布尔代数的(∈,∈∨q)-Fuzzy子代数和(∈,∈∨q)-Fuzzy理想

引入了布尔代数的(∈,∈∨q)-Fuzzy子代数、(∈,∈∨q)-Fuzzy理想和(∈,∈∨q)-Fuzzy商布尔代数的概念,给出了布尔代数的Fuzzy子集是(∈,∈∨q)-Fuzzy子代数((∈,∈∨q)-Fuzzy理想)的充要条件,讨论了布尔代数的(∈,∈∨q)-Fuzzy子代数((∈,∈∨q)-Fuzzy理想)在布尔代数同态下的像和逆像,并证明了当I是布尔代数R的(∈,∈∨q)-Fuzzy真理想时,R/I是布尔代数。

UMV整环的一些性质

证明了若R是Noether整环,则R是UMV整环当且仅当对任意的U∈UTZ(R),有U-1≠R[X],且R中的每个素v-理想高度为1.证明了若R是UMV整环,且R中的极大理想都是v-理想,则R的整闭包R′是Prüfer整环.同时,也给出如果P是R[X]的任意UTZ,且P-1≠R[X],R的整闭包R′是Prüfer整环,则R是UMV整环.

GP-V'-环的von Neumann正则性

本文研究了GP-V’-环的von Neumann正则性问题.利用GW-理想和W-理想的性质及方法,得到了GP-V’-环是(强)正则环的一些条件,推广了文献[3,6]中的相关结果.

InGaAs线列探测器的I-V特性研究

采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声,但对器件的响应率影响不大。计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多。实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义。

半群的i-v Fuzzy理想

在半群上引入i-v Fuzzy理想的概念.研究了半群的i-v Fuzzy理想的若干性质,特别是给出了半群的i-v Fuzzy子集成为理想的若干特征性质.

右对合广群中的i-v Fuzzy子广群与理想

密码学中对称加密,各种公钥密码都归结为群的运算,基于此,对右对合广群的i-v Fuzzy性及Fuzzy理想进行了研究,给出了A为右对合广群X的一个i-v Fuzzy集条件下,A是X的一个i-v Fuzzy子广群(理想)的充要条件.

PT整环的研究

引入了PT整环的概念,通过例子说明PTW整环不是PT整环,刻画了PT整环的局部化性质;然后讨论了其拉回图;最后对PT整环的几类扩环的性质进行了描述.

PTW整环的刻画

引入了PTW整环的概念,刻画了PTW整环的局部化性质,然后对PTW整环的拉回图进行了研究,证明了若RDTF是强M ilnor方图,则w-d im(R)=m ax{htTM+w-d im(D),w-d im(T)},最后通过例子说明了PTW整环不是TW整环.

环的强正则性

在主左(右)理想是弱右(左)理想的条件下,研究一些特殊环(如GP-V-环、GP-V′-环、弱正则环和广义正则环等)的强正则性,得到了强正则环的一些等价刻画.

BR_0-代数三种理想的关系和性质

为了进一步研究BR0-代数的结构.首先在BR0-代数中给出了蕴涵理想,⊙-理想和∨-理想的定义;其次,讨论了BR0-代数中这三种理想的关系;最后,研究了BR0-代数中理想的一些性质,并证明了极大理想存在定理.

Prekrull整环的刻画

讨论了Prekrull整环与几类主要整环之间的关系,证明了R是具有有限特征且满足局部主理想升链条件的Prekrull整环当且仅当R是Krull整环.给出整环R的每个扩环都是Prekrull整环且不是域,则R是广义Dedekind整环也是Pr櫣fer整环,以及在Prekrull整环上的多项式环的分式环仍是Prekrull整环的条件下,Prekrull整环的每个t linked扩环仍然是Prekrull整环,并证明了Prekrull整环在素v 理想局部化之后是离散赋值环.

N-E-V分布的实用性研究

本文推导了统计热力学中粒子数N、能量E、体积V和熵S在第八种分布(N-E-V分布)情况下的计算公式,并以单原子理想气体和量子气体为例说明了N-E-V分布具有其实用性.

非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响

利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小。此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制。

Kaplansky变换在高阶上的推广

给出了高阶Kaplansky变换的定义,并且刻画了高阶Kaplansky变换的基本性质.同时,对v-凝聚整环上的高阶Kaplansky变换进行了系统的研究,证明了若R是v-凝聚整环(分别地,Mori整环),则Ω(s)也是v-凝聚整环(分别地,Mori整环).

未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82Ge0.18肖特基结。在90K～332K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T)。发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大。这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合。

有源层表面性质对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响

利用有限差分法求解半导体器件基本方程,研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明:当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷,且三者起施主型和受主型陷阱作用时,正向偏压下的晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线与理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线相同,但当正向偏压大于PN开启电压0.59V,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线,且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大;当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线;就对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响而言,复合中心最大,施主型次之,受主型最小。

体缺陷性质对晶硅电池暗I-V特性的影响

采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明:晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和效率等参数均发生退化;在反向偏压下,受主型缺陷的密度增加,不会引起不同偏压下晶硅电池暗电流的明显变化,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会引起各偏压下晶硅电池暗电流出现明显变化;在正向偏压下,受主型缺陷可很好地保持晶硅电池暗I-V特性曲线基本性质,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会导致晶硅电池暗I-V特性曲线的性质发生明显变化。

理想气体热力过程p-v图和T-s图的分析应用

介绍如何通过理想气体四个基本热力过程的p-v图和T-s图的分析,判断过程状态参数的变化,热量和功量的正负,及其结论的应用。掌握好热力过程的p-v图和T-s图对理想气体及其热力过程的内容学习有很重要的意义。

关于GP-V'-环的强正则性

本文研究了GP-V,GP-V'-环的Von Neumann正则性问题.利用GW-理想和拟ZI-环的性质及方法,得到了GP-V,GP-V'-环是强正则环的一些条件,推广了文献[4]和文献[6]的相关结果.

关于PTW整环的多项式环

在整闭条件下描述了PTW整环R及其多项式环R[X],R〈x〉,R|x|之间的关系,证明了若R是整闭整环,则R是PTW整环,且R[X]中素w-理想可扩张当且仅当R[X]是PTW整环,最后对TW得到了类似的结论。