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单轴应变Si导带色散关系解析模型
1
作者
王冠宇
宋建军
+3 位作者
张鹤鸣
胡辉勇
马建立
王晓艳
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期401-408,共8页
本文基于k·p理论框架,分析了单轴应力对导带能带结构的影响,详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处△1和△2,能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变,由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系.最后通过不同能谷之间...
本文基于k·p理论框架,分析了单轴应力对导带能带结构的影响,详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处△1和△2,能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变,由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系.最后通过不同能谷之间的坐标变换,得到了任意单轴应力作用下每个能谷的色散关系.本文的研究可以为单轴应变Si材料物理性质的理解以及对反型层能带结构、电学特性的相关研究提供一定的理论参考.
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关键词
单轴应力
应变Si
k
.p
理论
色散关系
原文传递
题名
单轴应变Si导带色散关系解析模型
1
作者
王冠宇
宋建军
张鹤鸣
胡辉勇
马建立
王晓艳
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期401-408,共8页
基金
国家部委项目(批准号:51308040203
6139801)
+2 种基金
中央高校基本科研业务费(批准号:72105499
72104089)
陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
文摘
本文基于k·p理论框架,分析了单轴应力对导带能带结构的影响,详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处△1和△2,能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变,由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系.最后通过不同能谷之间的坐标变换,得到了任意单轴应力作用下每个能谷的色散关系.本文的研究可以为单轴应变Si材料物理性质的理解以及对反型层能带结构、电学特性的相关研究提供一定的理论参考.
关键词
单轴应力
应变Si
k
.p
理论
色散关系
Keywords
uniaxial stress
,
strained-si
,
k .p method
,
dispersion relation
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单轴应变Si导带色散关系解析模型
王冠宇
宋建军
张鹤鸣
胡辉勇
马建立
王晓艳
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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已选择
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