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一种高精度快速响应欠压锁定电路设计 被引量:8
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作者 员瑶 冯全源 邸志雄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期169-173,共5页
针对传统欠压锁定(UVLO)电路结构复杂和响应速度慢的问题,设计了一种高精度的快速响应欠压锁定电路。该电路整体均由CMOS管组成,结构简单且易于实现。采用电流模控制技术,随电源电压呈二次方曲线变化的自偏置电流控制阈值电压的产生,有... 针对传统欠压锁定(UVLO)电路结构复杂和响应速度慢的问题,设计了一种高精度的快速响应欠压锁定电路。该电路整体均由CMOS管组成,结构简单且易于实现。采用电流模控制技术,随电源电压呈二次方曲线变化的自偏置电流控制阈值电压的产生,有效提高了电路的响应速度。该欠压锁定电路基于0.18μm BCD工艺设计,并利用HSPICE进行仿真验证,当电源电压在0 5 V区间变化时,输出电压翻转的上阈值门限为3.91 V,相应下阈值门限为3.82 V,迟滞量为90 m V,温度在-40~125℃范围变化时,阈值门限电压容差仅为0.9μV,可实现输出电压的高精度转换,电路面积仅为15μm×48μm。 展开更多
关键词 欠压锁定(uvlo) 快速响应 高精度 迟滞 电流模控制
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Integration of GaN analog building blocks on p-GaN wafers for GaN ICs 被引量:1
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作者 Xiangdong Li Karen Geens +6 位作者 Nooshin Amirifar Ming Zhao Shuzhen You Niels Posthuma Hu Liang Guido Groeseneken Stefaan Decoutere 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2021年第2期113-116,共4页
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this work.The fundamental inverters in the comparator consist of a p-GaN gate HEMT and a 2DEG resistor... We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this work.The fundamental inverters in the comparator consist of a p-GaN gate HEMT and a 2DEG resistor as the load.The function of the RTL comparators is finally verified by a undervoltage lockout(UVLO)circuit.The compatibility of this circuit with the current p-GaN technology paves the way for integrating logic ICs together with the power devices. 展开更多
关键词 P-GAN resistor-transistor logic(RTL) comparator undervoltage lockout(uvlo) GaN ICs
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