基于双位单元虚拟地架构的8 M嵌入式闪存存储器芯片,工作电压是单电源电压1.5V。由于虚拟地架构存储阵列存在侧边漏电流,为了减少灵敏放大器裕度损失,采用了读取电流保护技术。同时,采用了动态读取窗口跟踪参考电压产生电路来最大化灵敏放大器的裕度。采用华虹宏力标准90nm、4层多晶硅4层金属CMOS工艺。芯片尺寸是1.8mm2,读取速度可以达到40ns。
关键词
双位单元
虚拟地
嵌入式闪存
参考电压产生电路
灵敏放大器
Keywords
twin-bit-cell
virtual ground
embedded flash
reference voltage generating circuit
sense amplifier
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于90nm工艺的8M闪存存储器的设计
胡剑
张圣波
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
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