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工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性 被引量:3
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作者 杨绍利 徐楚韶 +1 位作者 陈厚生 胡再勇 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期925-930,共6页
以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0~ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温... 以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0~ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温度约低 33℃ ;2 )石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大 ;3)H2 还原法制备的VO2 薄膜电阻突变数量级比N2 热分解法制备的大 ;4)在自然放置条件下短时间内VO2 薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变 ,其突变数量级降低不多 ,突变温度滞后几乎没有变化 ;5 )同等条件下石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级降低较小。 展开更多
关键词 V2O5 vo2 薄膜 M-S相变 电阻突变 稳定性 热分解法 还原法 二氧化钒 金属—半导体相变
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电子束辐照致VO_2(A)薄膜光电特性改变 被引量:1
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作者 孟庆凯 何捷 +3 位作者 刘中华 张雷 宋婷婷 孙鹏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期694-699,共6页
以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013~1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明... 以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013~1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:剂量为1.2×1013/cm2时,辐照主要是在薄膜中引入点缺陷;剂量为1.2×1015/cm2时,辐照在薄膜中产生明显的退火效应。辐照剂量增加会引起薄膜相变过程中电阻温度系数增加,使相变温度点发生变化,热滞回线宽度最大可增加89.1%,相变前后薄膜电阻值变化的数量级增大,晶粒尺寸经历了31.8 nm→21.3 nm→20.3 nm→33.5 nm的变化。半导体相薄膜的透过率受缺陷影响较大,金属相时主要受晶粒尺寸的影响。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 电子辐照 相变 电阻温度系数 光透过率
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调整VO_2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法 被引量:1
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作者 卢勇 林理彬 何捷 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期58-60,共3页
采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2 薄膜 ,并对制备出的薄膜进行电子辐照。通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻 温度系数 (TCR) ,表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2 ... 采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2 薄膜 ,并对制备出的薄膜进行电子辐照。通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻 温度系数 (TCR) ,表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2 薄膜相变过程中电学性能 ,提高薄膜的电阻 温度系数。对影响VO2 展开更多
关键词 vo2薄膜 电阻温度系数 电学性能 电子辐照 相变特性
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基于VO2电阻膜的太赫兹波段可调超宽带超材料吸波体设计
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作者 王连胜 夏冬艳 +2 位作者 付全红 汪源 丁学用 《宁夏大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第2期157-163,共7页
利用VO2(二氧化钒)薄膜的电导率可调特性设计了一种太赫兹波段可调超宽带超材料吸波体.首先,模拟计算了不同温度时吸波体的吸收率,结果表明,当温度为45℃时吸波体在2.854 THz^8.938 THz的吸收率保持在90%以上,实现了电磁波的超宽带吸收... 利用VO2(二氧化钒)薄膜的电导率可调特性设计了一种太赫兹波段可调超宽带超材料吸波体.首先,模拟计算了不同温度时吸波体的吸收率,结果表明,当温度为45℃时吸波体在2.854 THz^8.938 THz的吸收率保持在90%以上,实现了电磁波的超宽带吸收;当温度从45℃逐渐增加到80℃时,吸波体在2.854 THz^8.938 THz的吸收率逐渐下降,实现了吸收率可调的功能;其次,通过对表面电流分布进行监控与分析,阐述了其电磁波宽带吸收及吸收率可调的机理;最后,模拟分析了温度为45℃时,入射波极化状态和入射角度对吸波体吸收特性的影响.结果表明,由于结构单元的旋转对称性,吸波体的吸收特性具有极化不敏感的特点;随着电磁波入射角度的增大,其吸收率逐渐降低. 展开更多
关键词 超材料吸波体 vo2电阻膜 超宽带 可调
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MoO_3含量对VO_2薄膜电阻率变化的影响
5
作者 马兰 杨绍利 高仕忠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期278-280,共3页
研究了掺入MoO3时VO2薄膜电阻率的变化;建立了VO2薄膜电阻率突变数量级S随杂质含量变化的数学模型,进行了理论计算及与实测值的对比。结果表明,S随MoO3掺入量的增大而减小,采用该数学模型可以很好地预测S值的大小。
关键词 vo2 薄膜 电阻率变化 杂质
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多种杂质对VO_2薄膜电阻突变性能的影响
6
作者 马兰 杨绍利 高仕忠 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2010年第2期270-273,共4页
理论上计算了VO_2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO_2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO_2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO_2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度... 理论上计算了VO_2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO_2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO_2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO_2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电阻突变数量级减小。 展开更多
关键词 vo2 薄膜 电阻突变性能 杂质 点阵常数
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Electrically triggered dual-band tunable terahertz metamaterial band-pass filter based on Si_3N_4–VO_2–Si_3N_4 sandwich 被引量:3
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作者 Shuai Zhao Fangrong Hu +4 位作者 Xinlong Xu Mingzhu Jiang Wentao Zhang Shan Yin Wenying Jiang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第5期111-116,共6页
We experimentally demonstrate an electrically triggered terahertz(THz) dual-band tunable band-pass filter based on Si_3 N_4–VO_2–Si_3 N_4 sandwich-structured hybrid metamaterials. The insulator–metal phase transiti... We experimentally demonstrate an electrically triggered terahertz(THz) dual-band tunable band-pass filter based on Si_3 N_4–VO_2–Si_3 N_4 sandwich-structured hybrid metamaterials. The insulator–metal phase transition of VO_2 film is induced by the Joule thermal effect of the top metal layer. The finite-integration-time-domain(FITD) method and finite element method(FEM) are used for numerical simulations. The sample is fabricated using a surface micromachining process,and characterized by a THz time-domain-spectrometer(TDS). When the bias current is 0.225 A, the intensity modulation depths at two central frequencies of 0.56 THz and 0.91 THz are about 81.7% and 81.3%, respectively. This novel design can achieve dynamically electric–thermo–optic modulation in the THz region, and has potential applications in the fields of THz communications, imaging, sensing, and astronomy exploration. 展开更多
关键词 tunable BAND-PASS filter hybrid metamaterials TERAHERTZ vanadium dioxide (vo2)
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磁控溅射法制备VO_2薄膜及电阻突变测试
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作者 王安 许卫东 +2 位作者 张豹山 杨骏堂 崔光振 《光电技术应用》 2015年第3期67-69,78,共4页
基于常温反应磁控溅射和热处理工艺,在硅片(100)衬底上,制备出了具有相变特性的二氧化钒(VO2)薄膜,采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形貌进行了表征。热处理后,薄膜晶粒开始生长,在2θ=27.9°、37.1°、42.3°分别出现了... 基于常温反应磁控溅射和热处理工艺,在硅片(100)衬底上,制备出了具有相变特性的二氧化钒(VO2)薄膜,采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形貌进行了表征。热处理后,薄膜晶粒开始生长,在2θ=27.9°、37.1°、42.3°分别出现了VO2的(011)、(200)、(210)衍射峰,薄膜形貌均匀致密。对薄膜的方块电阻进行了变温测试,相变前后薄膜电阻突变量达三个数量级,具有很好的半导体-金属相变特性。文中还对VO2薄膜在伪装领域的应用前景进行了分析。 展开更多
关键词 磁控溅射 二氧化钒薄膜 退火 电阻突变
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基于金属-绝缘体相变材料的高钝感集成半导体桥芯片设计
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作者 程鹏涛 李慧 +4 位作者 骆建军 冯春阳 骆懿 任炜 梁小会 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期1-7,共7页
为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性与可靠性,通过片上集成方式,在SCB两端并联金属-绝缘体相变材料VO_(2)对其进行分流防护。提出蛇形设计方法来降低VO_(2)薄膜在金属态的电阻值,使其与SCB阻值相匹配,测试了不同长宽比的VO_(2)薄膜及... 为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性与可靠性,通过片上集成方式,在SCB两端并联金属-绝缘体相变材料VO_(2)对其进行分流防护。提出蛇形设计方法来降低VO_(2)薄膜在金属态的电阻值,使其与SCB阻值相匹配,测试了不同长宽比的VO_(2)薄膜及相应的集成芯片在室温(25℃)至100℃范围内的电阻曲线,并对集成芯片及单独SCB在1A1W5min和1.5A2.25W5min安流试验中的传热过程进行了仿真。结果表明:蛇形设计可以有效降低VO_(2)薄膜电阻,其阻值与蛇形长宽比(Ws/L)成反比;VO_(2)薄膜能够对SCB起到一定的分流防护作用;集成芯片尺寸对安流试验热传导过程的平衡温度有一定影响;能够通过1.5 A安流试验的最大VO_(2)阻值为5Ω,这是下一步的设计目标。 展开更多
关键词 半导体桥(SCB) 二氧化钒(vo_(2)) 集成芯片 电阻 仿真
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VO_x薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究 被引量:5
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作者 邵林飞 李合琴 +1 位作者 范文宾 宋泽润 《红外》 CAS 2009年第11期30-34,共5页
VO_2是一种热致相变材料。发生相变时,VO_2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化。采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O_2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VO_x薄膜的结构、电阻-温度性能的影响... VO_2是一种热致相变材料。发生相变时,VO_2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化。采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O_2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VO_x薄膜的结构、电阻-温度性能的影响。结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO_2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VO_x薄膜的电阻-温度突变性能最佳。 展开更多
关键词 vo2薄膜 直流反应磁控溅射 沉积条件 电阻突变
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溶胶-凝胶法制备高c轴取向纳米V_2O_5薄膜 被引量:3
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作者 甄恩明 徐刚 +1 位作者 苗蕾 徐雪青 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期530-534,539,共6页
采用溶胶-凝胶法,以二乙酰丙酮氧钒(VO(C5H7O2)2)为前驱物,通过提拉方式,在预镀非晶SiO2薄膜的硼硅玻璃上制备多晶纳米五氧化二钒(V2O5)薄膜。通过X射线衍射、傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见-近红外光谱等表征手段对不同热处理条件... 采用溶胶-凝胶法,以二乙酰丙酮氧钒(VO(C5H7O2)2)为前驱物,通过提拉方式,在预镀非晶SiO2薄膜的硼硅玻璃上制备多晶纳米五氧化二钒(V2O5)薄膜。通过X射线衍射、傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见-近红外光谱等表征手段对不同热处理条件下的样品进行了结构和光学性能分析。结果表明,热处理温度在350~550℃,无论是在空气中还是在氧分压为0.1Pa的氮气中,均能得到高c轴取向生长的纳米V2O5薄膜,结晶性能良好,晶粒尺寸分布在21~45nm,样品在810cm-1和1026cm-1附近存在对应于5价钒氧化物的红外吸收峰,在500nm出现强烈的带间吸收。与现有的溶胶-凝胶法相比,本实验选用的VO(C5H7O2)2是制备高c轴生长、结晶性好的纳米V2O5薄膜的理想前驱物。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 纳米五氧化二钒薄膜 高c轴生长取向 二乙酰丙酮氧钒 非晶衬底
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用离子束增强沉积从V_2O_5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜 被引量:20
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作者 李金华 袁宁一 +1 位作者 陈王丽华 林成鲁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1788-1792,共5页
采用了一种用离子束增强沉积从V2 O5粉末直接制备VO2 薄膜的新方法 ,将纯度为 99 7%的V2 O5粉末压成溅射靶 ,在用Ar离子束溅射的同时 ,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入 ,使沉积膜中V2 O5的V—O键断裂 ,进而被注入的氢还原 ,退火... 采用了一种用离子束增强沉积从V2 O5粉末直接制备VO2 薄膜的新方法 ,将纯度为 99 7%的V2 O5粉末压成溅射靶 ,在用Ar离子束溅射的同时 ,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入 ,使沉积膜中V2 O5的V—O键断裂 ,进而被注入的氢还原 ,退火后获得热电阻温度系数 (TCR)高达 4 %的VO2 薄膜 .高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力 ,使薄膜的转换温度降低、电阻 温度曲线斜率变大 。 展开更多
关键词 V2O5粉末 制备 离子束增强沉积 vo2薄膜 热电阻温度系数 氧化钒薄膜 五氧化二钒粉末 红外探测 红外成像
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溶胶-凝胶VO_2薄膜转换特性研究 被引量:32
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作者 袁宁一 李金华 林成鲁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期852-856,共5页
利用溶胶 凝胶法在SiO2 Si衬底上沉积高取向的V2 O5薄膜 ,在压强低于 2Pa ,温度高于 40 0℃的条件下 ,对V2 O5薄膜进行真空烘烤 ,获得了电阻率变化 3个数量级以上、弛豫宽度为 6 2℃的VO2 多晶薄膜 .以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微... 利用溶胶 凝胶法在SiO2 Si衬底上沉积高取向的V2 O5薄膜 ,在压强低于 2Pa ,温度高于 40 0℃的条件下 ,对V2 O5薄膜进行真空烘烤 ,获得了电阻率变化 3个数量级以上、弛豫宽度为 6 2℃的VO2 多晶薄膜 .以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据 ,详细分析了溶胶 凝胶薄膜在真空烘烤时从V2 O5向VO2 的转化 ,它经历了从VnO2n +1 (n =2 ,3,4,6 )到VO2 的过程 .实验证明 ,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶 凝胶V2 O5结构向VO2 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 vo2 转换特性
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离子束增强沉积VO_2多晶薄膜的温度系数 被引量:6
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作者 李金华 袁宁一 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2683-2686,共4页
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 .实验测试表明 ,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好 ,薄膜的电阻温度系数 (TCR)最高可达 4 2 3% K .从成膜机理出发 ,... 用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 .实验测试表明 ,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好 ,薄膜的电阻温度系数 (TCR)最高可达 4 2 3% K .从成膜机理出发 ,较详细地讨论了离子束增强沉积VO2 多晶薄膜的TCR高于VOx 薄膜的TCR的原因 .分析认为 ,单一取向的VO2 结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能 ,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度 ,使离子束增强沉积VO2 多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx 薄膜更接近于单晶VO2 展开更多
关键词 红外成像器件 二氧化钒多晶薄膜 离子束增强沉积法 热电阻温度系数 退火处理
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加载二氧化钒的太赫兹宽带可调超材料吸波体设计 被引量:1
15
作者 王连胜 夏冬艳 +3 位作者 陈龙溪 付全红 丁学用 汪源 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第4期402-409,共8页
为了实现太赫兹波调制器件对太赫兹波的快速响应,设计一种基于二氧化钒(VO 2)电阻膜的太赫兹波段宽带可调谐超材料吸波体,研究不同温度时吸波体的吸收率,并通过监控表面电流分布,分析吸波体宽带吸收以及可调吸收的机理。结果表明:吸波... 为了实现太赫兹波调制器件对太赫兹波的快速响应,设计一种基于二氧化钒(VO 2)电阻膜的太赫兹波段宽带可调谐超材料吸波体,研究不同温度时吸波体的吸收率,并通过监控表面电流分布,分析吸波体宽带吸收以及可调吸收的机理。结果表明:吸波体在温度为35℃时表现出宽带吸收特性,吸收率大于90%的频段频率为6.508~9.685 THz,带宽为3.177 THz,通过改变温度可以实现吸波体吸收率的调控;该吸波体对电磁波的吸收具有极化不敏感和宽角度吸收的特点。 展开更多
关键词 超材料吸波体 宽带 可调谐 太赫兹 二氧化钒(vo 2)电阻膜
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Dynamically adjustable asymmetric transmission and polarization conversion for linearly polarized terahertz wave 被引量:4
16
作者 Tong Li Fang-Rong Hu +4 位作者 Yi-Xian Qian Jing Xiao Long-Hui Zhang Wen-Tao Zhang Jia-Guang Han 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第2期288-293,共6页
The asymmetric transmission(AT) and polarization conversion of terahertz(THz) wave play a vital role in future THz communication,spectrum,and information processing.Generally,it is very difficult and complicated to ac... The asymmetric transmission(AT) and polarization conversion of terahertz(THz) wave play a vital role in future THz communication,spectrum,and information processing.Generally,it is very difficult and complicated to actively control the AT of electromagnetic(EM) wave by using traditional devices.Here,we theoretically demonstrate a stereo-metamaterial(stereo-MM) consisting of a layer of metal structure and a layer of phase transition structure with a polyimide spacer in between.The performance of the device is simulated by using the finite-integration-technology(FIT).The results show that the AT and polarization conversion of linearly polarized wave can be dynamically controlled in a range of 1.0 THz-1.6 THz when the conductivity c,F of vanadium dioxide(VO2) is changed under the external stimulation.This study provides an example of actively controlling of the AT and polarization conversion of the EM wave. 展开更多
关键词 stereo-metamaterial(stereo-MM) ASYMMETRIC transmission(AT) polarization conversion vanadium dioxide(vo2)
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二氧化钒-聚二乙炔热致变色复合薄膜及其调光性能
17
作者 王彬彬 高阳 +3 位作者 杨帅军 徐慧妍 聂永 蒋绪川 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期3417-3427,共11页
热致相变二氧化钒(VO_(2))具有良好的近红外光调制能力,被广泛应用于智能窗领域,但在实际应用中VO_(2)基智能窗仍面临诸多挑战,其中VO_(2)薄膜不太美观的棕黄色及相变前后无可视的颜色变化是限制其应用的重要因素。为解决上述问题,本文... 热致相变二氧化钒(VO_(2))具有良好的近红外光调制能力,被广泛应用于智能窗领域,但在实际应用中VO_(2)基智能窗仍面临诸多挑战,其中VO_(2)薄膜不太美观的棕黄色及相变前后无可视的颜色变化是限制其应用的重要因素。为解决上述问题,本文将具有可逆颜色变化(由蓝到红)的聚二乙炔(PDA-1)与VO_(2)复合,成功制备了具有双层结构的多功能复合薄膜,该复合薄膜中PDA-1可改善薄膜颜色,并起到指示变色效果,VO_(2)可调节近红外光透过率,起到调温作用;所得复合薄膜不仅表现出较易接受的灰蓝色,还表现出良好的调光性能(太阳光调制能力ΔTsol=7.64%,低温下可见光透射率Tl,lum=56.23%,高温下可见光透射率Th,lum=62.37%)。此外,PDA-1的变色温度与单斜相VO_(2)的相变温度(~68℃)接近,随着温度升高,复合薄膜在调节近红外光透过率的同时,其外观颜色可由灰蓝色变为红色,有利于智能窗自动调温功能的直观展示及进一步推广和应用。 展开更多
关键词 聚二乙炔 二氧化钒 热致变色 复合薄膜 智能窗
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