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带式烘干机风速场均匀性试验研究 被引量:1
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作者 张鹏飞 刘加伟 +3 位作者 刘鑫 陈博 张琦 薛东晓 《中国农机化学报》 北大核心 2024年第2期130-134,共5页
物料含水率均匀性是物料品质的重要指标,与烘干机内部气流均匀性相关。烘干机结构与工艺参数对烘干机内部流场均匀性产生较大影响。使用正交试验的方法研究导流板角度(30°、40°、50°)、侧风道均流板个数(1、2、3)与循环... 物料含水率均匀性是物料品质的重要指标,与烘干机内部气流均匀性相关。烘干机结构与工艺参数对烘干机内部流场均匀性产生较大影响。使用正交试验的方法研究导流板角度(30°、40°、50°)、侧风道均流板个数(1、2、3)与循环风机频率(20 Hz、30 Hz、40 Hz)对烘干机内气流分布的影响,找到最优的因素水平,使烘干机内部风速场最均匀。研究结果表明:风机频率对上料层的风速场影响最显著;导流板角度对上料层风速场影响最不显著。导流板角度对下料层风速场影响最显著;风机频率对下料层风速场影响最不显著。当因素水平组合为导流板角度30°,均流板3个,风机频率20 Hz时,烘干机内风速场最均匀。 展开更多
关键词 带式烘干机 风速场均匀性 CFD仿真 doe设计
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采用质量统计分析法提升玻璃器皿口部抗冲击性能与节省能耗
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作者 赵明 《玻璃搪瓷与眼镜》 CAS 2024年第2期13-23,共11页
应用系列质量统计分析技术和工具优化钢化乳浊玻璃日用器皿钢化过程的工艺参数,以及采用优化后的参数,不仅提升了产品口部抗机械冲击能力,而且降低了玻璃器皿钢化过程中单位产品天然气的消耗,提高了产品质量,可为企业优化乳浊玻璃日用... 应用系列质量统计分析技术和工具优化钢化乳浊玻璃日用器皿钢化过程的工艺参数,以及采用优化后的参数,不仅提升了产品口部抗机械冲击能力,而且降低了玻璃器皿钢化过程中单位产品天然气的消耗,提高了产品质量,可为企业优化乳浊玻璃日用器皿生产工艺提供参考。 展开更多
关键词 乳浊玻璃器皿 抗机械冲击 能耗 均匀doe
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波前分割DOE阵列半导体激光器光束的品字形整形
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作者 石振东 李淼峰 +2 位作者 邱传凯 姚军 周崇喜 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第3期616-620,共5页
半导体激光器(LD)输出光束受工作电流、个体差异的影响,发散角、输出光强出现波动。常规衍射光学元件(DOE)的激光光束整形设计只针对特定的输入输出光场,使用宽容度比较小。文中在LD的整形中利用DOE阵列化的处理,输入光场被分割... 半导体激光器(LD)输出光束受工作电流、个体差异的影响,发散角、输出光强出现波动。常规衍射光学元件(DOE)的激光光束整形设计只针对特定的输入输出光场,使用宽容度比较小。文中在LD的整形中利用DOE阵列化的处理,输入光场被分割成许多小单元,不同强度的光重新在成像平面内预定的区域内叠加,实现对光束的整形。用均匀平面波设计阵列DOE每个单元,把高斯分布的球面波整形成品字形光强分布,衍射效率为90.53%,均匀性大约为96%;发散角在快、慢轴方向上2°~16°的范围内变化,均匀性为95.8%以上、衍射效率为90%以上;在离焦量±16μm内,光束质量变化不大。阵列DOE提高了LD光束整形系统的稳定性。 展开更多
关键词 阵列衍射光学元件 LD光束整形 变发散角 均匀性
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基于气炮弹测速的单光源三光幕研究
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作者 雷芙溶 武志超 《测试技术学报》 2024年第5期520-526,共7页
随着气体炮中弹丸加载速率及其测试精度的不断提高,对激光测试系统的光幕光能分布均匀性和平行性的要求越来越高。采用衍射光学元件(DOE)将激光束整形为线状均匀光束,利用菲涅尔透镜形成均匀平行光幕,经过1/3分光镜、半透半反镜和全反射... 随着气体炮中弹丸加载速率及其测试精度的不断提高,对激光测试系统的光幕光能分布均匀性和平行性的要求越来越高。采用衍射光学元件(DOE)将激光束整形为线状均匀光束,利用菲涅尔透镜形成均匀平行光幕,经过1/3分光镜、半透半反镜和全反射镜,实现高度平行的一体化单光源三光幕。利用改进GS(Gale-Shapley)算法设计DOE元件得到线状分布光束,实验测试其均匀度为83.7%;对三光幕的平行性进行测试,得到最大偏差为0.279 mrad。该单光源三光幕系统可满足超高速气炮弹测速时对光幕灵敏度及测速精度的需求。 展开更多
关键词 单光源三光幕 均匀性 平行性 衍射光学元件(doe) 改进GS(Gale-Shapley)算法
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0.5μm CMOS后段平坦化工艺优化 被引量:1
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作者 寇春梅 李洪霞 《电子与封装》 2012年第6期35-38,共4页
通过实验对采用SOG材料的0.5μm CMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计,表明IMD1-1厚度、SOG(旋涂玻璃)厚度和etchback(反腐蚀)厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子,在完全平坦化的情况下β=1;如果没有平坦化效... 通过实验对采用SOG材料的0.5μm CMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计,表明IMD1-1厚度、SOG(旋涂玻璃)厚度和etchback(反腐蚀)厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子,在完全平坦化的情况下β=1;如果没有平坦化效果,则β=0。进行了两次实验发现如何提高平坦化因子。实验得到IMD1-1显著影响金属间的介质间距,它和SOG厚度强烈影响平坦化因子。最后采用DOE(实验设计)的方法优化了0.5μm CMOS的平坦化工艺,平坦化因子从70%提高到85%,平坦化均匀性同时得到改善。 展开更多
关键词 0.5μmCMOS工艺 IMD1—1厚度 SOG 反腐蚀 doe 均匀性
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