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Lévy Flights, 1/<i>f </i>Noise and Self Organized Criticality
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作者 Oliver López Corona Pablo Padilla +2 位作者 Oscar Escolero Alejandro Frank Ruben Fossion 《Journal of Modern Physics》 2013年第3期337-343,共7页
A new analysis of a previously studied traveling agent model, showed that there is a relation between the degree of homogeneity of the medium where the agents move, agent motion patterns, and the noise generated from ... A new analysis of a previously studied traveling agent model, showed that there is a relation between the degree of homogeneity of the medium where the agents move, agent motion patterns, and the noise generated from their displacements. We proved that for a particular value of homogeneity, the system self organizes in a state where the agents carry out Lévy walks and the displacement signal corresponds to 1/f noise. Using probabilistic arguments, we conjectured that 1/f noise is a fingerprint of a statistical phase transition, from randomness (disorder) to predictability (order), and that it emerges from the contextuality nature of the system which generates it. 展开更多
关键词 Lévy fLIGHTS 1/f noise SELf ORGANIZED CRITICALITY Agents modelling Complexity
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基于迁移率波动的MOSFET线性区域1/f噪声模型 被引量:1
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作者 徐建生 周求湛 张新发 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1192-1195,共4页
统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加... 统一的 1/f噪声模型 ,例如BSIM3模型 ,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用 ,在多数情况下有很好的效果 .然而文献 [1]中基于物理机理分析的研究表明 ,统一的 1/f噪声模型对处于线性区p MOSFET不能进行正确的描述 :当偏置电压Vgs增加时 ,该模型低估了噪声功率的增加 .据此 ,本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF) 1/f噪声模型 ,并给出了新MF模型与统一的 1/f噪声模型在线性区的仿真结果 .从仿真结果可以看出 ,新噪声模型更接近于测试的结果 . 展开更多
关键词 线性区域 1/f噪声模型 金属氧化物半导体场效应管 迁移率波动 载流子数量波动 MOSfETS
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1/f噪声源与其在半导体器件可靠性评估中的应用
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作者 郭春生 刘鹏飞 +1 位作者 李秀宇 李志国 《环境技术》 2008年第4期32-34,44,共4页
1/f噪声,由于其能够反映器件的质量与可靠性参数,其研究受到重视。本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:迁移率涨落模型和载流子涨落模型,最后介绍了几个1/f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例。
关键词 1/f噪声 迁移率涨落模型 载流子涨落模型 器件参数漂移
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MOS器件1/f噪声的热激发模型
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作者 方志豪 朱秋萍 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1993年第3期42-48,共7页
本文推广应用随机开关理论,建立了MOS器件1/f噪声的双态系统理论,提出了确定载流子俘获与释放过程时间常数的方法,在此基础上推导出MOS器件热激发模型的1/f噪声表达式,给出了迄今比较完整的温度因子和偏置因子表示式。本理论能够解释迄... 本文推广应用随机开关理论,建立了MOS器件1/f噪声的双态系统理论,提出了确定载流子俘获与释放过程时间常数的方法,在此基础上推导出MOS器件热激发模型的1/f噪声表达式,给出了迄今比较完整的温度因子和偏置因子表示式。本理论能够解释迄今发表的低温下MOS器件1/f噪声的许多实验结果,由此表明,热激发模型有可能更接近1/f噪声的物理本质。 展开更多
关键词 1/f噪声 热激发模型 MOS器件
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55 nm SONOS闪存单元的1/f噪声特性研究
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作者 陈丹旸 季兰龙 +3 位作者 李梅 李博 毕津顺 刘明 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第6期852-857,共6页
基于55 nm ULP CMOS工艺来制备SONOS闪存单元,并通过1/f噪声测试等方式对测试单元的器件特性进行表征。基于1/f噪声表征和转移特性,分析了编程态和擦除态下SONOS闪存单元内部缺陷水平的变化规律与机制。针对1/f噪声与亚阈值特性的缺陷... 基于55 nm ULP CMOS工艺来制备SONOS闪存单元,并通过1/f噪声测试等方式对测试单元的器件特性进行表征。基于1/f噪声表征和转移特性,分析了编程态和擦除态下SONOS闪存单元内部缺陷水平的变化规律与机制。针对1/f噪声与亚阈值特性的缺陷水平出现矛盾的现象,引入NBTI中的双阶段模型进行阐述,进一步分析1/f噪声测试环节对SONOS器件的影响。 展开更多
关键词 1/f噪声 转移特性 缺陷 双阶段模型
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Imitation of Fabric Flagging Based on Amplitude Modulation
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作者 赵志宏 李蓓蓓 +1 位作者 耿兆丰 徐敏 《Journal of Donghua University(English Edition)》 EI CAS 2007年第6期723-727,共5页
A model-independent 3-D texture synthesis of physical and stochastic algorithms,based on an amplitude modulation method,is presented to realize 3-D fabric dynamic simulation.The physical functions are built to simulat... A model-independent 3-D texture synthesis of physical and stochastic algorithms,based on an amplitude modulation method,is presented to realize 3-D fabric dynamic simulation.The physical functions are built to simulate fabric basic deformation.The stochastic functions,generated by Perlin noise,are used to simulate fabric natural motion in the wind.The two kinds of functions are synthesized by method of amplitude modulation.As the arithmetic uses stochastic functions in stead of recursive algorithm,it is capable of simulating the fabric material,the wind force and direction in real-time.Given the fabric material and wind strength,the stochastic functions can be created to simulate fabric motion in the wind and this model can be adjusted by controlling some certain parameters to achieve a good simulation effect.This method is conceptually intuitive,computationally fast and efficient.Furthermore,the combination of fabric physical and statistic motion characteristics provides an attractive way to improve the display effect and rate. 展开更多
关键词 1/f noise Perlin noise fABRIC dynamic model
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光电耦合器电离辐射损伤电流传输比1/f噪声表征 被引量:5
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作者 林丽艳 杜磊 +1 位作者 包军林 何亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期609-615,共7页
在研究光电耦合器电离辐射损伤机理基础上,分别建立光电耦合器电离辐射损伤电流传输比(CTR)表征模型和1/f噪声表征模型.结果表明CTR退化和噪声增加都归因于辐射后光敏三极管集电结和发射结处SiO2/Si界面缺陷增多.根据CTR退化和噪声变化... 在研究光电耦合器电离辐射损伤机理基础上,分别建立光电耦合器电离辐射损伤电流传输比(CTR)表征模型和1/f噪声表征模型.结果表明CTR退化和噪声增加都归因于辐射后光敏三极管集电结和发射结处SiO2/Si界面缺陷增多.根据CTR退化和噪声变化分别与辐射剂量的关系,建立起噪声变化与CTR退化之间的关系,辐照实验对表征模型正确性进行了验证.运用噪声变化与辐射剂量的关系,通过低剂量辐照实验可以预测高剂量辐射后光电耦合器退化程度,故可用于评价光电耦合器抗辐射能力. 展开更多
关键词 1/f噪声 光电耦合器 缺陷 模型
原文传递
基于界面材料损伤的晶体管辐射噪声表征模型
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作者 张雪 杜磊 +1 位作者 何亮 陈伟华 《电子科技》 2009年第6期75-77,共3页
在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型。通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方... 在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型。通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方法的可靠性。结果表明此方法为晶体管的可靠性筛选,提供了理论依据。 展开更多
关键词 晶体管 辐照损伤 缺陷 1/f噪声模型
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