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TWO STEPS CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF RIGID DISK SUBSTRATE TO GET ATOM-SCALE PLANARIZATION SURFACE 被引量:11
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作者 LEI Hong LUO Jianbin LU Xinchun 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期496-499,共4页
In order to get atomic smooth rigid disk substrate surface, ultra-fined alumina slurry and nanometer silica slurry are prepared, and two steps chemical-mechanical polishing (CMP) of rigid disk substrate in the two s... In order to get atomic smooth rigid disk substrate surface, ultra-fined alumina slurry and nanometer silica slurry are prepared, and two steps chemical-mechanical polishing (CMP) of rigid disk substrate in the two slurries are studied. The results show that, during the first step CMP in the alumina slurry, a high material removal rate is reached, and the average roughness (Ra) and the average waviness (Wa) of the polished surfaces can be decreased from previous 1.4 nm and 1.6 nm to about 0.6 nm and 0.7 nm, respectively. By using the nanometer silica slurry and optimized polishing process parameters in the second step CMP, the Ra and the Wa of the polished surfaces can be further reduced to 0.038 nm and 0.06 am, respectively. Atom force microscopy (AFM) analysis shows that the final polished surfaces are ultra-smooth without micro-defects. 展开更多
关键词 two steps Chemical-mechanical polishing(cmp Rigid disk substrateAtom-scale planarization Slurry
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ULSI制备中铜布线的两步抛光技术 被引量:5
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作者 王弘英 刘玉岭 +1 位作者 郝景晨 魏碧华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期433-437,共5页
在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光 (CMP)... 在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光 (CMP)速率的不同 .通过研究和一系列试验 ,采用两步抛光 ,初抛中采用高化学作用 ,终抛中采用高机械作用 ,达到较好的全局平面化效果 ,并提出了初抛的 CMP模型 . 展开更多
关键词 ULSI 铜布丝 抛光技术 阻挡层 多层布线 超大规模集成电路 制造工艺
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两步模压法制备聚乳酸/β-偏磷酸钙复合骨折内固定材料
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作者 廖立 尹光福 +2 位作者 谢克难 康云清 龙沁 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期131-134,共4页
以聚乳酸和自制β-偏磷酸钙晶须为原料,采用"两步模压法"制备聚乳酸/β-偏磷酸钙晶须复合骨折内固定材料,并对复合材料的力学性能进行了检测。结果表明采用"两步模压法"制备的复合材料的力学性能明显优于"一... 以聚乳酸和自制β-偏磷酸钙晶须为原料,采用"两步模压法"制备聚乳酸/β-偏磷酸钙晶须复合骨折内固定材料,并对复合材料的力学性能进行了检测。结果表明采用"两步模压法"制备的复合材料的力学性能明显优于"一步模压法"制备的复合材料,其最大抗弯强度和杨氏模量分别为126.33 MPa和4.36 GPa,接近于人体皮质骨的力学性能,能满足人体骨折内固定对固定材料的力学性能要求。 展开更多
关键词 聚乳酸 β-偏磷酸钙 骨折内固定 两步模压法
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