InSb-In共晶体磁阻薄膜的制备及特性分析

利用纯度为99.99%的铟和锑单质为原料,采用真空蒸发法,制备了InSb-In共晶体磁阻薄膜,对薄膜进行热处理。通过实验对锑化铟薄膜的物相构成、表面形貌进行分析,探讨成膜条件、退火条件等因素对薄膜结构及性能的影响。结果表明,InSb薄膜是InSb和In的共晶体。

真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理．X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb，In，Sb各相的混合物；重结晶后，基本为InSb单相，InSb晶粒呈规则状外形长大．热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的1．31×104cm2／（V·s）提高到4．47×104cm2／（V·s）（热蒸镀）和2．15×103cm2／（V·s）提高到2．04×104cm2／（V·s）（磁控溅射）．

InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵敏度达90～150V／A·T。

阵列蒸发源对平移基板成膜均匀性的研究

通过离散数学积分工具推导了膜厚分布公式,描述了实际工程中具有非余弦蒸发规律的阵列蒸发源的蒸发情况。研究了不同阵列蒸发源对平移基板的成膜分布规律,并根据该规律设计了蒸发源的空间布局,主要探讨了阵列蒸发源对平移基板成膜均匀性的计算方法及膜厚分布规律,并分析了不同蒸发源开孔配置对上方基板膜厚分布的影响。结果表明,阵列蒸发源对基板的总体膜厚呈现中间周期性波动、两端分布相对低的现象;需要保持相对错位的几何阵列配置,且缩小两端的开孔孔距,方可得到比较合理均匀的膜厚分布。

EFFECT OF VACUUM ON THE CRYSTAL FORM AND MORPHOLOGY OF THE EVAPORATED FILM OF COPPER PHTHALOCYANINE

In a previous paper, we have reported the relationship between the crystallite orientation of the evaporated film of copper phthalacyanine （PcCu） （α-form） and the incident angle of molecular beam at 10-5 torr. In this paper, we shall show some research results about vacuum effects on the crystal forms and the morphology of the evaporat-

提高颜料铝粉表面SiO_2包覆率的研究

采用正硅酸乙酯(TEOS)水解缩聚反应在颜料铝粉表面包覆一层SiO2薄膜。分析了这种包覆方法的成膜机理,膜层和基体之间的结合方式。对现存包覆工艺进行一些改进,并对实验结果进行析氢分析、XPS分析,以达到提高颜料铝粉的包覆率的目的。

聚酯装置终聚釜反应机理及工艺优化探讨

通过对终聚反应机理及工艺优化的探讨,以提高聚酯装置生成熔体的质量。具体方法是根据生产负荷的变化,控制入口液位在适当范围内,并通过调整搅拌转速,使釜内物料达到最佳成膜效果,以保证物料在正常真空度条件下以最低的反应温度、最短的停留时间完成终聚反应,同时最大限度地减少副反应。通过以上措施,有效降低了聚酯熔体的端羧基含量及b值。因此终聚反应工艺优化的核心是控制终聚釜入口液位,稳定真空度及真空蝶阀开度。

真空直镀纸用丙烯酸乳液成膜与耐温性研究

以甲基丙烯酸甲酯(MMA)、丙烯酸丁酯(BA)为聚合主单体、以甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(A174)为交联单体,采用核壳聚合工艺合成具有成膜性好、耐温高的真空直镀用乳液。研究了聚合物核壳比、聚合物玻璃化温度(Tg)、A174加入方式及用量等对乳液成膜性和耐温性的影响。结果表明:采用硬核软壳结构,核壳比例在75∶25,核壳聚合物的玻璃化温度设计在100/0℃、并且采用延迟滴加技术加入占单体总量2%的A174单体时,乳液具有较好的成膜性和耐温性。采用该乳液制备的涂料具有VOC气味低,成膜性好,耐温高等特点,主要应用于纸张的真空直镀,满足成膜和耐温的要求。

一种应用于家用电器的真空吸覆表面加饰工艺

表面装饰的处理工艺主要包括喷涂、电镀、水转印、模内覆膜、表面覆膜贴粘(PVC、PE、亚克力及玻璃),其中,喷涂、电镀、水转印、模内覆膜、表面覆膜贴粘大量应用于家电、家具建材和汽车领域,如空调、冰箱、洗衣机、饮水机、电饭锅、吸尘器、电暖器、家具、汽车内饰等。喷涂、电镀、水转印处理工艺的缺点是带来环境污染;模内覆膜的模具费用投入大,使用效果单一;表面覆膜贴粘需要制件表面平整,曲面制件无法粘贴牢固。广东海信科龙空调有限公司研究应用的真空吸覆表面加饰工艺运用无通气孔的真空吸覆技术,通过大气压力或压缩空气,将涂有粘结剂的薄膜与加工工件紧密贴附的新一代表面装饰处理工艺,具有环保、成本低、表面装饰效果多样化等特点。

Zn掺杂InSb薄膜的电特性

研究了Zn掺杂InSb蒸镀薄膜杂质浓度和热处理条件对其电性能的影响。InSb薄膜采用三温度法在云母基片上制备,利用蒸镀Zn扩散后进行区熔再结晶的方法掺杂Zn杂质。在进行区熔再结晶时为了防止InSb分解和Sb的蒸发,用磁控溅射方法在InSb薄膜上生长厚度为300 nm的Si O2。测试结果表明最好的热处理条件为Ar气氛温度200℃、熔融区的移动速度1×10-5m·s^(-1)和熔融区通过数3。Zn成为受主,室温下测量Zn掺杂浓度为1.47×1022m-3的InSb薄膜的电子迁移率为5.65 m2·V-1·s^(-1)。Zn的掺杂浓度大于1.47×1022m-3时电子迁移率急剧减少,最大的霍尔常数为385 cm3·C-1。在1.5 T磁场下Zn掺杂浓度为3.16×1022m-3时,InSb薄膜电阻率的相对变化达到最大值为3.63,是未掺杂薄膜的2.46倍。