ULSI制造中Cu的电化学机械抛光

电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流量对抛光速率的影响,发现在抛光电压为4.7V、流量为150～200mL/min、抛光台转速为30～40r/min、抛光压力为3.45kPa时能达到较好的抛光速率。考察了抛光电压对图案晶圆片上台阶高度减小效率的影响,发现台阶高度减小效率随抛光电压增大而减小,并且对抛光机理做了初步分析。

性能驱动总体布线的关键技术及研究进展

在计算机软件领域 ,超大规模集成电路技术的迅猛发展迫切需要高性能 CAD工具——电子设计自动化(EDA)软件工具的支持 .与物理设计相关的 CAD技术称为布图设计 ,总体布线是布图设计中一个极为重要的环节 .目前 ,在深亚微米、超深亚微米工艺下的超大规模、甚大规模集成电路设计中 ,性能驱动总体布线算法已成为布图设计中的一个国际研究热点 .针对这一热点 ,分析了性能驱动总体布线算法研究中亟待解决的关键技术 ,并详细阐述了国内外的重要相关研究工作进展情况 .

CMP专用大粒径硅溶胶研磨料生长及控制机理

为满足甚大规模集成电路(ULSI)互连结构高质量、高效率化学机械抛光(CMP)的要求,以LaMer模型为理论指导,对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析,并讨论了加料速率对平均粒径及分散度的影响;优化加料速率为3.6 mL/min,以此控制体系中硅酸浓度的变化趋势,避免产生两种类型的新晶核,实现了单纯的粒径增长.以胶粒平均粒径28 nm、分散度1.13的母液制备出粒径57 nm、分散度1.07的硅溶胶.通过工艺调整并按照分级生长模式,进一步制得符合高质量、高效率CMP专用的大粒径(平均粒径为112 nm)、低分散度(接近于1.00)硅溶胶研磨料.

硅基集成电路的发展及其面临的挑战

文章跟踪微电子技术的发展对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题及研究成果进行综述评论,。这些问题包括Cu/低ε介质互连系统、CMOS器件运作的内在结构及电接触问题、高ε栅极氧化物材料、SOI、SiGe、SiGe-OI以及大直径硅单晶片等。微电子技术的发展已逼近微电子器件的物理极限,并将逐步发展到它的下一代——纳米电子器件,人类对物质世界的认识也将提高到一个新阶段。

超大规模集成电路多孔电介质介电常数与分形维数

技术的发展要求超大规模集成电路的特征尺寸进一步降低以提高元件密度,这就需要低介电常数(k)的多孔电介质的应用。而多孔介质的输运物理性质通常与其微结构有密切关系。本文在综述多孔电介质利用分形模型分析方法的基础上,利用分形几何理论,进一步把多孔电介质介电常数(k)与反映孔微结构的分形维数联系起来,更好地适应于实际中不均一不规则的多孔电介质介电常数的分析计算。

特定应用片上网络的研究综述

特大规模集成电路技术的飞速发展,使得把大量的知识产权(Intellectual Property,IP)核集成到单一的芯片上形成的片上系统成为了今后微电子发展的主流趋势。片上系统面临着许多设计和制造问题,片上网络为解决片上系统的这些问题提供一种行之有效的方案。当前及今后的片上系统都主要面向特定应用或特定应用类,因此,片上网络也是面向特定应用的片上网络,对特定应用片上系统面临的问题、特定片上网络的提出、发展、和主要研究内容进行综述。

超大规模集成电路设计软件的工程化维护

本文以美国Synopsys SOC一体化设计软件的应用环境为实例,基于当前通用的Solaris-UNIX局域网环境,系统地阐述IC设计工程软件在网络环境中的典型系统配置、安全保障及系统维护技术。文章给出了超大规模集成电路自动化设计工程软件的常规配置方案,对从事IC自动化设计网络环境管理的技术工作者具有较强的可操作性和可借鉴作用。

印刷线路板封孔镀铜添加剂的研究进展

本文从镀液成分、工艺条件、电极反应、铜沉积方式等方面介绍了封孔镀铜的概况,综述了封孔镀铜中使用的添加剂(抑制剂、促进剂和整平剂)的种类、作用及研究应用进展,分析了封孔镀铜添加剂的重点研究方向。