在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响

CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料 ,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果。

全玻璃平板型真空荧光光源的工艺探讨

提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（ＶＦＬＳ）管，与国际上传统的真空荧光光源管比较，新的器件在大面积碳场发射阴极，厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发，分析了该器件工作时管内发生的主要物理过程，详细介绍了研制ＶＦＬＳ管的制造工艺，并讨论了此工作目前存在的问题及前景。

真空荧光显示器应用的现状及发展

本文综述了真空荧光显示器（VFD）的应用领域，给出了各类VFD的主要技术指标和特点；也介绍了作为打印机光源和象素管的平板荧光器件；并讨论了今后的发展趋势。

靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响

为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料 ,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备 ,开发了由真空热预处理 ,非真空热后处理二种处理新工艺 ,制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶。使CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级 ,而清晰度 (分辨率 )保持不变。

真空微电子平板摄像管10×10像素驱动电路的设计与制作

真空微电子平板摄像是一种全新的摄像理论,它采用碳纳米场发射阴极、栅极和阳极(收集极)三极管结构。介绍了真空微电子平板摄像管驱动电路的设计要求、设计思路和电路测试结果,实验中采用的栅极驱动对驱动电路(扫描电路)起到了关键作用。

真空微电子学综述

本文简要介绍真空微电子学几个发展领域──场发射材料、平板显示、传感器以及微波和毫米波放大器的现状。

真空微电子器件的数值模拟计算与分析

本文用数值方法和场致发射的福勒—诺德海姆公式计算了薄膜场致发射阴极(TFFEC)的伏安特性和其应用于平板显示系统的空间扩展特性以及格雷型场效应管的时间响应特性 通过计算得到了TFFEC在不同失端和表面形状情况下的伏安特性曲线,并分析了阴极结构的一致对其发射的均匀性和稳定性的影响。应用TFFEC的新型平板显示系统,其空间分辨能力与阳栅距、栅极电压有很大关系。格雷型场效应管具有皮秒级的响应时间。

真空热预处理在平板摄像管CdSe多层靶面制作中的作用

为了研制用于真空微电子平板摄像管(FPC)的具有高感光度的CdSe多层光导材料,发展了包括真空热预处理(VHPT)和非真空热后处理(NAHT)在内的新型热处理工艺。重新装配的蒸发设备和具有结晶和氧化功能的新型炉具满足两种热处理工艺并同其他工艺一起可制造出新的高性能的CdSe多层光导靶。实验结果表明,CdSe多层光导靶的灵敏度提高,而清晰度(分辨率)保持不变,介绍了与VHPT工艺有关的实验结果。

用于平板摄像的CdSe靶面淀积参数对摄像特性的影响

为了开发用于真空微电子平板摄像管 Vacuum Microelectronics FlatPanel Camera Tube(VME FPC)的高灵敏度 CdSe 多层光导靶面,改建了一台精确控制 CdSe 材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空热蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热后处理组成的系列新处理工艺,制造出了新的高性能的 CdSe多层光导靶。

场发射彩色平板显示器

本文介绍了真空微电子场发射阵列的结构，特性和制造工艺，并提供了四种实用的场发射彩色平板显示器结构。